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在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。 相似文献
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无机阻燃剂高聚合度聚磷酸铵的研制 总被引:9,自引:3,他引:6
以五氧化二磷、磷酸铵盐、尿素为原料、氨气为保护气,制备了高聚合度聚磷酸铵无机阻燃剂。考察了五氧化二磷、磷酸铵盐、尿素的用量和反应温度对聚磷酸铵平均聚合度的影响。采用端基滴定法测定了聚磷酸铵的聚合度,并用X射线衍射(XRD)法表征了聚磷酸铵的晶体结构,同时测定了聚磷酸铵的粒度和溶解度。实验结果表明,制备聚磷酸铵的最佳反应条件为:n(磷酸氢二铵)∶n(五氧化二磷)∶n(尿素)=1∶1∶0.3,反应温度280~300℃,反应时间40m in,热处理温度250~280℃,热处理时间110m in。在此条件下制备的聚磷酸铵的平均聚合度大于600,平均粒径直径小于50μm,在水中的溶解度小于0.4g;XRD表征结果表明,所合成的物质为Ⅱ型聚磷酸铵。 相似文献
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Polyaryloxydiphenylsilanes were prepared from phosphorus‐containing diols and diphenydichlorolsilane through solution polymerization. With a stoichiometric imbalance in feed monomers, the resulting polymers exhibited moderate melting points and good processing properties. The polymers prepared showed initial decomposition temperatures above 340 °C, excellent thermal stability, high char yields at 850 °C and very high limited oxygen index values of 56–59. The polymers' char yields and their (P + Si) contents showed linear relationships. © 2003 Society of Chemical Industry 相似文献
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介绍温度采集仪调理电路的结构及工作原理,简单介绍在系统可编程模拟器件ispPAC10的基本结构,并借助于PAC Designer软件详细描述ispPAC10实现温度采集仪数据放大器具体方法和步骤。与传统的模拟电路设计方法相比,运用isp技术实现的温度采集仪调理电路具有简洁可靠、开发周期短等特点。 相似文献