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系统备份及其误区分析 总被引:1,自引:0,他引:1
张军华 《微电子学与计算机》2002,19(9):34-35
文章对系统备份的几个主要方面进行了讨论,并在此基础上,对系统备分的若干认识误区进行了分析。 相似文献
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和所有设备一样,计算机设备也是在一定环境中工作的,各种环境因素无时不对设备产生影响。要使计算机设备在各种环境中保持良好的性能,必须了解各种环境对计算机设备影响的机理和过程,分析在环境因素中那些因素是影响计算机设备的主要因素及其力度、频率、周期等,以便采取措施保护计算机设备正常工作。简要介绍除温度外,各种环境因素对计算机设备的影响。 相似文献
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BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷的制备和微波性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用柠檬酸sol-gel工艺合成了BaFe12O19/SiO2-B2O3微晶玻璃陶瓷,研究了SiO2-B2O3玻璃的含量,Ba/Fe原子比和热处理温度对体系析出晶相的影响,以及介电常数和磁异率在1MHz-6GHz频率范围的变化规律,结果表明,休系中SiO2-B2O3玻璃的含量和Ba/Fe比越高,BaF312O19相的析出越困难,前驱体合适的热处理温度为1000℃,介电常数和磁导率基本上随测试频率的增而加下降;介电损耗的最大值为0.43,磁损耗较小。 相似文献
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A method constructinq C~1 Piecewise quintic polynomial over a triangular grid to interpo-late function values and partial derivatives at vertices is presented in this paper.The set of precise poly-nomials of this method is discussed. 相似文献
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新型高k栅介质材料研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
随着半导体技术的不断发展,MOSFET(metal-oxide-semiconductor field effect transistor)的特征尺寸不断缩小,栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著,将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料,能够在保持和增大栅极电容的同时,使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义;MOS栅介质的要求;主要新型高k栅介质材料的最新研究动态;展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。 相似文献
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介绍了采用模糊控制技术解决真空冻干生产线控制中大超调量、大滞后等问题的方法 ,详述了模糊控制系统的构成、主要功能和实现方法 相似文献
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以入世为契机,进一步推进电力科研院所企业化转制 总被引:1,自引:1,他引:0
我国入世和融入经济全球化,将给中国经济运行的大环境带来深刻变化,科技事业也面临着全新挑战。电力科研所实行企业化转制,与国际接轨,按照国际规则办事势在必行。作者作为电力科研单位的一把手就电力科研院所的企业化转制阐述了个人的观点。转制必须有利于回忆科技创新和高新技术产品的开发;必须有利于抓紧培养和造就复合型人才队伍;必须有利于更好地为电网、为发供电企业提供规范化、制度化、长期化和现代化的全方位服务。 相似文献
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