博宁联合化疗治疗骨转移癌的疗效分析

目的 :分析单纯化疗与博守联合化疗对实体瘤骨转移引起疼痛治疗的效果。方法 :42例病人随机分为单纯化疗组和化疗联合博宁组 ,对疼痛缓解程度和活动能力改善等进行对照研究。结果 :化疗联合应用博宁组疼痛缓解率及肿瘤变化方面明显优于单纯联合化疗组 (P <0 .0 5 ) ,而在活动能力改善方面则无明显差别。结论 :博宁联合化疗治疗骨转移癌引起的疼痛效果优于单纯联合化疗     

甲磺酸铜催化合成草酸二异戊酯

制备了甲磺酸铜催化剂,对其结构进行了IR和热重分析,并用于催化草酸和异戊醇的酯化反应。结果表明,甲磺酸铜具有催化活性高、稳定,易分离,重复使用性能优良,对环境友好的特点。最佳酯化工艺条件为:n(异戊醇):n(草酸)=2．8:1,w(甲磺酸铜)=0．3％,以过量的异戊醇为带水剂,回流反应2．0 h,酯化率可达到96．8％。     

热解气相色谱技术的应用

文章介绍了油气组分综合评价仪的工作原理，建立了油气组分综合评价仪的分析方法及油气组分综合评价资料的解释方法。     

克拉2气田水处理装置设计浅析

介绍了克拉2气田中央处理厂一期气田水处理装置的处理工艺特点和流程。针对气田水的最终去向，分析气田水的水质特点，提出合理的处理方案，既符合环保要求，达到保护环境的目的，又简化了工艺，节约了投资。     

西气东输放空系统的设计与研究

论述了石油天然气行业中的放空系统工作原理，研究了西气东输采用的放空点火系统特点，讨论了放空立管的计算模型，提出了比较符合实际情况的计算模型，指出在桅杆结构的计算分析中，应该考虑钢丝绳的弹性支撑作用。钢丝绳的弹性支撑作用对结构的周期计算、风荷载导算、地震作用的计算都有较大的影响。     

现场总线漫谈

从现场总线多标准的现状出发，阐述了控制对象多样性与技术多样性之间的必然联系，通过对目前现场总线与传统DCS应用现状的分析，对现场总线的发展和应用前景进行了展望。     

6种金属材料在典型工业大气中的腐蚀规律

选取具有代表性的碳钢、不锈钢、镀锌碳钢、铝、钛和铜挂片,在某企业不同部位投放后进行为期半年的大气腐蚀试验,得出了在半年期中的腐蚀规律。在此基础上,对每种金属材料的腐蚀特点进行总结,并对大气腐蚀的各种影响因素进行分析,提出了行之有效的防护措施。     

燃气管网动态仿真的研究及应用

研究和了解燃气在管道中的流动，是进行燃气管网系统优化和提高管网输运系统安全性的前提和基础。以流体力学三大守恒方程为基础，建立了等温和非等温条件下的燃气管网稳态和动态仿真理论模型。以有限差分法为基础，得到了上述模型的求解方法，并加入了耗散项，提高了求解方法的稳定性。通过增加初始点和延长出口点的方法，简化了模型的求解。通过在北京六环天然气管网中的初步应用，分别得到了与实际值综合相对误差为1.21％和2.62％的压力和流量仿真值，从而验证了模型及求解方法的可靠性。     

一种基于无理数加密算法的数字签名方案

为了提高现代网络信息传输的安全性,利用无理数小数点后数字的无穷性、无规律性、分布均匀性,提出一种全新的加密算法,并用它所产生的密钥流进行数字签名,实现身份验证不可抵赖、信息传输无篡改,确保信息传输的完整性、真实性,达到提高加密效率、相互认证的效果。     

Fabrication of Schottky barrier MOSFETs using self-assembly CoSi2 nanopatterning and spacer gate technologies

A self-assembly patterning method for generation of epitaxial CoSi₂ nanostructures was used to fabricate 50 nm channel-length MOSFETs. The transistors have either a symmetric structure with Schottky source and drain or an asymmetric structure with n⁺-source and Schottky drain. The patterning technique is based on anisotropic diffusion of Co/Si atoms in a strain field during rapid thermal oxidation. The strain field is generated along the edges of a mask consisting of 20 nm SiO₂ and 300 nm Si₃N₄. During rapid thermal oxinitridation (RTON) of the masked silicide structure, a well-defined separation of the silicide layer forms along the edge of the mask. These highly uniform gaps define the channel region of the fabricated device. The separated silicide layers act as metal source and drain. A poly-Si spacer was used as the gate contact. The asymmetric transistor was fabricated by ion implantation into the unprotected CoSi₂ layer and a subsequent out-diffusion process to form the n⁺-source. I–V characteristics of both the symmetric and asymmetric transistor structures have been investigated.