海外文献速报

AZ91D合金半固态射出成形时的固相率与铸造缺陷的关系；日本压铸的历史；汽车用铝合金压铸件的冷隔缺陷对策；AC4C铝合金铸件冷隔和流痕缺陷的观察与数值预测；铝合金压铸件的硬质点。     

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20060801加藤宽．铜合金铸件．素形材；20060802神尾彰彦．铝合金铸件．素形材；20060803西直美．压铸．素形材；20060804竹内纯一．精密铸造．素形材；20060805五家政人．消失模转移控制半固态铸造法的开发概要．素形材……     

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20061101金永坤,藤井英俊,津村卓也.多道摩擦搅拌加工ADC12压铸件的组织与力学性能的改善.铸造工学,2006,78(9):451-456压铸件中存在的硬质点及气孔缺陷在很大程度上影响了铸件的力学性能。试验研究了采用多道摩擦搅拌加工(MPFSP)方法来改善ADC12的组织,提高其力学性能。试验材料采用长为10m的压铸材料;FSP(Friction Stir Processing)参数:载荷为14.2kN,转速为1250r/min,摩擦探头移动速度为500mm/min,探头直径为5mm。探头在铝合金表面每隔4mm加工一道,连续加工14道,空冷。试验结果表明:①在铝合金压铸材料上实施多道摩擦搅拌加工,即…     

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20120901高木航,吉田诚.ADC12合金压铸时夹杂物的形成过程.铸造工学,2011,83(10):579-585.夹杂物会降低铝合金强度及伸长率,但夹杂物在压铸成形的整个工序中是如何变化的,迄今为止尚不明白。目前铝合金中夹杂物的测量方法是K模法,即将铝液浇入尺寸为36mm×6mm     

基于NIOS Ⅱ的数据采集系统

NIOS Ⅱ是Altera公司推出的第二代IP软核处理器,它与其他IP核构成了SOPC系统的主要部分.用户可以通过自定义逻辑的方法在SOPC设计中添加自己开发的IP核,使设计简单高效.本文利用FPGA中内嵌的NIOS Ⅱ处理器设计了一种数据采集系统.通过FPGA内部自带的双口RAMIP核和乒乓操作,实现数据的缓存.利用NIOS Ⅱ嵌入式软核实现缓存数据的读取、存储和传输.缓存数据的读取采用自定义组件的方式实现.该系统避免了控制单元与时序单元的分立设计,简化了电路,增强了可靠性,具有较好的可移植性.经试验验证,该系统能够较好地实现数据的采集,运行效果良好.     

实型铸造模具CIMS的研究与应用

以三缸进气管为例,通过对引进系统的改进和功能扩充,在对铸件工艺和结构特征分析的基础上,建立了实型铸造模具计算机集成制造系统（ＣＩＭＳ）。经实验室生产验证,模具符合铸件产品要求。     

C50海工清水混凝土配制技术研究

针对C50海工清水混凝土设计要求,以抗裂性、耐久性为主要设计目标,采用粉煤灰+矿粉大掺量矿物掺合料的胶凝材料体系配制C50海工清水混凝土,通过试验配制出耐久性满足要求,具有良好抗裂性能的低收缩C50海工混凝土,达到清水混凝土的技术要求。     

齿板-玻璃纤维/聚氨酯泡沫芯夹层梁的低速冲击性能

提出了一种由齿板-玻璃纤维（TP-GF）混合面板和聚氨酯（PU）泡沫芯材组成的新型TP-GF/PU泡沫夹层梁,结构中金属板通过齿钉压入GF与内部芯材连接,该夹层梁采用真空导入模压工艺制作。通过低速冲击试验,研究了不同冲击能量、纤维厚度和泡沫密度下TP-GF/PU泡沫夹层梁的冲击响应和损伤模式,并与普通的夹层梁进行了对比分析;通过双悬臂梁试验研究了混合夹层梁的界面性能,计算了夹层梁的应变能释放率。结果表明:在22 J、33 J、44 J能量冲击下,泡沫芯材密度为150 kg/m3的TP-GF/PU泡沫夹层梁的最大接触力较普通夹层梁分别提高了31.2%、48.6%、33.3%,冲击能量吸收分别增加了17.2%、11.3%、15.5%;随着冲击能量、面板纤维层数及芯材密度的增加,TP-GF/PU泡沫夹层梁最大接触力增大,密度较低的TP-GF/PU泡沫夹层梁损伤形式主要为面板的局部弯曲,而芯材密度较高的TP-GF/PU泡沫夹层梁则以穿透损伤为主;增加泡沫芯材密度和面板纤维厚度能够提高TP-GF/PU泡沫夹层梁的抗冲击性能,随着芯材密度的增大TP-GF/PU泡沫夹层梁的应变能释放率峰值越高,界面性能越好。      

栅源双场板对GaNHEMT器件性能的影响

本文对具有不同的栅源双场板结构的p-GaN栅HEMT器件的性能进行了比较,利用半导体器件仿真工具Synopsys TCAD对器件电学特性进行了分析。仿真结果显示:栅源复合场板结构能改善栅场板边缘的电场峰值,在源极场板边缘产生一个新的峰值,可使器件的击穿电压提高到1365V;间断栅场板与源场板复合结构,能在场板间隙位置产生新的电场峰值,更充分的利用漂移区耐压,使其击穿电压值达到1478V;栅源复合间断场板结构能缓解源场板对栅间断处电场峰值的抑制作用,器件击穿电压提高到最大值1546V。