一种基于蜂窝基站的全空间自定位方法

根据双频相位差测量的双曲线定位原理，提出一种基于蜂窝基站的全空间自定位方法。该方法不需要测量精确的时间差和标淮同步的模拟脉冲。文中首先给出全空间定位的精度分布表达式，然后详细讨论了基于蜂窝基站实现全空间自定位的基站布局可能性以及实时自定位算法。仿真与原理实验表明，基于蜂窝基站自定位方法合理，基站坐标经处理后，无定位盲区、无模糊多解、无解等现象，自定位算法满足实时性和高精度的要求，其中单点定位仿真计算仅需0．13g，理论迭代误差数量级小于10^-4。     

数值分析渐变DBR对垂直腔面发射激光器谐振腔模的影响

通过数值分析研究了含线性渐变层的Al0.9Ga0.1As/AlyGa1-yAs/GaAs/AlxGa1-xAS DBR的光学特性及其对VCSEL谐振腔光学特性的影响,建立了渐变型DBR渐变层厚度与折射率的关系,通过特征矩阵法计算了突变GaAs/Al0.9Ga0.1AS DBR和渐变型DBR的反射谱和反射相移,分析了渐变层对DBR反射率和反射相移的影响.对渐变型DBR,要使VCSEL谐振腔满足中心波长相位匹配条件,还需要在DBR靠近谐振腔一侧的最前面增加一定厚度的渐变层,称为相位匹配层.通过计算,我们得到了使VCSEL谐振腔满足相位匹配条件时均匀层和相位匹配层的厚度.     

InGaAsP/InGaP/AlGaAs大光学腔量子阱激光器的优化

本文对808nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料的大光学腔结构激光器进行了理论优化.为确保激光器是单横模激射,我们使用传递矩阵的方法,分别计算了限制层和欧姆接触层厚度对TE2和TE0模式损耗的影响,对上下限制层和欧姆接触层的厚度进行了优化,其优化后的厚度分别为0.8,0.6和0.11μm.高折射率的欧姆接触层被低折射率的限制层和金属层包围形成了无源的次级波导,泄漏波在次级波导中形成了寄生模式.欧姆接触层厚度对模式损耗的影响是周期性的,当欧姆接触层厚度为该模式的λ1/4时发生第一次共振,发生共振的间隔为其垂直注入的泄漏波波长λ1的一半.     

低频数字式相位测量仪的设计

基于过零检测法原理,以单片机87c51和可编程逻辑器件CPLD为核心,从数据采集电路、数据运算控制电路和显示电路等功能电路出发,实现了一个低频数字式相位测量仪系统,并进行了仿真验证.数据采集单元完全在一片CPLD芯片内部实现,真正实现了系统设计的简化.系统可以对20Hz～20kHz频率范围内的信号进行精确测量;与传统相位测量仪相比,具有硬件电路简单,测量速度快,易于实现等优点.     

协同创新模式下电子信息类课程体系探究

本文分析了电子信息类人才需求和课程体系现状,结合电子信息类专业的特点,详细阐述了协同创新模式下电子信息课程体系的建设.实践证明,通过进行课程体系改革,激发了学生的创新意识,增强了学生的工程实践能力.     

近场散射与远场RCS的链条关系式

与远场RCS比较,近场散射问题更复杂、更普遍,且有重要意义。近场散射与远场RCS之间的关系是近场散射研究中的前沿课题之一。本文首先引用三天线概念,其次利用天线耦合公式及电磁场的互易定理导出简洁的链条关系式。最后利用线性系统理论中的基本概念对链条关系式作物理意义的解释。链条关系式在目标特性研究、远场和近场散射测量等方面有重要意义。     

AIN、GaN立方晶体的静态性质和AIN/GaN异质结的价带偏移

采用LMTO能带从头计算方法,计算了闪锌矿（立方）结构AIN和GaN的静态性质;用平均键能方法,预言了AlN与GaN自由应变生长、以AlN为衬底和以GaN为衬底等三种不同应变状态下AlN／GaN应变层异质结的△Ev值;最后,采用超原胞（AIN）n（GaN）n（001）,（n=1,3,5）界面自洽计算方法,考察了超晶格中平均键能Em的“对齐”程度和验证了价带偏移△Ev计算结果的准确性。