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采用H_2SO_4-NaCl酸浸方法实现了高锑铋物料中锑、铋的选择性浸出。在锑、铋浸出过程中,考察了硫酸浓度、氯化钠质量浓度、浸出温度、浸出时间和液固比对锑和铋浸出率的影响。结果表明,在硫酸浓度为3.5 mol/L、氯化钠质量浓度为175 g/L、浸出温度为80℃、浸出时间为30 min、液固比为8∶1的最优条件下实现了锑、铋的有效浸出。在最优条件下,锑和铋的平均浸出率分别为91.25%和96.76%。H_2SO_4-NaCl酸性浸出过程提供了一种从高锑铋物料中回收锑、铋的简单有效方法,且在一定程度上解决了贵金属回收率低的问题。 相似文献
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应用factsage软件研究三氯氢硅合成的复杂化学反应,绘制了体系中存在的8个化学反应的ΔG-T图。分析了当反应达到平衡,在0.01MPa、0.05 MPa和0.1 MPa以及进料比xHCl/xSi为1、3和6时,气相平衡组分分布与温度的关系。讨论了三氯氢硅产率随温度、压强及进料比xHCl/xSi的变化情况。结果表明,低温、高压和一定进料比xHCl/xSi对三氯氢硅合成过程有利。 相似文献
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通过对动电位极化曲线、电化学阻抗谱图、SEM形貌的分析,研究了AZ31、AZ91和稀土镁合金在8.0%(质量分数)Na Cl溶液中的腐蚀行为。并将上述三种镁合金组装成电池,在8.0%Na Cl溶液中进行恒流放电测试。结果表明:三种负电极的耐蚀性是稀土合金AZ31AZ91;浸泡48 h后稀土镁合金的表面裂纹最少,腐蚀程度最轻,而AZ91负极的腐蚀程度最严重,表面裂纹较深;稀土合金的放电时间最长,达到800 min,AZ31为710 min,AZ91为660 min。 相似文献
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通过动电位极化法和电化学阻抗谱法,研究了在8%NaCl电解液中,六水合硝酸铈(CeN_3O_9·6H_2O)对AZ31负极抗腐蚀性能的影响。结果表明:电解液中加入Ce N_3O_9·6H_2O,在AZ31镁合金表面形成Ce(OH)_3保护膜,提高镁合金的耐腐蚀性。随着CeN_3O_9·6H_2O浓度的增大,Ce(OH)_3保护膜逐渐致密,AZ镁合金的腐蚀速率降低。当Ce N_3O_9·6H_2O浓度达到1.0 g/L时,镁合金的腐蚀速率最低,其缓蚀率为70.4%。然而当加入的Ce N_3O_9·6H_2O浓度大于1.0 g/L时,由于Ce(OH)3保护膜被溶解而导致镁合金的腐蚀速率增大。由浸泡50 h AZ合金的SEM图发现CeN_3O_9·6H_2O的添加在镁合金表面形成Ce(OH)_3保护膜,抑制阳极反应。从等效电路图得到Mg~(2+)电荷转移阻力增大了69.5?,改善了镁合金的耐腐蚀性能。通过放电测试得到加入CeN_3O_9·6H_2O提高电池的放电性能,放电时间延长40 min。 相似文献
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本文试验对三种霞石做了与其对应的烧结试验.并从中选出烧结效果较好的弱风化的白霞石正长岩熟料进行溶出试验,测得了熟料中Al2O3,K2O,Na2O在溶出液中的浓度和其在溶出渣中的残留量,从而获得了霞石提取氧化铝过程中的纯霞石饱和配料这一方法的烧结与溶出试验条件。 相似文献
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