超声波/纳米铁粉协同脱氯降解四氯化碳

采用超声波／纳米铁粉协同脱氯降解四氯化碳,探讨了纳米Fe粉用量、反应液的初始pH值、CCl4初始浓度对脱氯降解效果的影响。结果表明：纳米铁粉用量为0．5g／100mL时,脱氯率最高;反应液的初始pH值为2．0时,可获得较高的脱氯率;CCl4的初始浓度越高,其脱氯率越低。     

煅烧气氛对均相沉淀法制备YAG∶Ce荧光粉性能的影响

按照化学计量比Y2.94Ce0.06 Al5O12,采用均相沉淀法制备了YAG∶ Ce荧光粉的前驱体,并将制得的前驱体分别在空气气氛,惰性气氛(N2)和还原性气氛(CO)下煅烧.采用热分析和X射线衍射图谱研究了产物在煅烧过程中相的演变过程以及最终产物相的组成.结果表明,当在空气中煅烧时,大量Ce3激活离子被氧化成Ce4并在基质中析出成为CeO2相;在CO气氛中煅烧的样品中存在中间相(YAM),证明在相同煅烧温度下该气氛不YAG晶相的形成.荧光光谱表明,YAG晶相的形成和Ce3离子的氧化对样品的发光性能有很大的影响.当在均相沉淀过程中添加聚乙二醇分散剂并在氮气气氛下煅烧后,产物的荧光性能得到大幅度提升.     

循环刻蚀工艺对金刚石膜形貌和电阻率的影响

为了制备新型金刚石薄膜辐射剂量计,针对目前金刚石薄膜质量较差,难于满足辐射剂量计要求的问题,采用微波等离子体CVD法,研究了循环刻蚀生长阶段工艺参数(甲烷浓度,基片温度)和刻蚀方法对薄膜形貌、电阻率的影响。结果表明,循环刻蚀生长有利于提高金刚石薄膜的纯度和取向性。当?(甲烷)为0.34%,基片温度为960℃时,可获得[100]晶面取向的、电阻率达1011Ω·cm的金刚石膜,和采用常规工艺所得金刚石薄膜相比,其电阻率提高了3个数量级。     

注浆成型Yb∶YAG激光陶瓷浆料的流变性能研究

通过Zeta电位的测定、沉降实验及粘度测试优化了制备较高固含量陶瓷浆料的工艺条件,分析了pH值及分散剂加入量对Yb∶YAG浆料流变性能的影响并进行了注浆成型实验,得到具有连通气孔、密度达1.789 g/cm3的较致密坯体.结果表明:形成稳定浆料合适的pH值为11.83,分散剂的加入显著改善了浆料的流动性,合适的分散剂含量为陶瓷粉料质量的1.0wt％,固相含量为55wt％.     

医用可切削微晶玻璃的研究进展

主要阐述了医用可切削微晶玻离的形成、结构和性能及其在修复学领域的应用.     

金刚石薄膜品质及其表征

阐述了金刚石薄膜中成分，结构、夹杂尤其是化学与结构缺陷对热、电、光学、机构、化学性质的影响。介绍了薄膜品质检测、表征方法的新进展，表明品质表征有向点缺陷类别及其浓度分布、掺杂和偏折方向深入的趋势。为了控制品质、增强薄膜特性，开发新的器件，必须探求更完善的分析方法。建议在ＳＥＭ－ＷＤＣＬ（阴极荧光扫描电子显微分析装置）上，在确保‘ＣＬ’（阴极荧光）最高收集效率条件下，力求不降低原有ＳＥＭ的空间分辨率     

大面积金刚石薄膜的均匀性

金刚石膜具有优异的电学、热学性质,均匀的大面积金刚石膜是其在电子领域工业化应用的前提。利用自行设计微波等离子体化学气相沉积装置在直径51 mm和76 mm硅片上制备金刚石薄膜。用扫描电子显微镜观察所得金刚石膜的表面形貌,用ZC36高阻仪测量金刚石薄膜的电阻率。通过电阻率和形貌的均匀性判断金刚石薄膜的均匀性。结果表明,基片位置的变化引起沉积温度和含碳基团的种类、浓度与原子氢浓度的改变,从而影响了金刚石薄膜的形核和生长过程,最终影响金刚石膜的均匀性。直径51 mm金刚石薄膜表面形貌比直径76 mm的薄膜更均匀,但两种尺寸金刚石膜中间和四周的电阻率数值都接近,达到108 Ω·cm,电阻率均匀性好。     

含CO32-的多孔β-TCP/HA双相生物活性陶瓷溶解性能及溶解动力学

用改进中和法新工艺成功制备出含CO32-的β-TCP/HA双相生物活性陶瓷粉体和引入不同常规的微波烧结新方法制备含CO32-的多孔双相磷酸钙陶瓷来提高生物活性.主要研究了含CO32-和不含CO32-的及常规烧结和微波烧结所制β-TCP/HA双相陶瓷在生理盐水中的溶解性能,实验结果表明,含CO32-的双相陶瓷比未含CO32-双相陶瓷溶解性高,微波烧结的双向陶瓷比马弗炉烧结的溶解性好.通过对实验数据进行模拟,含CO32-的多孔β-TCP/HA双相陶瓷的溶解符合Avrami型动力学方程,求出了2种烧结方法相对应的动力学方程式常规烧结-1n(1-x)=0.38t0.89,微波烧结-1n(1-x)=0.80t0.67.     

铝材阳极氧化着色膜表面组成

铝阳极氧化着色膜随电解着色时间不同而呈现黄色膜和黑色膜。用电子显微分析法和光电子能谱法来检测氧化膜中不同深处的成份。     

引入CO2提高金刚石薄膜的沉积速率

微波等离子体法合成的金刚石薄膜质量好，但常规小型微波等离子体沉积金刚石薄膜速率低，为此，本实验在H2-CH4系统中引入CO2来提高金刚石薄膜的沉积速率。研究了不同碳源体积分数、功率、压力对沉积速率、金刚石形貌、电阻率的影响。其规律是随着碳源体积分数的增加，金刚石膜的沉积速率增加；随着压力的增加，生长速率呈现一个先增后减的趋势；随着功率的增加，也存在一个先增后降的趋势。研究结果表明碳源体积分数对沉积速率影响最大。综合各种因素，得到在H2＋CH4＋CO2的条件下沉积金刚石薄膜的最佳工艺条件为：碳源体积分数为0．63％；C／O=1．086；功率为490W；压力为5．33kPa。引入CO2使沉积速率得到提高，为常规方法沉积速率的3倍左右，表明引入CO2是一种提高沉积速率的有效方法。