特集 建筑史与美术史的耦耕

正贡布里希在《美术文献》中列出的早期美术史论著中,建筑著述至关重要,维特鲁威、阿尔伯蒂、瓦萨里等贡献了纲领性的文献—建筑史也一直被视为美术史的重要部分。自美术史和建筑史分别被学科化以来,二者之间曾相互缠绕、密不可分,但随着各自学科边界的确立和内涵的变化,当前的建筑史研究与美术史逐渐疏离,相互间存在明显的学科藩篱。     

20%Mo/Cu-Al2O3复合材料的强化机理及热变形行为

采用真空热压-内氧化烧结方法制备20%Mo/Cu-Al2O3复合材料,测试其性能并观察分析其微观组织。利用Gleeble-1500D热力模拟试验机在温度为350~750℃、应变速率为0.01~5 s-1及总应变量0.5的条件下,对20%Mo/Cu-Al2O3复合材料热变形过程中的流变应力与应变之间的关系进行研究。结果表明:20%Mo/Cu-Al2O3复合材料的组织分布均匀,未观察到明显的团聚现象及孔洞,致密度较高。在材料基体上,原位内氧化生成的纳米级Al2O3颗粒呈弥散分布,增加了基体的强度。复合材料的高温流动应力—应变曲线以动态再结晶软化机制为主,峰值应力随变形温度的降低或应变速率的升高而增加;在真应力—真应变曲线基础上建立的高温变形本构方程较好地表征了此复合材料的高温流变特性,其计算结果与实验结果吻合较好。     

第五届中国建筑史学国际研讨会综述

建筑是人类历史的文化创造,建筑史学的研究,为建筑科学技术和艺术的发展提供了宝贵的精神财富。以＂中国城市史研究＂为主题的第五届中国建筑史学国际研讨会于2010年12月10日至11日在地处广州的华南理工大学举行,一共有来自国际国内的110位建筑史学人作为正式代表出席了本次会议,其中来自意大利、英国、美国、日本、南非、香港和台湾的与会代表二十余名。     

基于I2C总线接口的智能温控系统

基于I2C总线接口的智能温控系统由AT89C2051单片机和LM76温度传感器及软件组成.通过单片机AT89C2051通用I/O口模拟I2C总线,控制温度传感器LM76.并采用监控程序、I2C总线模拟通用子程序等软件实现测控功能和数字平滑滤波.该系统留有RS-485通信端口,符合先进电源接口(ACPI)规范.     

经济型单片机开发系统的设计

基于MCS-51(8031)的经济型单片机开发系统,采用MCS-51汇编语言设计其单片机与微机串行通讯的接口程序.系统硬件包括程序和数据存储、输入/输出及通讯模块,软件则由监控主程序、键盘扫描与键值处理子程序、动态显示处理和通讯处理子程序构成,并通过RS-232标准通讯电缆与PC机连接.     

鞍山宝得公司69m~2环冷机的制造、安装

鞍山宝得钢铁有限公司于2008年新建了一条80万t/a球团生产线,经考察研究,其主体设备69m2环冷机由本公司自制。本文介绍了其关键部件的制造、装配及安装、调试情况。该环冷机投产两年来,运行稳定,完全满足生产要求。环冷机自制不仅节省了设备投资,同时有利于生产过程中设备维护及备品备件供应。     

综采面对接中部大断面切眼围岩控制技术

对某矿1341工作面大断面切眼对接期间的巷道变形进行了分析,并从对巷道顶底板及里帮进行加强支护的角度出发,提出了对中部切眼顶板采取注浆加固、里帮增加锚杆、底板锚杆支护等加强支护方案。通过数值模拟分析中部切眼在工作面采动影响下巷道的围岩变形特征,结果表明：顶底板移近量为126 mm,两帮移近量为80 mm,与原支护围岩的变形量相比,对中部切眼进行加强支护设计以后可以有效控制中部切眼围岩变形。     

基于特征参数相关性的DDoS攻击检测算法

针对传统方法难以实时有效地检测分布式拒绝服务攻击(DDoS)的问题,通过DDoS攻击的基本特征分析,从理论上严格区分了DDoS攻击流和正常突发流,并且在此基础上提出了一种基于特征参数相关性的DDoS攻击检测算法.该算法能在早期检测出DDoS攻击流,而这时的DDoS攻击包特征并不明显,并且该算法能有效地区分DDoS攻击流和正常的突发流.实验结果表明了该算法的有效性和精确性.     

一种能量均衡有效的WSN分簇路由算法

为减少无线传感器网络分簇路由协议中簇内的平均能耗,解决汇聚点附近簇头能耗不均的问题,提出BEERA路由协议,设计其能量消耗模型及路由算法。给出其最优竞争半径的计算、簇头节点的选举、簇间转发路径的建立及簇的生成方法。仿真结果表明,与LEACH等协议相比,新的路由协议能有效地延长网络生存周期,稳定期的持续时间提高19.6%~129%,进入HRD阶段的轮数提高22.8%~58.6%,具有较高的可行性和稳定性。     

不同TiB2颗粒粒径的TiB2/Cu复合材料耐电弧侵蚀行为

采用放电等离子烧结法（SPS）制备了不同TiB₂颗粒粒径的3wt% TiB₂/Cu复合材料,研究了3wt% TiB₂/Cu复合材料致密度、导电率、硬度和耐电弧侵蚀性能随TiB₂颗粒粒径的变化规律,重点分析了不同TiB₂颗粒粒径的3wt% TiB₂/Cu复合材料耐电弧侵蚀行为。结果表明:3wt% TiB₂/Cu复合材料致密度和硬度随TiB₂颗粒粒径的增大而略有降低;TiB₂颗粒粒径越小,TiB₂/Cu复合材料的综合性能越好。随着TiB₂颗粒粒径的增大,3wt% TiB₂/Cu复合材料耐蚀稳定性降低,3wt% TiB₂/Cu阴极材料的损耗量明显增加;当TiB₂颗粒粒径为10 μm时,3wt% TiB₂/Cu复合材料的耐电弧侵蚀性能最佳。电弧蚀形貌观察表明:不同TiB₂颗粒粒径的3wt% TiB₂/Cu复合材料经电弧侵蚀后,3wt% TiB₂/Cu复合材料均由阴极向阳极发生转移;随着TiB₂颗粒粒径的增大,阴极质量损耗逐渐增加,触头表面电弧侵蚀面积增加;而在Cu基体中引入较小的TiB₂颗粒,有利于减弱电接触实验过程中TiB₂/Cu复合材料的喷溅现象。