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全球电子封装行业的无铅化趋势,使得镀层锡晶须自发生长的问题变得十分突出。由于晶须的导电性可以引起高密度封装引脚之间短路,从而使电子产品失效甚至引发灾难性的事故,因此研究并阐明锡晶须生长机理、探索有效抑制锡晶须生长的手段、寻找合适的锡晶须生长加速实验方法评估电子产品的可靠性,成为当前亟需解决的问题。本文从锡晶须问题的由来,锡晶须的危害、锡晶须生长的机理、影响锡晶须生长的因素、抑制锡晶须生长的方法和锡晶须生长加速实验方法等几个方面,对锡晶须问题尤其是近年来这方面的研究进展作一简要评述,并提出一些需要研究的课题。 相似文献
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研究了熔铸法制备的CuCr25合金的形变和热处理过程及在不同的冷轧与热处理制度下合金显微组织的特点。试验结果表明,熔铸法制备的CuCr25合金具有良好的塑性变形能力,冷轧形变量可达95%以上。当冷轧形变量达到70%以上时,合金中第二相Cr开始产生形变;形变量达95%以上时,Cr粒子产生大量形变,并呈纤维状分布。形变合金的1073K退火1h后,纤维状Cr相发生显细化和球化,平均半径小于10μm。因而,采用合适的形变与热处理方法可以细化合金中的第二相Cr粒子。 相似文献
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CBGA结构热循环条件下无铅焊点的显微组织和断裂 总被引:4,自引:0,他引:4
用热循环实验、扫描电镜观察焊点横截面和有限元模拟的方法研究了陶瓷球栅阵列封装(CBGA)结构中无铅焊点的组织和热疲劳行为.CBGA结构中,在焊料与铜焊盘和银焊盘的界面处分别形成了Cu6Sn5和Ag3Sn.在热循环过程中,铜焊盘处Cu6Sn5层增厚,并出现Cu3Sn;镀银陶瓷芯片一侧,Ag3Sn层也增厚,焊球中靠近界面处Ag3Sn的形态从条状向球状过渡.增加热循环周次,疲劳裂纹最先出现在芯片与焊球界面处焊球的边角位置上,有限元模拟表明此处具有最大的剪切应力.在印刷线路板处,裂纹沿Cu6Sn5和焊料的界面扩展;在陶瓷芯片处,裂纹沿Ag3Sn界面层附近的焊球内部扩展. 相似文献
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采用溶胶-凝胶法制备锐钛矿型纳米TiO2粉体,平均颗粒直径50 nm左右.在粉体中加入1-5 at% Cu作为催化剂,其以CuO形式存在.在氢分压1 000×10-6 H2/Ar,不同温度下(100~500℃)测定材料的电阻率变化,发现与纯纳米TiO2相比,掺Cu的纳米TiO2在整个温度区间均可提高材料的氢气敏感性,提高幅度在50%左右,研究了工作温度与响应时间的变化关系,发现掺Cu纳米TiO2在400℃表现有最好的气敏性,和最快的响应时间.对这种材料氢气气敏性及添加CuO的作用机理进行了分析.认为在纳米TiO2中加铜后,主要是CuO与吸附氢气的化学反应作用,后者是提高纳米TiO2材料气敏性和减少响应时间的主要原因. 相似文献
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攀钢U71Mn重轨中的氢与缓冷效果 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了攀钢重轨缓冷前钢轨中氢含量的统计分布及缓冷后钢轨中氢含量的变化。结果表明:攀钢重缓冷前氢含量就很低,最高2.4ppm最低仅0.6ppm,平均值为1.3ppm,最高统计分布频率在1.0-1.5ppm间。这种低氢钢轨缓冷除氢的效果不显著,平均除氢率仅为18%且上下波动较大。实物重锯后在室温下放置3至4个月后,轨头中的可扩散氢已基本逸散殆尽。根据上述结果,建议在采取适当的技术措施基础上取消现行 相似文献
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1.引言Si_3N_4由于具有许多优良的物理、化学及力学性能,而成为一种极有前途的高温结构陶瓷材料。Si_3N_4与金属之间的反应性是这种材料的应用及研究中最关键的问题之一,尤其对于开发 Si_3N_4陶瓷与金属的连接技术,制备金属/陶瓷复合材料,金属与陶瓷之间的界面反应是最基本的问题。由于普通液态金属表面张力很大,仅靠金属与陶瓷之间的 相似文献
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用 TGA 技术研究了 Ag_(57)Cu_(38)Ti_5活性钎料在873K 流动空气中氧化的动力学规律,并用 X射线能谱分析(EDAX)和 X 射线衍射分析研究了氧化产物的化学组成和相结构。结果表明,这种Ag 基活性钎料的氧化动力学规律精确地服从抛物线定律,在873K 时抛物线速率常数为6.29×10~(-5)mg~2cm~(-4)s~(-1)。氧化膜由 Cu_2O 和 CuO 两相组成,其中溶有少量的 Ag。与 Ag-Cu 共晶钎料的氧化性能对比,发现钎料中含有少量的 Ti,对钎料在高温下的氧化抗力不利。 相似文献