铝电解生产技术的发展趋势及战略

本文在简述了铝电解生产技术的进步和现状之后,评述和分析了世界和我国铝电解工业技术发展趋势和面临的问题,如能源问题、市场问题和生产技术问题,並结合我国的具体情况提出在技术方面的发展战略要兼顾两个方面,一方面进一步改进和改善侧插自焙槽,使我国大部份自焙槽都能达到较先进的水平,获得显著的经济效益,对于大型预焙槽在引进吸收和消化国外先进技术的基础上开发我们自己的大型预焙槽技术;另一方面也要重视新型电极材料和新型电解槽的开发和研究。本文的目的是给企业的领导和铝业界的科技人员在考虑投资方向,技术改造项目和科研选题等方面提供参考。     

导流槽阴极导杆安装方式对阴极表面电流分布的影响

将某厂现有的160kA Hall—Heroult铝电解槽改造成导流槽后，在阴极上表面和阳极底面呈斜坡状的条件下，计算了采用不同阴极导杆安装方式时阴极的电位和电流分布，即通过建立导流槽内部从阳极到阴极的一个半切片电热场模型，用有限元法分别对水平和平行于阴极斜坡两种不同导流槽阴极导杆的安装方式下阴极电位和表面电流密度分布进行了计算。结果表明，不同的阴极导杆安装方法对导流槽阴极的总电位降大小没有明显影响，但是水平阴极导杆安装更有利于阴极表面电流密度的均匀分布。     

电沉积法制备CuInSe2薄膜的组成与形貌

采电沉积法制备了CuInSe2薄膜材料，研究了制备工艺条件对材料组成、结构与性能的影响。研究结果表明：最佳的沉积电位范围为-0．6～0．8V（vsSCE）；硒化退火是获得高质量CuInSe，薄膜的必要过程，硒化退火温度应控制在440～610℃范围内；在不同沉积电位和不同电解质浓度组成溶液中，通过电沉积并在500℃下硒化退火均可获得黄铜矿结构CuInSe2多晶薄膜；沉积电位的负移会使膜层中CuInSe2的相对含量增加，晶型完善，且杂相减少；随着电解质浓度的增加，电沉积CuInSe2退火后结晶程度变好，颗粒变得粗壮，致密性也有所改善；电沉积并硒化退火后薄膜中的铜铟摩尔比受沉积电位和电解质浓度影响较大，当沉积电位为-0．7和-0．8V时，铜铟摩尔比约为1较为理想，且铜铟摩尔比的变化与电解液中CuCl2和InCl3的摩尔比变化一致。     

AlF3添加剂和焙烧温度对铝电解炭阳极过电位的影响

在实验室制备各类AlF3掺杂试验阳极，在测试其基本物理化学性能的基础上，采用“改进断电流法”进行阳极过电位测试，研究AlF3添加剂和阳极焙烧温度对阳极过电位的影响。结果表明：在一定条件下，阳极中添加AlF3既可降低阳极的空气／CO2反应活性，也可降低阳极过电位；受高温脱S等因素的影响，阳极的电化学活性及其空气／CO2反应活性并未随着焙烧温度的提高相应降低。     

俄国铝工业现状及我们的思考

俄国铝工业现状及我们的思考刘业翔（中南工业大学湖南长沙４１００８３）１俄国铝工业的现状１．１了解俄国的铝工业的必要性我认为有二点必要性：ａ．她是国际铝行业中未来的竞争对手。俄国铝产量大，现居世界第二位，距我国近，生产成本较低。前几年她的出口对国际铝市...     

NiFe2O4基金属陶瓷的电导率

制备了铝电解用NiFe2O4基金属陶瓷惰性阳极,研究了环境温度及材料成分对电导率的影响.实验结果表明NiFe2O4基金属陶瓷的电导率主要受温度、陶瓷基体电导率、金属成分及金属相在陶瓷相中分散度的影响;当温度从573 K升至1 233 K时,NiFe2O4陶瓷的电导率由0.099 S/cm提高到2.105 S/em;与NiFe2O4陶瓷相比,金属陶瓷的电导率有极大的提高,但二者随温度的变化趋势是一致的;1 233 K时,金属含量为5%Ni,5%Cu和4.25%Cu+0.75%Ni的NiFe2O4基金属陶瓷的电导率分别为20.576 S/cm,14.970 S/cm和18.797 S/cm,用作铝电解惰性阳极已能满足要求,但与当前铝电解碳素阳极材料相比还存在很大距离.     

超级电容器碳电极材料的制备及性能

以普通煤焦油沥青为前驱体,KOH为活化剂,采用化学活化法,在500~1 000℃下制备了超级电容器用活性炭电极材料,分析了温度对材料微观结构的影响。通过循环伏安、交流阻抗和恒流充放电等方法,分析了不同多孔活性炭在有机电解液中的电化学行为。在500~700℃内,比电容随活化温度的升高而升高,700℃下活化的活性炭的比电容最高;活化温度在700℃以上,活性炭的比电容降低。在700~1 000℃下制备的活性炭,在有机电解液中表现出良好的电化学行为。     

Co-Se化合物薄膜的电沉积制备与表征

采用电沉积方法在SnO2玻璃基底上制备了Co-Se化合物薄膜.研究了薄膜形成的电化学机理和电沉积工艺对薄膜组成与形貌的影响,并表征了薄膜的结构与光学性质.结果表明:Co2+受预沉积Se的表面诱导还原或直接与H2SeO3的六电子还原反应产物H2Se发生反应形成Co-Se化合物;沉积电位、沉积温度和pH值均显著影响电沉积Co-Se化合物薄膜的形貌与成分;在沉积电位为?0.5V(vs SCE)、沉积温度为50℃和pH值为2.0时可制备出表面致密平整且呈六方晶型结构的富硒CoSe薄膜,其光吸收系数达到1×105 cm?1,直接带隙宽度为(1.53±0.01)eV,接近单结太阳电池光吸收层材料的理论最佳值.     

钾长石的碱石灰烧结法综合利用研究

对利用碱石灰烧结法提取钾长石中的Al2O3、K2O和尾渣烧水泥，这一综合利用新工艺进行了试验研究。结果表明：熟料K2O的浸出率可达70％以上，熟料Al2O3的浸出率可达50％以上，而尾渣是硅酸盐水泥的良好原料。     

液晶显示器用偏光片

从偏光片的工作原理和基本结构入手,介绍了组成偏光片的各种膜层的功能与研究现状,以及偏光片的研究发展动向.对偏光片的研究与产业发展提出了几点建议.