通用遥控LED显示屏控制板的应用制作[套件供应]

“通用遥控LED显示屏控制板”采用单片机控制电路设计,通过更换不同的单片机程序芯片做成各种功能的控制板,外接电源,并配上LED数码块,即可完成很多在各种场合应用的电子显示屏制作,例如: 遥控大屏幕LED电子钟使用JLC-     

二元溴化物系(MBr-M′Br_2)中间化合物形成规律的逐级投影法研究

提出了一种新的模式识别建模方法-逐级投影法(hierarchical projection method),并将该方法用于二元溴化物系(MBr-M’Br_2)中间化合物形成规律的研究。在由原子键参数(z/r)_M、X_M'、I_M、I_M',张成的多维空间中,能形成和不能形成MBr-M'Br_2系中间化合物的样本点分布在不同的区域。利用HP方法得到的超多面体模型可描述MBr-M'Br_2系中间化合物在多维空间中分布区域的边界,在此基础上预报RbBr-CaBr_2和CsBr-CaBr_2这2个熔盐体系可形成中间化合物,结果得到实验证实。     

国外涤纶高速纺丝卷绕机-拉伸变形机电气自控技术的发展

<正> 为了适应涤纶高速纺丝——拉伸假捻技术所要求的高速、稳定、连续化生产等特点,近年来国外在高速纺丝卷绕机一拉伸变形机的电气传动、自动控制方面做了大量的工作,形成了与之相适应的电气自控技术。本文将就此作一些介绍和分析。     

校园网多出口的设计与实现

本文介绍了校园网多出口设计的一种方案,采用策略路由技术和网络地址转换技术解决校园网出口瓶颈问题,在青岛科技大学校园网中进行具体实施,实践证明行之有效。     

2.8～4.2GHz MMIC低噪声放大器

报道了基于0.25μm GaAs PHEMT工艺的2.8～4.2GHz MMIC低噪声放大器,详细介绍和分析了低噪声放大器的器件基础和设计原理,设计采用源极串联电感负反馈方法使输入阻抗共轭匹配和最小噪声匹配趋于一致,偏置网络采用自偏置栅压、单电源供电,并用ADS软件仿真。电路评估板选用Rogers RO4350B,在2.8～4.2GHz频段内测得增益大于20dB、增益平坦度小于2.5dB、噪声系数小于2.3dB、输入输出驻波比小于2.0。     

基于PROFIBUS-DP总线的高压软起动器通信模块的开发

自动控制技术和计算机技术及电力电子技术的迅速发展,使开发具有PROFIBUS-DP技术的产品成为国内智能设备的一大热点。对基于PROFIBUS-DP技术的高压软起动器通信模块的开发进行阐述,高压软起动器作为智能从站参入PROFIBUS-DP总线中组态,高速、安全、可靠的通信说明了高压软起动器通信模块的开发是成功的。     

我国电信产业价值链结构的演变

在简单分析传统价值链与虚拟价值链的基础上,总结出产业价值链结构的变化趋势,进而详细讨论我国电信产业价值链结构演进的3个阶段,并分析电信运营商在不同阶段的作用与定位.最后,针对未来电信产业价值链的变化趋势,为电信运营商的发展提出建议.     

一种InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法

采用一种新方法对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了模拟.该方法通过流体力学模型和密度梯度模型的联合求解,得到了沟道内的电子密度分布.与一些传统方法相比,该方法收敛性更好,速度更快,且同样适用于其他类型高电子迁移率晶体管器件的模拟.利用仿真对InGaAs/InP复合沟道高电子迁移率晶体管进行了深入研究.     

功率增益截止频率为183GHz的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As HEMTs

通过合理的外延层材料结构设计和改进的器件制备工艺,制备出功率增益截止频率(fmax)为183GHz的晶格匹配InP基In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As HEMT.该fmax为国内HEMT器件最高值.还报道了器件的结构、制备工艺以及器件的直流和高频特性.