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101.
102.
在改性的Pechini工艺中添加聚乙二醇(PEG)后在碳化硅颗粒表面沉积磷酸八钙(OCP)制备得到SiC@OCP发泡剂.PEG的分子量对制备的SiC@OCP发泡剂的物相、形貌和烧成性能都有影响.在含11wt%赤泥和47wt%瓷砖废料的原料中加入SiC或SiC@OCP发泡剂,经配料、压制和烧成工艺制备得到多孔陶瓷.以SiC@OCP为发泡剂制备的多孔陶瓷的体积变化率、开孔孔隙率和吸水率要远低予以SiC为发泡剂制备的多孔陶瓷,这与多孔陶瓷内孔结构的调控机制,即OCP包裹后对SiC的高温氧化行为产生影响有关系.研究所获得的结果为多孔陶瓷发泡剂的制备、赤泥和瓷砖废料的综合利用提供有益的参考. 相似文献
103.
104.
由于局部离群点被密度相似的正常点掩盖,不易被隔离,使得扩展的隔离森林算法(EIF)对这类离群点的识别效果不理想。针对此问题,提出基于相对比重的扩展隔离森林算法(Relative Proportion-Extended Isolation Forest, RP-EIF)。该算法仍然基于随机斜度和随机截距划分超平面,生成隔离森林,但根据预测样本落入的叶子节点与其父节点的相对比重计算离群分数排名,而不使用基于路径长度的排名。把全局排名替换为考虑邻域数据分布局部排名增强了算法对局部离群点的敏感性,同时还减少了算法的时间复杂度。在离群点检测数据库(ODDS)的5个公开数据集上验证RP-EIF算法的有效性和算法效率,并与EIF算法、GIF算法、iForest算法、COPOD算法、LOF算法进行了对比。实验表明:RP-EIF算法在5个ODDS公开数据集上的准确率高出EIF算法1至4百分点,高出其他5个算法2至38百分点。而且在5个数据集上的时间消耗RP-EIF算法要比EIF算法减少约30%。 相似文献
105.
氧化锌纳米晶的制备及光催化性能研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用沉淀-热分解方法制备纳米ZnO,并用场发射扫描电子显微镜和X-射线衍射仪分析所制备的ZnO粉体的晶粒大小和物相,同时研究了在不同煅烧温度下制备的纳米ZnO对次甲基蓝的光催化降解效率.实验结果表明:在450 ℃下煅烧2 h制备的ZnO粉体的粒径基本分布在20~40 nm的范围内,且具有(假)六方结构.将在400 ℃和500 ℃下合成的ZnO纳米晶相比,在450 ℃下合成的样品对次甲基蓝的光催化降解效率较高;此外,外加适量的30%H2O2(质量含量,下同)溶液能显著提高纳米ZnO对次甲基蓝的光催化降解效率. 相似文献
106.
垂直布里奇曼法CdZnTe晶体生长过程的数值分析 总被引:4,自引:0,他引:4
模拟计算了半导体材料CdZnTe布里奇曼法单晶体生长过程,分析了熔体的过热温度、坩埚侧面强化换热以及坩埚加速旋转(ACRT)等因素对结晶界面的形态和晶体组分偏析的影响。结果表明:当熔体的过热温度减小时,熔体中自然对流的强度显著降低,固液界面的凹陷深度有所增加,晶体的轴向等浓度区显著加长,而晶体组分的径向偏析明显增大,坩埚的侧面强化换热增加了自然对流强度,也增大了固液界面的凹陷,但是对溶质成分的偏析影响较小,坩埚加速旋转引起的强迫对流强度远大于自然对流,显著增大了固液界面的凹陷,使熔体中的溶质分布成为均一的浓度场,显著减小了晶体组分的径向偏析,增加了晶体组分的轴向偏析。 相似文献
107.
为改善聚乙撑二氧噻吩:聚(对苯乙烯磺酸)根阴离子(PEDOT:PSS)薄膜的光学及电学性能,采用共混-旋涂法在石英玻片上制备出山梨醇掺杂的PEDOT:PSS透明导电膜.利用X射线衍射仪(XRD),傅立叶变换拉曼光谱(FT-RM),原子力显微镜(AFM),场发射扫描电子显微镜(FE-SEM),紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)及四点探针法对薄膜的微结构与性能进行了研究.XRD结果显示山梨醇的掺杂未改变薄膜的聚集态结构;FT-RM表明PEDOT的主要特征峰发生红移,主链结构发生苯-醌转变,分子间作用力增大,导致薄膜表面粗糙度增大,横截面出现索状条纹;薄膜透光率在600~900nm略有升高,导电性能有较大提高,最佳掺杂浓度下,薄膜电导率可达到105S/cm. 相似文献
108.
为了研究片状石墨的掺杂量和取向排列对石墨/陶瓷复合材料结构和性能的影响,以长石、透辉石、石英等作为陶瓷基体并掺杂石墨,经湿混、干燥、干压成型、快速烧结等工艺制备了石墨/陶瓷复合导电材料。用精密伏安表精确测定了材料垂直和平行于成型压力方向的电阻,用XRD、SEM分析了试样的物相组成和断面形貌。实验结果表明:在烧结过程中石墨与陶瓷基体不发生化学反应,未发现有新相生成;片状石墨在复合材料中具有定向排列的特征,即片状石墨的c轴平行于成型压力方向;石墨/陶瓷复合导电材料的电阻率具有明显的各向异性;随着石墨掺量的增加,复合导电材料的电阻率随石墨掺量的增加而急剧减小;但是,当石墨掺量超过15 wt%时,复合材料电阻率的变化趋于平缓。 相似文献
109.
计算模拟了加速坩埚旋转技术Bridgman(ACRT-B)法生长Cd0.96Zn0.04Te单晶体过程,研究了ACRT波形参数对固-液界面凹陷和晶体内组分偏析的影响.计算结果表明:ACRT波形参数的变化几乎不影响固-液界面前沿熔体中均一浓度场的形成.但是,波形参数能够显著改变固-液界面的凹陷和晶体内的组分偏析.波形参数不适当时,固-液界面的凹陷深度增加数倍,同时晶体组分的径向偏析也显著增加.波形参数不适当时,固-液界面的凹陷深度不增加或增加很少,晶体组分的径向偏析显著减小,直至为零.本工作所选择的各种波形参数下,ACRT均能明显增加晶体组分的轴向偏析。 相似文献
110.
正黑龙江省水利学校始建于1 956年,隶属省水利厅。是一所集中专教育、职业技能培训和鉴定及高技能人才培养于一体的全日制中等职业学校。2017年7月,学校从肇东迁到大庆。校园占地面积15.2万平方米,建筑面积3.2万平方米。校园环境优雅整洁。目前,学校是全国水利行业 相似文献