聚乳酸合成研究进展

概述了聚乳酸的发展简史、聚乳酸材料的一些重要性质,介绍了聚乳酸一步法合成和两步法合成技术的研发现状。     

探究城市绿地土壤的特点要求及改良措施

随着我国改革开放的进一步深化、经济和社会的不断发展,在城市人口高密区,人们对美好生活的向往、对城市绿地建设的要求越来越高,有力地推动了城市绿地建设。绿化施工组织者应做好施工前的管理及准备工作,其中主要工作除了要认真熟悉施工图纸、掌握工程预算及工程投入的成本外,第三大项任务就是从工程开始就要掌握摸清施工地段的土壤状况,因为土壤状况是树木栽植成活和养护的基础,是制定施工组织设计的前提。对施工所在地土壤进行调查,有针对性地提出改良措施,为栽植及后续的养护做好技术准备,是施工前期准备的一项重要工作内容。城市主体是绿色植物,是每个城市的重要组成部分,是不可或缺的因素,与周围环境不断地进行物质和能量的交换,通过同化作用从环境中吸收物质和能量,又通过异化作用,把一些物质和能量释放到环境中去,这种"双向"的动态过程,对改善和维护生态平衡,起到积极而不可替代的作用。     

环状卤胺化合物改性壳聚糖/PVA纳米纤维的制备与表征

以易于纺丝的聚乙烯醇(PVA)为纤维基材,添加3-环氧丙基-5,5-二甲基海因改性壳聚糖(CTS-GH),利用静电纺丝法制备出具有高效抗菌效果的纳米纤维。采用扫描电镜、红外光谱、热重分析仪表征和分析了纳米纤维的结构和热性能,考察了纺丝液流量对纳米纤维结构和氯含量的影响。结果表明,纳米纤维的直径随着纺丝速度的加快而减小。利用碘量法测定了纳米纤维的氯含量,说明该纳米纤维经过氯化处理后具有很好的抗菌效果。该纳米纤维可用于抗菌过滤材料、生物医药等方面。     

沥青混凝土路面平整度控制的实践

平整度是路面使用性能的重要指标,也是衡量路面整体水平和企业施工质量的标志。桂梧高速公路某合同段在沥青混凝土路面施工阶段进行了平整度的控制,取得了良好的效果,为改善和提高沥青混凝土路面平整度提供一些借鉴经验。     

矩形柱二维尾流的稳定性研究

采用实验和数值模拟两种方法对长宽比为3∶1的矩形柱尾流进行了稳定性研究.实验发现当雷诺数接近临界值时,未加扰动的矩形柱尾流呈二维定常状态.当在柱体上游一定位置和下游靠近柱体的位置上沿垂直于来流方向施加一个宽度很小的短时脉冲射流扰动以后,扰动随时间放大,并出现旋涡脱落现象,并且这种扰动激发的旋涡脱落可以持续很长时间,不会衰减.而在下游较远处施加同样的扰动时,扰动将会衰减,不能激发出持续的旋涡脱落.数值模拟再现了上述实验结果,并且表明,当扰动强度(脉冲射流出口速度)较小时,不会出现持续的规则旋涡脱落,只有当扰动强度达到一定阈值时,旋涡脱落才能被激发.     

认知行为干预对断指再植术后康复效果的影响

目的 探讨认知行为干预对断指再植术后康复效果的影响.方法 将300例（377指）行断指再植术的患儿按护理方法的不同分为2组：治疗组（155例,203指）和对照组（145例,174指）.对照组采用常规护理.治疗组在对照组护理的基础上对患儿及家长进行认知行为干预.采用焦虑自评量表（SAS）对l2 组干预前、干预后及出院前进行焦虑评分.统计2 组的血管危象发生率及再植指成活率.结果 治疗组干预后及出院前焦虑得分均明显低于对照组（均P＜0.05）.治疗组的血管危象发生率明显低于对照组（P＜0.05）,而再植指成活率明显高于对照组（P＜0.05）.结论 对行断指再植术的患儿采用认知行为干预,不仅可以显著改善患儿的焦虑状态,而且能够有助于预防再植术后血管危象的发生,提高再植指的成活率.     

第3代半导体材料在光电器件方面的发展和应用

<正>一、第3代半导体材料概述第3代半导体材料是继第1代半导体材料和第2代半导体材料之后,近20年刚刚发展起来的新型宽禁带半导体材料。第3代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)和氮化铝(AlN)等宽禁带化合物半导体为代表,其具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及高抗辐射能力等特点,因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,在光电子领     

薄板坯连轧机机架安装调整技术

连轧机为引进德国SMS公司设备，由六架轧机组成，本文以该设备机架安装调整为主线，阐述了采用精密水准仪，经纬仪，千分杆，内径千分尺，导电测量法配合找正调整的施工方法，保证达到德方给定的技术标准，同时对设备安装定位的具体措施及处理方法进行了探讨。     

生长条件对InGaN/GaN多量子阱表面v型缺陷的影响

我们研究了生长温度、TMIn/TEGa和Ⅴ/Ⅲ比对 InGaN/GaN多量子阱表面v型缺陷的影响。当TMIn的流量从180sccm增加到200sccm,v型缺陷的密度也从2.7210¹⁸/cm² 增加到了5.2410¹⁸ /cm², v型缺陷的深度和宽度也随着TMIn流量的增加而增加。当生长温度从748℃增加到758℃, v型缺陷的密度分别是2.0510⁸/cm², 2.7210⁸/cm² 和 4.2310⁸/cm²,V型缺陷的密度随着生长温度的增加而增加。当NH3的流量从5000sccm增加到8000sccm, v型缺陷的密度分别为 6.3410¹⁸/cm², 2.7210¹⁸/cm², 4.1310¹⁸/cm²。我们在753℃, TMIn 流量为180sccm, NH3 流量为6600sccm时,得到了晶体质量最好的InGaN/GaN 多量子阱,表面平整,v型缺陷的密度也比较少。V型缺陷的深度从10nm到30nm,宽度从100nm到200nm,为了抑制v型缺陷对GaN基LEDs反向电流(IR)和静电放电 (ESD) 的影响,我们需要生长更厚的p-GaN来填充这些v型缺陷。     

高强铝合金可变转速回填式搅拌摩擦点焊温度场及接头组织性能调控

针对7B04-T74铝合金,采用可变转速回填式搅拌摩擦点焊(variable rotation speed-refill friction stir spot welding, V-RFSSW)新方法开展了数值仿真及试验研究. 结果表明,V-RFSSW温度场围绕搅拌头轴线呈圆形对称分布,焊点高温区域集中在搅拌套空腔内部. 与扎入阶段转速相同的常规回填式搅拌摩擦点焊(refill friction stir spot welding, RFSSW)相比,V-RFSSW新方法既可在扎入阶段使材料充分塑化,以保证焊点成形,同时,通过降低回填阶段搅拌头转速降低焊接峰值温度及高温停留时间,抑制组分液化的发生,避免了共晶相的生成. V-RFSSW与常规RFSSW接头显微硬度均呈“W”形分布,且扎入阶段转速相同的情况下V-RFSSW接头搅拌区平均硬度更高. 在拉剪载荷下两种接头均以“纽扣”形式发生断裂,其中V-RFSSW接头拉剪失效载荷为8835 N,高于RFSSW接头的8162 N.