半钢热加工工艺性研究

对一种成份相当于半钢的材料进行了锻造工艺的性研究，探讨锻后不同方式直接冷却下的组织性能，结果显示其组织结构性和有较大幅度的调整，可选用于不同工程需要。     

Sol-Gel法制备NiTiSMA/FC复合材料的界面结构研究

借助XRD、SEM研究了Sol-Gel法制备NiTiSMA/FC薄膜复合材料在650℃晶化退火处理后的界面结构。结果表明，陶瓷薄膜层的约束抑制了NiTiSMA基体的高温时效反应；由于NiTiSMA基体表面的高温氧化产生的TiO2过渡层，使NiTiSMA与铁电陶瓷两异质之间良好结合。     

时效析出对NiTi形状记忆合金阻尼特性的影响

用X射线衍射、DSC及DMA等方法研究了富Ni的NiTi记忆合金在600℃加热后经不同冷却方式处理后的组织结构及阻尼性能。结果表明，在600℃加热后缓冷的组织中有大量的马氏体型转变产物M与R相，材料的阻尼水平较高，且在对应M→R相变温度区出现明显低频阻尼峰。     

应力应变状态对Fe MnSi系形状记忆合金形状记忆效应的影响

借助分析计算弯曲变形下试样内部的主应力分布研究了Fe - 17Mn - 10Cr- 5Si- 4Ni合金在弯曲变形下的形变恢复特性。结果表明 ,在弯曲变形下 ,试样处于复杂的三向主应力作用状态。在小于 2 %低的弯曲变形量下 ,三向主应力中切向主应力σθ 从数值上占据主要 ,因而试样的变形主要来自于σθ 的作用结果。此时 ,变形试样内外层间存在的切向应力值差Δσθ 导致彼此间形变恢复过程的相互约束 ,从而使合金的形变恢复率不能达 10 0 %。随着弯曲变形量的增大 ,合金的变形逐渐置于三向主应力的综合作用之下 ,ε马氏体将被多取向地诱发形成且αM′的形成量越来越大 ,因而合金的形状记忆效应快速下降     

含硅钢上贝氏体组织演变特征研究

采用金相组织观察法研究了Fe-0.88C-1.35Si-1.03Cr-0.43Mn钢上贝氏体显微组织形态随相变时间而产生的变化。结果表明,380℃短时等温获得短棒状上贝氏体组织;随等温时间延长,新的上贝氏体小棒于原贝氏体棒两侧形成,上贝氏体小棒的平行排列使上贝氏体变为粗棒;随等温时间的进一步延长,粗棒状上贝氏体平行排列组合近似羽毛状;长时间等温,贝氏体碳化物析出使上贝氏体组织具有羽毛状形貌。短棒状的上贝氏体相对于羽毛状上贝氏体具有较高硬度,能够赋予材料良好的力学性能。     

弯曲变形影响Fe-17Mn-10Cr-5Si-4Ni合金应变恢复特性的力学分析

研究了弯曲变形试样的形变恢复特性并分析计算了弯曲变形试样内部的应力状态．结果表明,在弯曲变形下,试样处于复杂的三向应力作用状态．各处应力性质不仅不同,而且应力值的大小也存在变化。根据主应力状态,将试样的变形区划为内、外两区,外变形区处于一向压、二向拉应力状态;而内变形区处于三向压应力状态。此时ε马氏体被多取向地诱发形成,ε马氏体间交互作用趋势强,合金的形状记忆效应因而被降低．     

9SiCr钢的短时等温上贝氏体组织和性能

用光学和透射电子显微镜观察了９ＳｉＣｒ钢在不同时间等温后的上贝氏体形态。探讨了上贝氏体的组织形态及对性能的影响。短时等温的上贝氏体具有特殊的形态，系由不含碳化物的单相小条状贝氏体铁素体组成。随着等温时间的延长，上贝氏体呈羽毛状。特殊形态的上贝氏体具有较高的强韧性。     

应力应变状态对FeMnSi系形状记忆合金形状记忆效应的影响

借助分析计算弯曲变形试样内部的主应力分布研究了Fe-12Mn-10Cr-5Si-4Ni合金在弯曲变形下的形变恢复特性，结果表明，在弯曲变形下，试样处于复杂的三向主应力作用状态，在小于2％低的弯曲变形量下，三向主应力中切向主应力σθ从数值上占据主要，因而试样的变形主要来自于σθ的作用结果，此时，变形试样内外层间存在的切向应力值差△σθ导致彼此间形变恢复过程的相互约束，从而使合金的形变恢复率不能达100％，随着弯曲变形存在的切向应力值差△σθ导致彼此间形变恢复过程的相互约束，从而使合金的变形恢复率不能达100％。随着弯曲变形量的增大，合金的变形逐渐置于三向主应力的综合之下，ε马氏体将被多取向地诱发形成且αM′的形成量越来越大，因而合金的形状记忆效应快速下降。     

PZT基NiTi SMA/PZT复合材料的组织结构及其压电性能研究EI

采用真空直流溅射法在PZT基体上沉积NiTi SMA薄膜,再经过晶化处理而制备出PZT基NiTi SMA/PZT复合材料.使用扫描电子显微镜观察复合材料试样的表面和界面组织结构.使用ZJ-3A型准态仪、Automatic LCR Meter4225测试复合材料的压电常数d33,机电耦合系数KP1,介电损耗tgδ,以考察NiTi SMA薄膜对PZT压电性能的影响.测试结果显示复合材料的压电常数d33,机电耦合系数KP相对于PZT均有提高,而介电损耗tgδ有小幅度降低.NiTiSMA薄膜与PZT基体之间的良好的界面结合结构及界面附近存在的源自膜/基材料间晶格差异的约束应力,有利于电偶极子的定向运动,保障了PZT基体压电性能的发挥.