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41.
采用粉体表面包碳技术和两步烧结方法制备出具有良好力学性能的细晶3Y-TZP材料,研究了在无压烧结和两步烧结条件下,碳含量对碳包3Y-TZP材料烧结行为及力学性能的影响.结果表明:对于包裹少量碳的3Y-TZP,与未包碳的试样相比,采用两步烧结不但能提高材料的密度还能细化晶粒;结构致密和ZrO2相变增韧使材料具有较高的维氏硬度和断裂韧性.在碳含量为1.5%时,3Y-TZP材料的维氏硬度和断裂韧性达最大值,碳含量进一步提高使材料中的气孔和缺陷增多,导致材料的性能下降. 相似文献
42.
43.
基于不同浓度FeCl3掺杂的4,4′-N,N′-二咔唑基联苯(CBP)设计制作了一系列的单空穴有机电致发光器件(OLED),采用空间电荷限制电流法估算了具有不同浓度FeCl3掺杂的CBP的空穴迁移率,并与OLED中常用的空穴传输材料N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺(NPB)进行了比较研究。结果表明,FeCl3掺杂CBP可以极大地提高CBP薄膜的空穴迁移率,当FeCl3的浓度为12%时空穴迁移率最大,在电场强度为0.5MV/cm的条件下迁移率为4.5×10-5cm2/V·s,即使在零电场条件下迁移率依然高达2.2×10-5 cm2/V·s,近似为常用空穴传输材料NPB空穴迁移率的4倍。用CBP∶12%FeCl3做空穴传输层,制备了OLED器件,最大亮度为68468cd/m2,相对于采用NPB做空穴传输层的参比器件提高了97%,最大电流效率为31.28cd/A,比参比器件提高了23%。器件亮度和效率的提高归因于空穴传输性能的改善,使得器件中载流子的传输更为平衡,从而提高了激子形成的几率,且减少了激子-极化子之间的淬灭。 相似文献
44.
爆炸焊接钢/钢复合板接合界面微观结构分析 总被引:2,自引:2,他引:2
用HRTEM、TEM和SEM研究了 0 0Cr18Ni5Mo3Si2 16Mn爆炸接合复合板性能及接合界面微区组织结构。结果表明 ,0 0Cr18Ni5Mo3Si2 16Mn复合板强度不低于 16Mn基板的强度 ,180°扭转无裂纹出现 ;接合区形貌近似呈正弦波形 ,接合界面附近形成微细晶区 ;接合界面处的白亮带可能是严重塑性变形和绝热熔化条件下急冷形成的纳米晶结构层和非晶态组织 ;爆炸方法可望用来制备纳米晶和非晶态薄膜材料。 相似文献
45.
碳微球(CMSs)经HNO3和H2O2混酸处理后,与NaOH碱溶液进行离子化反应,考察离子化反应前后CMSs表面性质的差异;通过场发射扫描电子显微镜、元素分析等对产物的形貌和表面结构进行了分析,同时还考察了产物在不同溶剂中的溶解性差异。结果表明,HNO3和H2O2混酸处理得到的CMSs-(COOH)n与NaOH溶液进行反应后,生成大量—COONa离子基团,形成了CMSs-(COONa)n,其表层出现沟壑,在水中的分散性明显改善,亲水性显著增强;然而,NaOH对未经酸处理的CMSs修饰效果欠佳,团聚现象依然严重;由于CMSs-(COONa)n强的离子性,很难在有机溶剂中分散。 相似文献
46.
47.
采用金属有机化学气相沉积技术生长了GaN基多量子阱(MQW)蓝光发光二极管外延片,并采用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)和光致光谱仪(PL)表征晶体质量和光学性能,其他的光电性能由制成芯片后测试获得,目的是研究外延片p型AlGaN电子阻挡层Mg掺杂的优化条件.结果表明,在生长p型AlGaN电子阻挡层的Cp2Mg流量为300 cm3/min时,蓝光发光二极管获得最小正向电压VF,而且在此掺杂流量下的多量子阱蓝光发光二极管芯片发光强度明显高于其他流量的样品.因此可以通过优化AlGaN电子阻挡层的掺杂浓度,来显著提高多量子阱蓝光发光二极管的电学性能和光学性能. 相似文献
48.
49.
纳米碳洋葱是一种以C60为核心的同心多层球面套叠结构的碳分子。从结构形貌、制备方法等角度讨论纳米碳洋葱和纳米石墨微粒的区别。着重对纳米碳洋葱的形成进行分析和比较,认为纳米石墨微粒可能是先形成一定数量的壳层然后分别沿壳层向外和向内推进长大,石墨化程度具有方向性;而纳米碳洋葱是先形成C60,然后以螺旋机制生长。最后从能量角度讨论纳米碳洋葱的稳定性,并对其修饰改性、化合物嵌插以及性能方面的研究进行评述。 相似文献
50.
以工业污泥为原料,分别利用双水解和通人二氧化碳气体的方法制备Al(OH)3(胶体),在1100℃煅烧后制得α-Al2O3粉体。并通过场发射扫描电镜(FESEM)、能量发射能谱(EDS)以及X衍射仪(XRD)研究污泥原料、Al(OH),(胶体)和α-Al2O3粉体的形貌、成分和结构。结果表明:两种方法中,双水解的方法制备α—Al2O3工艺简单?产物杂质少、产量高。EDS分析结果显示:氧化铝平均纯度达98%。 相似文献