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31.
GexC1—x非均匀增透保护膜系的设计和制备 总被引:1,自引:0,他引:1
用射频磁控反应溅射法(RS)制备出GexC1-x薄膜,其折射率可以在1.7-4.0之间变化。设计出单层GexC1-x非均匀增透保护膜和含有GexC1-x非均匀膜的多层增透保护膜系,并在ZnS基片上制备出GexC1-x单层非均匀增透保护膜。设计和实验结果表明,NnS衬底上制备的非均匀膜实现了宽波段的增透,在5000-850cm^-1波数范围内,平均透过率从67.19%提高到78.70%,比未镀膜净增加11.51%。 相似文献
32.
33.
介绍了高氯化聚乙烯防腐涂料的性能特点,设计了酸处理车间墙壁的涂装体系及不同涂层的配方组成,介绍了涂装方法、工艺及注意事项等。 相似文献
34.
采用化学气相沉积(CVD)法制轩了红外晶体ZnS块材料,用氩气作为载体,反应气体为硫化氢和锌锌蒸气,XPS,IR及能谱分析表明,当沉只温度低于锌蒸发温度时,生成的ZnS中与有锌的关的晶体缺陷有Zn-H功能团及存在于花瓣状态形态中心的锌微粒夹杂,当沉积温度高于锌蒸发温度时,锌微粒夹杂消失,且随沉积温度的升高Zn-H含量减少,Zn-H对红外光在6.2μm波长处吸收峰减弱,使生成的ZnS具有高的红外透过 相似文献
35.
采用射频磁控反应溅射法,以高纯Hf为靶材、高纯O2为反应气体,成功地在p型硅衬 底上制备了高k栅介质HfO2薄膜,并对薄膜的沉积速率、成分和电学性能进行了研究.结果 表明,薄膜沉积速率随射频功率增加而增大,随O2气流量增加而减小,随溅射气压增加呈先 增大后减小的趋势.制备的薄膜中Hf和O元素的原子浓度比基本符合化学计量比.研究了薄 膜的C-V特性;获得了O2流量、射频功率及退火温度对薄膜电学性能的影响规律. 相似文献
36.
37.
38.
示温涂料的应用与发展 总被引:4,自引:0,他引:4
刘正堂 《精细与专用化学品》2004,12(21):1-3,6
简介了示温涂料的定义、分类及其发展过程。并分别从概况、应用范围、使用方法以及发展前景等几个方面讲述了国内外单变色不可逆示温涂料、多变色不可逆示温涂料和单变色不可逆示温贴片的发展情况。同时 ,还介绍了无机可逆示温涂料、有机可逆示温涂料及高分子液晶可逆示温涂料的应用及其发展 ,并通过可逆示温涂料现存的问题展望了其未来发展方向。 相似文献
39.
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了锐钛矿型TiO2的能带结构、态密度和光学性质。分析了锐钛矿型TiO2的复介电常数、复折射率、吸收系数、反射率和损失函数,计算结果与其他文献结果吻合较好。通过对比发现,由于锐钛矿型TiO2晶体结构的对称性,在(100)和(001)方向上具有明显的光学各向异性。 相似文献
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