射频磁控溅射法制备氧化镱薄膜

利用射频磁控溅射法,以高纯氧化镱(Yb2O3)为靶材,成功地制备出了Yb2O3薄膜,并对薄膜的沉积速率、成分、结构和光学性能进行了研究.结果表明,制备的薄膜中Yb和O元素结合形成了Yb2O3化合物;薄膜为具有立方结构的多晶体;在波长0.8 μm以上薄膜的折射率约为1.66,吸收很小.     

CVD金刚石的红外增透和抗氧化研究

CVD金刚石具有一系列优异的性能,红外透过率高、吸收系数低,抗热冲击、耐磨损能力强,是理想的长波红外（8μm～12μm）高速飞行器窗口和头罩材料。但是,CVD金刚石的高温氧化现象严重损害了其红外透过率。因此,CVD金刚石的红外增透、抗氧化就成为大家关注的焦点。这里介绍了目前提高CVD金刚石红外透过率的主要途径和研究进展。     

化学气相沉积法ZnS块材料的生长

本文用化学气相沉积法制备了ZnS薄膜和块材料;观察了ZnS在具有不同表面粗糙度的石墨和石英基体上的成核和长大行为;研究了沉积温度、H₂S和Zn蒸汽流量对ZnS生长速率的影响规律．     

长波红外增透保护薄膜的进展

镀膜是保证红外窗口和头罩使用性能的关键技术。重点结合作者近几年的研究,介绍了类金刚石（DLC）、碳化锗（GexC1-x）、磷化物（BP、GaP)、金刚石（Diamond）等几种薄膜材料及其膜系的光学性能。     

ZnS头罩增透保护膜系制备

利用计算机对不同运动轨迹下ZnS头罩外表面膜厚分布进行了模拟,优化出头罩的最佳运动轨迹,在该轨轨迹下采用射频磁控反应溅射（RRFS）法进行头罩镀膜,能够得到满足使用要求的薄膜厚度均匀性。实验结果表明,头罩外表面薄膜厚度不均匀性小于10％,双面镀膜后,8－11.5 μm波段平均透过率从69.6%提高到87．2％以上,透过率的不均匀性小于1．2％,满足了红外应用中对ZnS头罩的要求。     

新型高k栅介质HfSiON薄膜的制备及性能研究

为了替代传统的SiO2栅介质,利用射频反应溅射法在Si衬底上制备了新型HfSiON薄膜.研究了HfSiON薄膜的成分、结构和介电性能.由XRD图谱可知,HfSiON薄膜经900℃高温退火处理后仍为非晶态,显示出良好的熟稳定性.MOS电容的高频C-V曲线测量显示,HfSiON薄膜具有较好的介电特性,其介电常数可达到18.9,电容等效氧化层厚度为4.5 nm.I-V测量结果表明,HfSiON薄膜的漏电流密度很低,在外加偏压(Vg)为±1.5 V处的漏电流密度分别为3.5×10-7A/cm2(+1.5 V)和1.5×10-6A/cm2(-1.5 V).研究表明,HfSiON薄膜将会是一种很有希望取代SiO2的新型高k栅介质材料.     

磁控反应溅射制备GexC1-x薄膜的特殊性分析

利用射频磁控反应溅射法 ,以 Ar,CH4 为原料气体 ,在较宽的工艺参数范围内制备出了 Gex C1- x薄膜 ,用干涉法测量了薄膜的厚度 ,对 Gex C1- x薄膜的沉积速率和 Ge原子百分比进行了研究。结果表明 ,Gex C1- x薄膜的沉积速率并没有随着靶中毒后而显著下降 ,甚至略有提高 ,而且 Ge原子百分比可以任意变化 ,表现出与通常磁控反应溅射法不同的特征 ,这与靶中毒之后反应气体粒子在靶面和基片上的反应特点有关。这一结论对磁控反应溅射法制备碳化物有普遍意义。     

磁控反应溅射制备GexC1—x薄膜的结构

利用射频磁控反应溅射以Ａｒ、ＣＨ４为原料气体,在较宽的工艺参数范围内制备出了ＧｅｘＣ１－ｘ薄膜。利用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）对制备的薄膜进行了分析。结果表明,ＧｅｘＣ１－ｘ薄的结构强烈领事于制备的工艺参数。当沉积温度较低、射频功率不大时,ＧｅｘＣ１－ｘ薄膜主要为非晶态结构。随着沉积温度升高、射频功率增大,薄膜中出现Ｇｅ微晶相。ＧｅｘＣ１－ｘ薄膜中Ｇｅ与Ｃ发生电荷的转移,形成化     

合成环氧脂肪酸稀土的新工艺

研究了由环氧大豆油 (ESBO)合成环氧脂肪酸稀土的新工艺。结果表明 ,由环氧大豆油在乙醇 -水溶液中与烧碱 (Na OH)进行皂化反应 ,然后将所生成的环氧钠皂溶液与氯化稀土溶液进行复分解反应 ,可以合成得到环氧基保留完好的高纯度环氧脂肪酸稀土。皂化反应的适宜工艺条件为 :溶剂乙醇含量 (体积分数 ) 75 % ,溶剂用量2 .5 m L· (g ESBO) - 1 ,Na OH用量 3.15 m ol· (m ol ESBO) - 1 ,反应温度 5 0℃ ,反应时间 10 min;复分解反应的适宜工艺条件为 :氯化稀土用量 1mol· (mol ESBO) - 1 ,反应温度为室温 ,氯化稀土溶液加入时间 10 min,继续反应时间2 0 min     

极板负偏压对类金刚石薄膜性质的影响

用射频－直流辉光放电系统制备类金刚石薄膜，研究了极板负偏压（Ｖ）对类金刚薄膜性质的影响。结果表明，类金刚石薄膜的性质明显依赖于极板负偏压，在所研究的范围（－３００－９００Ｖ）内，随Ｖ绝对值的增加，薄膜的折射率，消光系数，生长速率，及硬度增加，电阻率下降，Ｖ的变化使膜中Ｈ一及ｓｐ＾３／ｓｐ＾２的比例发生变化，从而使膜的性质发生变化。