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61.
通过分析比较低压化学气相合成金刚石薄膜的大量试验方法及规律,认为非平衡条件下金刚石微晶形核篚具备三个宏观条件:1)馈入足够高的能量;2)衬底表面应形成大的能量梯度;3)气氛中应含超平衡浓度的刻蚀剂,以有效的抑制非金刚石碳相的生长。 相似文献
62.
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了锐钛矿型TiO2的能带结构、态密度和光学性质。分析了锐钛矿型TiO2的复介电常数、复折射率、吸收系数、反射率和损失函数,计算结果与其他文献结果吻合较好。通过对比发现,由于锐钛矿型TiO2晶体结构的对称性,在(100)和(001)方向上具有明显的光学各向异性。 相似文献
63.
采用射频磁控反应溅射法,以高纯Hf为靶材、高纯O2为反应气体,成功地在p型硅衬 底上制备了高k栅介质HfO2薄膜,并对薄膜的沉积速率、成分和电学性能进行了研究.结果 表明,薄膜沉积速率随射频功率增加而增大,随O2气流量增加而减小,随溅射气压增加呈先 增大后减小的趋势.制备的薄膜中Hf和O元素的原子浓度比基本符合化学计量比.研究了薄 膜的C-V特性;获得了O2流量、射频功率及退火温度对薄膜电学性能的影响规律. 相似文献
64.
8~14μm长波红外头罩材料 总被引:2,自引:0,他引:2
对比各种红外光学材料的性能认为,多晶ZnS是综合性能优良的8~14μm长波红外头罩材料,概述了ZnS的制备工艺及其改进。 相似文献
65.
采用射频辉光放电等离子体壳层模型和蒙特卡罗法 ,模拟了射频磁控溅射镀膜中工作气体离子 (Ar+)的输运过程 ,得到了离子到达靶面时的入射能量、角度和位置。模拟结果 :对靶材溅射的离子主要来自于溅射坑上方的等离子体区域 ,初始离子的位置分布可通过靶材溅射坑的形貌拟合得到 ;离子的能量主要集中在壳层电压附近 ,离子大多数以垂直入射。模拟与实际相符 ,可用作进一步模拟离子对靶材溅射时的输入参数。 相似文献
66.
CVD法制备ZnS的生长率均匀性研究 总被引:7,自引:0,他引:7
采用化学气相沉积(CVD)法制备ZnS块状多晶红外窗口材料,试验通过发迹炉内压力、增加Ar气稀释量以及改变H2S进气位置来研究沉积速率的均匀性。试验结果表明,炉内压力降低和增大Ar气稀释量,可提高晶体在衬底上的沉积速率均匀性,但沉积速率下降。改H2S进气位置,有效地改善了H2S气体的均匀分布,可提高沉积速率的均匀性,同时也提高沉积速率,交对显微组织和红外光谱性能进行了观察测试。 相似文献
67.
介绍了角膜接触镜材料从硅氧烷聚合物、硅氧烷大分子聚合物到硅氧烷水凝胶的发展历程,着重介绍了几种聚硅氧烷高透氧性角膜接触镜的发展状况,指明了角膜接触镜材料的发展趋势. 相似文献
68.
69.
联合检测是TDSCDMA系统的关键技术之一。而影响该技术复杂度的主要因素是矩阵求逆算法的设计。文章结合TD SCDMA系统的特性,并灵活应用块循环矩阵的性质,给出了一种基于改进的Block FFT算法的联合检测矩阵求逆算法。仿真结果表明,该算法与常用的Cholesky算法、近似Cholesky算法相比,时间复杂度和空间复杂度较后两者明显降低,从而提高了该算法的工程实现性。 相似文献
70.
采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了立方SrZrO3的电子结构和光学性质。计算结果表明立方SrZrO3为间接带隙钙钛矿型复合氧化物,计算得到的最小带隙为3.33eV。计算并分析了立方SrZrO3的复介电函数、复折射率、吸收系数、反射率、损失函数和光电导率,计算得到静态介电常数为3.40,折射率为1.86,吸收系数的最大峰值为468431.8cm1,反射峰的最大值为0.472,理论计算结果与其他文献结果基本一致,并利用分子轨道理论解释了立方SrZrO3电子结构和光学性质之间的关系,这为立方SrZrO3的应用提供了理论参考数据。 相似文献