Cmcm空间群斜方SrHfO3的电子结构和光学性质理论计算

采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法,计算了Cmcm空间群斜方SrHfO3的电子结构和光学性质。计算得到的Cmcm斜方SrHfO3的平衡晶格常数均与实验值相近。同时,计算得到了Cmcm斜方SrHfO3的能带结构、态密度和电荷密度,其结果表明斜方SrHfO3属于直接带隙氧化物,Hf和O之间主要是共价键结合而Sr和O之间主要呈现离子键特性。计算还得到了斜方SrHfO3的复介电函数、折射率和消光系数等,且复介电函数的实部与虚部都与实验结果接近。     

有机硅改性共聚物水凝胶接触镜材料的合成与性能研究

以N-乙烯基吡咯烷酮(NVP)、甲基丙烯酸羟乙酯(HEMA)以及γ-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷(KH570)为原料单体,N,N’-亚甲基双丙烯酰胺(NMBA)为交联剂,偶氮二异丁氰(AIBN)为引发剂,采用本体聚合法制备有机硅改性共聚物水凝胶接触镜材料,并研究了材料拉伸强度的影响因素。结果表明,所得材料的折光度为1．51,透光率达99%以上;有机硅的引入能显著提高材料的拉伸强度,NVP含量的增加使材料的拉伸强度下降。     

软膜紫外光固化纳米压印中Amonil光刻胶的刻蚀参数优化(英文)

报道了反应离子刻蚀转移图形过程中对Amonil光刻胶的刻蚀参数优化的结果.利用软膜紫外光固化纳米压印技术,首先制备了线宽/间距均为200 nm的纳米光栅结构.然后采用反应离子刻蚀的方法去除残留的Amonil光刻胶.研究了不同的气体组成、射频功率、压强和气体流量对刻蚀形貌、表面粗糙度以及刻蚀速度的影响.在优化的工艺条件下,获得了理想的具有垂直侧壁形貌和较小表面粗糙度的纳米光栅阵列.结果表明,选择优化的刻蚀工艺参数,既能有效地改善图形转移的性能,同时也能提高所制备结构的光学应用特性.     

磁控反应浅射制备GexC1—x薄膜的特殊性分析

利用射频磁控反应溅射法，以Ar,CH4为原料气体，在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜，用于涉法测量了薄膜的厚度，对GexC1-x薄膜的沉积速率和Ge原子百分比进行了研究。结果表明，GexC1-x薄膜的沉积速率并没有随着靶中毒后而显著下降，甚至略的提高，而且Ge原子百分比可以任意变化，表现出与通常磁控反应溅射法不同的特征，这与靶中毒之后反应气体粒子在靶面和基片上的反应特点有关。这一结论对磁控反应溅射法制备磁化物有普遍意义。     

环氧改性有机硅树脂的应用研究

以不同环氧改性有机硅树脂作为基料树脂,研究了不同树脂对漆膜性能的影响;通过选用不同固化体系对漆膜机械性能和耐热性做了比较;同时研究了环氧改性有机硅树脂与有机硅树脂的混溶性及影响;分别研究了该树脂配制的底、中、面涂层的常规性能及复合涂层的机械性能。同时对不同固化剂的影响和不同树脂的影响做了TG和DSC分析,结果表明,环氧改性有机硅树脂耐温性能较环氧树脂有较明显的提高,基本可用于高温涂料;环氧改性有机硅树脂可与纯有机硅树脂复配,有望形成具有更高耐温性能的涂膜。并且可通过复合固化剂的选用达到更佳的耐温性能和较好的物理机械性能。     

Effects of Electrodes on the Filament Formation in HfO2- Based Resistive Random Access Memory

研究了Cu/HfO2/ITO和TiN/HfO2/ITO 2种结构阻变存储器件的电阻转变特性。2种结构均表现出稳定的、可重复的双极电阻转变行为。Cu/HfO2/ITO器件的电阻转变机制是Cu导电细丝的形成,而对于TiN/HfO2/ITO器件,在TiN顶电极和HfO2薄膜中会形成界面层,因此氧空位导电细丝的形成与断裂,是其主要的电阻转变机制。     

车载式机动雷达间歇关机对反辐射导弹命中精度的影响

为提高雷达机动作战时的生存能力,研究了车载式机动雷达采取间歇关机战术时对反辐射导弹攻击命中概率的影响。根据影响反辐射导弹命中精度的主要误差源,建立了车载式机动雷达在不采取和采取间歇关机战术时反辐射导弹对雷达命中误差的数学仿真模型,仿真结果反映了车载式机动雷达关开机时间比、开机时间值以及反辐射导弹自身参数对反辐射导弹命中概率的影响,并通过分析表明车载式雷达机动作战时选取恰当的关开机时间比值可以极大地降低反辐射导弹的命中精度,提高雷达的生存概率。     

Preparation and performance of broadband antireflective sub-wavelength structures on Ge substrate

Sub-wavelength structures(SWS) were prepared on Ge substrates through photolithography and reactive ion etching(RIE) technology for broadband antireflective purposes in the long wave infrared(LWIR) waveband of 8-12 μm.Topography of the etched patterns was observed using high resolution optical microscope and atomic force microscope(AFM).Infrared transmission performance of the SWS was investigated by Fourier transform infrared(FTIR) spectrometer.Results show that the etched patterns were of high uniformity ...     

Cu/Ag导电薄膜与高阻CdZnTe的接触性能研究

采用射频磁控溅射法在高阻Cd0.9Zn0.1Te上制备了Cu/Ag导电薄膜,通过测量I-V曲线来评价接触性能。讨论了溅射功率和衬底温度对接触性能的影响,结果表明在两种不同功率下制备的薄膜不经过热处理已具有良好的欧姆接触性能,随着衬底温度的升高欧姆接触性能有所下降。通过对衬底的表面处理降低了表面漏电流。对试样进行退火处理使接触性能有所改善,退火温度在300℃时的接触性能要好于420℃。利用红外透过率来验证了退火温度范围及所选择加热衬底温度对高阻Cd0.9Zn0.1Te衬底没有影响。     

提高蓝宝石高温强度和红外透过率的镀膜法研究

采用射频磁控反应溅射法,以高纯Si为靶材,高纯O2和N2气为反应气体,在蓝宝石衬底上制备了氧化硅和氮化硅薄膜。讨论了N2气流量、射频功率、溅射气压和靶基距等工艺参数对Si3N4薄膜沉积速率的影响规律。结果表明:随N2气流量的增加,沉积速率先降低,最后趋于稳定;随射频功率增加,沉积速率增加;随溅射气压和靶基距增加,沉积速率先增后减。同时,高温强度试验和FTIR测试结果表明:在800℃时,镀膜后蓝宝石的弯曲强度比镀膜前提高了50.2%;平均透过率净增加8%以上,达到了很好的增透保护效果。