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81.
采用射频磁控溅射法以Y2O3陶瓷为靶材在单晶si(Ⅲ)和石英表面制备了Y2O3薄膜.利用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见(UV-VIS)光谱仪和傅立叶变换红外(FTIR)光谱仪对真空退火前后Y2O3薄膜的结构和光学性质进行了分析研究.结构研究表明,在200℃条件下制备的Y2O3薄膜为非晶态,经600℃退火后出现单斜相,经800℃退火后薄膜完全转化为立方多晶,同时得到了不同晶面的晶粒尺寸;沉积态的Y2O3薄膜由球状颗粒排列组成,经800℃真空退火后薄膜为柱状晶.光学性质研究发现,真空退火后Y2O3薄膜的红外透过率显著下降;使用Tauc作图法得到不同结晶条件下的光学带隙,发现薄膜的光学带隙与结晶条件有关,并且退火后薄膜的光学带隙明显减小. 相似文献
82.
83.
射频功率对Cu/Ag导电薄膜结构和性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频磁控溅射工艺以Cu/Ag合金为靶材在高阻半导体Cd1-xZnxTe上制备导电薄膜。系统地研究了溅射功率对沉积速率、薄膜电阻率、组织形貌及接触性能的影响。结果表明,沉积速率随溅射功率的增加呈线性增加,薄膜电阻率随功率增大而增大。电流-电压关系(I—U)测试表明在高阻Cd1-xZnxTe上溅射Cu/Ag薄膜后不经热处理已具有良好的欧姆接触性,溅射功率为100W时的接触性能好于功率40W时的接触性能。 相似文献
84.
制备中远红外用ZnS体材料的新方法 总被引:3,自引:1,他引:3
制备中远红外用ZnS体材料的新方法憨勇,刘正堂,张贵锋,郑修麟ZnS是一种用途广泛的宽带隙半导体光学材料,可用于制备大功率红外激光器窗口[l]及红外吊舱、高速飞行器红外窗口和整流罩[2,3]。ZnS的制备可采用热压(HP)法和化学气相沉积(CVD)法... 相似文献
85.
采用原子层沉积方法(ALD)分别以H2O、H2O2和O3为氧源制备ZnO薄膜,研究不同氧源对ZnO薄膜生长速率、成分、晶体结构及电学性能的影响.结果表明,采用不同氧源均能实现ZnO薄膜的ALD自限制生长,所制备ZnO薄膜均具有垂直于衬底表面的c轴择优取向.与采用H2O2和H2O为氧源制备的ZnO薄膜相比,XRD和XPS测试证实O3为氧源制备薄膜的晶体质量和Zn/O原子较高;相应的Hall测试表明其电阻率最低为0.053 Ω·cm,此时载流子浓度为4.8×1018 cm-3,Hall迁移率为24.5 cm2/Vs. 相似文献
86.
红外墙透保护膜系软件设计及应用 总被引:4,自引:0,他引:4
根据制备红外增透保护膜系需要,编制了一个红外增透保护膜系软件。该软件可以设计、计算多层红外均匀增透保护膜系和非均匀增透保护膜系,更有强大多层膜系结构分析功能,不仅可以对设计的膜系进行综合评价,而且能对制备的膜系结构进行分析。实验结果表明,该软件对膜系设计和为制备工艺的改进能提供良好的指导。 相似文献
87.
88.
89.
采用射频磁控反应溅射法在蓝宝石和硅衬底上制备出Si3N4薄膜。利用XPS和FTIR分析了所制备薄膜的成分和结构,讨论了工艺参数对沉积速率的影响。结果表明,Si3N4薄膜的沉积速率随溅射气压的增大出现先增后减的趋势,衬底温度对沉积速率没有明显的影响。溅射气压的降低、衬底温度的提高将有利于获得高质量的Si3N4薄膜。 相似文献
90.
为了获得具有金字塔结构的二维亚波长结构表面,提高其高宽比,用掩模曝光光刻及反应离子刻蚀技术,以SF6和O2为反应气体,在Ge衬底上制备了二维亚波长结构.用扫描电镜对刻蚀图形的形貌进行了观察,研究了功率、气压、气体流量及掩模图形对刻蚀图形的影响.结果表明:刻蚀图形腰部被优先刻蚀,形成凹陷的侧壁轮廓;O2流量增大有利于在侧壁形成保护层,从而减小腰部刻蚀、增大顶部及根部刻蚀;功率及气压过大或过小均会使侧壁刻蚀较大;方形图案比圆形图案掩模更有利于刻蚀出深度较大的亚波长结构. 相似文献