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高可用性集群是在系统出现故障时仍能提供服务的解决途径,但采用什么样的拓扑结构是一个关键问题.在分析了网络互连的几种常用拓扑结构的基础上,对超树结构进行了改进,提出了X-超树,并对它的高可用性和可靠性进行了分析,结果证明X-超树具有比超树更高的可用性和可靠性. 相似文献
72.
网页制作是当前计算机技术应用中非常热门的一个学科,几乎占据了大部分的计算机技术课程,然而在实际教学中,网页制作课程的教学效率却不甚理想。尽管各大院校都开设了网页制作课程,如何提高教学效率,却成为推广该课程道路上的一块绊脚石。广大教师一直在努力探索一种更加有效的教学方法来充分激发学生的积极性,使学生主动参与到教学环节当中,从根本上来提高课堂效率。结合实际情况来看,任务驱动教学法是目前最符合要求的教学手段,相信随着该教学法的推广普及,会逐渐呈现出更加理想的教学效果。 相似文献
73.
74.
75.
磁能恢复开关MERS(magnetic energy recovery switch)是一种新型的无功补偿装置,它相较于其他无功补偿装置,具有结构简单、易于控制和损耗低等诸多优点,但在进行无功功率补偿的过程中会产生谐波电流。首先,在对MERS的结构和控制方法阐述的基础上建立了三相对称系统中SVC-MERS的数学模型,讨论分析了控制参数对三相对称系统中线电流谐波特性的影响;进而提出了控制参数的优化设计方法。仿真和实验结果表明,通过控制参数的优化设计可以有效地减小三相对称系统中线电流的谐波含量,所提控制参数的优化设计方法是可行的。 相似文献
76.
多功能显示器的总体设计方案,从硬件平台设计、可靠性设计、安全性设计、维修性设计、舒适性设计、环境适应性设计多方面综合设计. 相似文献
77.
本文报道了水热反应条件对BaTiO3纳米晶形成的影响,尤其是其原子尺度的表面结构。研究结果表明,Ba/Ti摩尔比较大的前驱体溶液中,易获得立方状大尺寸(~260nm)的BaTiO3纳米晶体;而采用乙二醇作为水热反应介质,可获得小尺寸弱圉聚的BaTiO3纳米晶(与纯水溶液或水-乙二醇的混合液相比较)。立方状或长方体状的BaTiO3纳米晶外表面被{100}晶面所包围,{110}晶面条纹与纳米晶体的边界相交呈45°角。在粗糙的BaTiO3纳米晶表面,常可观察到台面台阶扭折(terrace—ledge—kink)的表面结构,台面(terrace)和台阶(1edge)位于{100}晶面。由于表面结构的重构,{110}晶面通常被分解成由许多小的{100}晶面相连接而成的扭折结构。而在球状的BaTiO3纳米晶边缘,没有观察到表面台阶结构。 相似文献
78.
本文利用透射电子显微术(TEM)对
SrBi2Ta2O9 (SBT) 材料(单晶、陶瓷及薄膜)的微结构进行了研究. 在(001)取向的SBT单晶材料及多晶陶瓷中观察到90°铁电畴结构.在SBT晶体中观察到大量的条带状四度反相畴界结构和少量的三度反相畴界结构,利用TaO6氧八面体的扭转和四态自旋结构模型,对反相畴界结构的实验观测结果进行了解释.在(001)取向的SBT铁电薄膜中,观察到小角晶界(倾角为8
2°)的位错分解现象,导致不全位错和层错的出现.利用平衡状态下两个不全位错之间的排斥力等于层错的吸引力,估算了小角晶界处的层错能量,大小为0
27~0 29 J/m2.小角晶界位错的分解对(001)取向的SBT铁电薄膜漏电流及耐疲劳特性具有重要的影响. 相似文献
79.
在中国古代度量衡和时间计量中,测量数值的精细度,达到了超出今人想象的水平。早在战国时,楚国、赵国使用的木衡铜环权小天平,其最小称重值精细到1∕4~1∕3铢,相当于现在的150毫克~200毫克;北宋沈括漏刻的计时精确度,则高达每昼夜误差小于10秒的程度;而且古人总结出获得精细单位量的方法上升到了理论:“体有长短,检之以度,则不失毫厘;物有多少,受之以器,则不失圭撮;量有轻重,平之以权衡,则不失黍丝(累)”(《隋书·律历志》),即应用精密的度量衡器具,可以测量出“毫厘”、“圭撮”、“黍累”很小的单位量,获得准确的测量结果;在实践中,古人甚… 相似文献
80.
高介电常数的栅极电介质LaAlO3薄膜的性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在室温下,采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备了具有高介电常数的LaAlO3薄膜,这是一种新的栅极电介质材料.在高纯O2中经过15min650℃的高温退火后LaAlO3薄膜仍然不晶化,这种热稳定性有利于减小薄膜的漏电流.本工作研究了LaAlO3薄膜的介电性能,其电容等效氧化物厚度为2.33nm,在外加偏压±1V处的漏电流很低,分别为3.73mA/cm2(+1V处)和5.32×10-4mA/cm2(-1V处),两者相差四个数量级.此结果表明,Pt/LaAlO3/Si结构具有良好的单向导电性能. C-V曲线的滞后电压VH=0.09V,界面态密度的值约为8.35×1011cm-2.研究结果表明,在今后的半导体器件的甚大规模集成(ULSI)中,具有高介电常数的LaAlO3薄膜将会是一种极有希望的栅极电介质材料. 相似文献