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61.
Cu(In,Al)Se2(CIAS)化合物薄膜太阳电池属于Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族化合物薄膜太阳电池,由同族的Al来替代CuInSe2(CIS)中的In,及Cu(In,Ga)Se2(CIGS)中的Ga和In。具有黄铜矿结构的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2族化合物半导体材料可作为吸收层用于光伏电池。用渗入CIS中得到具有黄铜矿结构的CIGS,并且可根据Ga/(In+Ga)调节禁带宽度提高转化效率,但Ga的掺入调节禁带宽有限。以Al替代Ga,不仅可大幅降低成本,同时由于形成CuAlSe2相的能隙为2.7eV,因此调节Al/(In+Al)的比例可更宽泛地调节Cu(In,Al)Se2(CIAS)能禁带宽度。目前CIAS制备工艺以真空镀膜方法为主,包括真空蒸镀、磁控溅射、脉冲激光等。在非真空方法中,研究者们尝试了电沉积的方法成功制得单相的CIAS吸收层薄膜,而用如丝网印刷等低成本工艺CIAS薄膜尝试还少见报导。本文详细介绍了CIAS制备方法及工艺,并提出CIAS研究的一些建议。 相似文献
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Based on the revised reduction models of the 14 low carbon ICT solutions from Chongqing Mobile of the China Mobile Group, the CO2e emission reduction brought about by low carbon ICTs of the wireless telecom sector of Chongqing Mobile, the entire China Mobile Group and the whole China in 2009 is calculated. And then the CO2e emission reduction potentials in 2010, 2020 and 2030 are calculated in four main important fields of China, i.e., intelligent transportation, dematerialization, smart work and smart appliances. The ICTs in the telecom sector are mostly dedicated to these fields. It provides a valuable insight into future reduction targets that should be set up for China. 相似文献
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介绍了一种能够同时实现高效率发电和低能耗分离CO2的新颖电站锅炉燃烧方式—化学链燃烧(chemicalloopingcombustion,CLS),并基于徐州利国铁矿矿石制备铁基载氧体,以CH4为还原性气体进行了热重实验(thermogravimetric analysis,TGA),并针对TGA曲线数据进行了化学动力学分析。分析结果表明,温度是影响载氧体还原程度的重要因素,温度升高导致还原速率加快、还原程度加深。还原反应过程在450~700℃温度段由扩散控制的Valensi方程模型控制,而在850~1050℃温度段则由收缩球体模型控制,并依据模型分别计算出了相应模型的活化能和频率因子,为CLC应用于电力生产领域提供了理论指导。 相似文献
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65.
66.
在传统场效应晶体管的基础上,针对SB-MOSFET对金属功函数敏感的问题,设计了势垒高度对SB-MOSFET性能影响的实验并加以验证。实验中通过调整金属功函数、金属费米能级与半导体钉扎位置,实现势垒高度的改变。通过器件模拟和电学特性仿真,验证了势垒高度对器件转移特性的影响,并通过能带和电子浓度仿真对实验结论展开分析。实验表明,势垒高度增大,正向导通电流变小,反向泄漏电流不变,在此结论基础上进一步探讨SB-MOSFET避免离子注入等问题,有助于提高界面态质量,为MOSFET研究和大规模器件开发提供了新思路。 相似文献
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以虚拟现实技术设计变电站可视化巡检培训系统,设计培训系统整体框架,基于三维虚拟场景建模技术进行变电站三维模型构建,实现变电站可视化,以交互式、体验式等特性为操作员工提供良好的虚拟实践训练场景,同时以变电站环境与运行流程模拟仿真,促使操作员工熟悉实际现场环境,牢记操作流程与方法,处理模拟故障,以真实的带电作业实践操作体验,提高巡检培训效率与质量。 相似文献