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We propose the action mechanism of Cu chemical mechanical planarization(CMP) in an alkaline solution.Meanwhile,the effect of abrasive mass fraction on the copper removal rate and within wafer non-uniformity(WIWNU) have been researched.In addition,we have also investigated the synergistic effect between the applied pressure and the FA/O chelating agent on the copper removal rate and WIWNU in the CMP process.Based on the experimental results,we chose several concentrations of the FA/O chelating agent,which added in the slurry can obtain a relatively high removal rate and a low WIWNU after polishing,to investigate the planarization performance of the copper slurry under different applied pressure conditions.The results demonstrate that the copper removal rate can reach 6125 °/min when the abrasive concentration is 3 wt.%.From the planarization experimental results,we can see that the residual step height is 562 ° after excessive copper of the wafer surface is eliminated.It denotes that a good polishing result is acquired when the FA/O chelating agent concentration and applied pressure are fixed at 3 vol% and 1 psi,respectively.All the results set forth here are very valuable for the research and development of alkaline slurry. 相似文献
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基于静态贝叶斯博弈的蠕虫攻防策略绩效评估 总被引:1,自引:0,他引:1
现有蠕虫攻击策略(防护策略)评估方法没有考虑防护策略(攻击策略)变化对攻击策略(防护策略)绩效评估的影响,且防护策略评估忽视了策略实施成本.针对这种情况,构建了基于静态贝叶斯博弈的绩效评估模型(performance evaluation model based on static Bayesian game,简称PEM-SBG)以及对抗情形下的蠕虫攻防策略绩效评估方法.在模型PEM-SBG基础上提出的基于灰色多属性理论的防护策略绩效评估方法,综合考虑了成本类和收益类的多个评估属性,有助于提高评估过程的全面性.针对典型的蠕虫攻防场景.利用仿真工具SSFNet进行了模拟实验,验证了所提出的模型和方法的有效性. 相似文献
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介绍化学机械抛光技术的重要性,找出影响其性能的关键冈素即为研磨料。然后对常用的研磨料种类做概要论述,找出其优缺点。并在前人研究的基础上研制出更具优势的抛光研磨料,详细介绍其特点及使用条件,另对它的使用效果进行了简要说明。 相似文献
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燃油管道式烘丝机检测系统燃油消耗问题的改进 总被引:3,自引:2,他引:1
HXD(燃油管道式烘丝机)在实际应用中存在油耗较大问题,主要原因:①混合风温度检测头受模拟水影响检测失真;②设备检测参数少,燃烧器难以调整到最佳状态;③料头含水率偏高.为此,对燃油烘丝机检测系统进行了改进,在温度传感器前安装"V"型导流板,以阻隔模拟水直接喷射到温度传感器上:加装了油料消耗流量计和尾气温度检测装置;修改了料头处理程序.改进后应用结果表明,烟丝出口含水率合格率由改进前的96.58%提高到98.7%,设备预热时间由50.2 min降低至38.8 min,年平均油耗由2.64 L/100 kg下降到2.41 L/100 kg,满足了工艺加工要求,降低了油料消耗. 相似文献
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随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化(CMP)须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下,铜的腐蚀速率较低仅为2nm/min。在低压10.34kPa时,铜的平均去除速率可达633.3nm/min,片内非均匀性(WIWNU)为2.44%。平坦化效率较高,8层铜布线平坦化结果表明,60s即可消去约794.6nm的高低差,且抛光后表面粗糙度低(0.178nm),表面状态好,结果表明此抛光液可用于多层铜布线的平坦化。 相似文献