某些贵金属合金的高阻与组元晶体结构的关系

通常把电阻率接近或超过100μΩ·cm的合金称作高阻合金。高阻是高精度线绕电位计及类似装置上绕组材料的关键指标之一,也是高要求应变材料和电热材料等的一项重要指标。因此,人们对高阻成因的研究兴趣越来越浓,以求更自由地设计和利用高阻材料。作者通过现有金基和钯基高阻合金的统计分析,发现合金的高阻与组元晶体结构有关。而且这个结论在现有金钯基和铂基高阻合金中也得到证实。对此做了解释。并预言了一些高阻合金。     

电子元件中的金—新的研究成果

电气电子工程师协会电子元件会议,设立了专题讨论会,对于现代电子元件的基本状况、元件与材料特性,连接与制造工艺等各个方面进行了讨论。1982年5月10—12日,在圣地亚哥会议上,有一论题进行了反复讨论,其注意力都集中于金在连接器、熔焊和钎焊互连中的耐磨损性能。本文重点介绍这方面的成果。     

金饰品的若干数据集锦

金合金具有优异的化学和物理性能,在货币、饰品、牙科和仪表等工业部门应用广泛,对其性能的深入研究日益深刻。但有关资料比较分散,使用不便。自1980年以来,瑞士《Aurum》杂志连续以巨大篇幅发表了首饰工业中广泛应用的金合金数据。这些数据不仅对饰品合金的研究、制造和使用者有重大意义,而且对于货币、牙科和仪表等     

环境气氛对贵金属接触材料接触电阻的影响

提出接触电阻的分类,并着重介绍国内外许多关于有机、氧化、含硫、盐雾和混合等模拟气氛对贵金属接触电阻的影响,还归纳了减轻这种影响的若干措施。     

1980年的电接触体

以最低的成本获得最佳性能的电接触体的发展趋势加速了金电接触体的研究进程。本评论是从1980年的三个学术会议引出的结论。这三个学术会议即 1.布达佩斯的国际电接触现象会议; 2.芝加哥的霍尔姆电接体会议; 3.电子学连接器研究学会在费城召开的年会。 今年,许多刊物为了更好地认识金在电接触体上的作用,以及这种金属的使用效果,发表了许多这方面的文章。希望找到降低耗金量的方法。有人提出用其它金属材料制作电子接插件和仪表滑环。可借,这些材料都比不上金那独一无二的性能,即低的接触电阻和良好的     

一九八四年的电接触体

金电接触体的研究是最近两次国际会议上数篇有关文章的主题,会议是1984年11月在芝加哥同时举行的十二届国际电接触现象会议和三十届Holm电接触会议。滑动磨损和腐蚀膜在金表面上蔓延方面的新发现说明,镀金表面的最佳性能应该通过控制电镀工艺、提高接触体的设计水平和改善实验室环境试验的方法来实现。     

Ag—W、Ag—WC和Ag—Mo电触头的比较

这三种电触头具有相同的组成、制造工艺和类似的结构。它们的体积百分地均是:50∶50,都采用压结—烧结—熔浸工艺,于是具有类似的显微结构。比较它们的热物理学、力学和电学性能发现,硬度、电导率和热膨胀系数都与难熔性能成正比。毫伏为单位的接触电位降,Ag—W 最大,其后是 Ag—Mo 和 Ag—WC。开关试验寿命最长的是     

介绍一种银稀土合金电接触材料

电接触材料是电器开关的关键材料。繁多的电器接触材料中,由于银具有优良的导电、导热和加工性能,因而,用得非常广泛。耗银量相当惊人。鉴于资源不足和纯银材料的某些弊病,研究和探索节银电接触材料,历来是人们关注的课题。银稀土合金电接触材料既可以制成匀质丝材、带树或铆钉触头,又可以与铜或铜合金进行双面、     

贵金属合金的高阻与组元晶体结构的关系

高电阻率是高精度线绕电位计和类似装置上绕阻材料的关键指标之一,也是应变材料和高要求电热材料的重要指标。尽管这些材料对人们的吸引力越来越大,然而,它的设计和别的许多合金一样,至今仍处在实验方法的阶段。为了把它推进到更高级的阶段,作者通过现有金基和把基高阻合金的统计分析,发现它们的高阻均与合金化组元的晶体结构有关。并在现有金把基和泊基等高阻合金中得列验证,作了一些解释。还顶计了一些可能即将出现的新型贵金属高阻合金。并指出,上述结论对贱金属为基的现有高阻合金也适用。     

一种预测银基合金固溶度的新方法

据 J.A.Alonso 等人报道,由于固溶度对合金的电学、磁学和热学等性能都有明显的影响,因此有许多学者致力于合金固溶度的预测。休姆—罗瑟里总结了银基等合金固溶度的数据后,首次提出尺寸规律。他指出,要想得到不可忽略的固溶度,溶质与溶剂原子的半径差务必不超过15%。L.S.Darken 和 R.W.Gurry 又加上第二个参数——电负性。他俩以电负性和原子半径为座标,溶剂和每一个溶质元素在图中都用电负性和原