排序方式: 共有36条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
采用铜箔/90W-5Ni-5Co(质量分数,%)混合粉末/镍箔复合中间层,在加压5 MPa、连接温度1120℃、保温60 min的工艺条件下,对纯钨(W)和0Cr13Al钢进行了连接。利用SEM、EDS、电子万能试验机及水淬热震实验等手段研究了接头的微观组织、成分分布、断口特征、力学性能及抗热震性能。结果表明,连接接头由钨母材、Cu-Ni-Co合金层、钨基高密度合金层、镍层、钢母材5部分组成。接头中的钨基高密度合金层由90W-5Ni-5Co混合粉末固相烧结生成,其Ni-Co粘结相和钨颗粒相冶金结合且分布均匀。钨基高密度合金层与钨母材以瞬间液相扩散连接机制实现了良好结合。接头剪切强度达到286 MPa,断裂均发生在钨基高密度合金层/镍层结合区域,断口形貌呈现为韧性断裂。经过60次700℃至室温的水淬热震测试,接头无裂纹出现。 相似文献
12.
采用Gleeble—3800热模拟试验机对T92钢进行不同峰值温度的焊接热循环试验,并对试验试样进行室温冲击韧性试验.借助光学显微镜分析其微观组织,用扫描电镜观察其冲击试样断口形貌特征.结果表明,T92钢焊接加热温度在900℃以上易因奥氏体晶粒粗大导致其组织脆化,断口呈现典型的准解理形貌特征,而在900℃以下的焊接加热仍能保持较好的室温冲击韧性,断口呈现均匀细小的韧窝断口特征;T92钢中高含量的强碳、氮化物形成元素高温状态重新固溶后,在奥氏体中的扩散速度滞后于晶界的迁移速度,进而产生过饱和的室温组织是引起组织脆化的直接原因. 相似文献
13.
14.
15.
采用Ti/Cu/Ti中间层在l273K、180min的条件下,改变Ti箔厚度进行Si3N4陶瓷的部分瞬间液相(PTLP)连接,讨论Ti箔厚度对界面结构及连接接头强度的影响,用扫描电镜、电子探针对连接界面区域进行了分析。结果表明,在试验范围内,Ti箔厚度为10μm时Si3N4/Ti/Cu/Ti/Si3N4接头的室温强度最高,为210MPa。PTLP连接时,当连接温度和时间不变,且连接时间能保证等温凝固过程充分进行的条件下,Si3N4/Ti/Cu/Ti/Si3N4连接界面结构、反应层厚度、等温凝固层厚度随着Ti箔厚度改变而改变。 相似文献
16.
多孔陶瓷的显微结构与性能 总被引:1,自引:0,他引:1
综述了多孔陶瓷的显微结构及其性能.多孔陶瓷的力学性能、热性能和电性能等均依赖于固体在孔壁和孔棱的分布方式,其微观组织结构直接影响着多孔陶瓷的物理及化学性能,进而影响到它的应用场合.通过研究多孔陶瓷的显微结构,可以改善其制造工艺、优化结构参数,使其更好地在化工、能源、环保等多个领域得到广泛应用. 相似文献
17.
变形镁合金TIG焊接头组织和力学性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用TIG焊、使用与母材同质的焊丝对4.6mm厚的AZ31B变形镁合金进行焊接,利用金相显微镜、扫描电镜、显微硬度计、电子拉伸试验机等手段对焊接接头的显微组织、元素分布、断口形貌、接头硬度和强度等进行了分析.结果表明:焊缝区为细小的等轴晶,组织为α-Mg固溶体和网状分布的B-Mg17Al12金属间化合物;接头硬度分布不均匀,焊缝区最高,热影响区最低;焊缝区Mg元素烧损,Al含量较高;接头抗拉强度达到220MPa,是母材的93%,断裂发生在热影响区,断口形貌为韧-脆混合断裂. 相似文献
18.
Dynamics in partial transient liquid phase bonding ( PTLP bonding) of Si3N4 ceramic with Ti/Cu/Ti multiinterlayer was systematically studied through micro-analysis of joint interfaces. The results show that growth of reaction layer and isothermal solidification procession do at the same time. Growth of reaction layer and moving of isothermal solidification interface obey the parabolic law governed by the diffusion of participating elements during the PTLP bonding. Coordination of the above two dynamics process is done through time and temperature. When reaction layer thickness is suitable and isothermalsol idification process is finished, the high bonding strength at room temperature and high temperature are obtained. 相似文献
19.
采用Ti(5μm)/Cu(70μm)/Ti中间层,通过改变连接时间和连接温度进行Si3N4。陶瓷的部分瞬间液相连接(PTLP连接),用扫描电镜、电子探针对连接界面区域进行了分析,系统地研究了Si3N4/Ti/Cu/Ti/Si3N4 PTLP连接过程的动力学。结果表明,界面反应层的生长和等温凝固界面的迁移均符合扩散控制的抛物线方程。PTLP连接参数的优化不同于通常的活性钎焊和固相扩散连接的参数优化,反应层生长和液相区等温凝固这两个过程必须协调,才能同时提高室温和高温连接强度。 相似文献
20.