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提出了一种在埋弧自动焊熔渣-熔池间随焊施加一辅助外电场,利用外电场控制熔体内部离子流进而控制焊缝氧化物夹杂尺寸及其分布的方法,并以直流电源提供的电压作为外电场开展了初步试验研究.结果表明,以钨材作外电场的阴极向液态熔渣内部补充大量的自由电子可极大地改善液态熔渣的导电性能,有效地诱导熔体内部形成稳定的定向离子流;外电场作用于熔渣-熔池通过使熔体内部复合粒子的进一步电离,正负离子形成互为逆向的离子流并在界面产生电化学反应以减少氧化结合的机会,因而有利于夹杂物的细化及弥散分布;同时外电场也可促使熔池内部自由氧离子电迁移至渣-金界面,并在界面优先与熔渣中氧化物形成元素结合进入熔渣从而削弱熔渣对熔池金属的氧化作用,使焊缝金属的氧含量显著降低. 相似文献
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以质量百分数组成为90W-8.5Fe-1.5Cr的W-Fe-Cr混合粉末为中间层,纯铜箔为钎料,采用1 120℃保温60 min并加压5 MPa的工艺参数,对纯钨和0Cr13Al钢进行真空连接。利用激光粒度分析仪、SEM、EDS和电子万能试验机等手段研究了W-Fe-Cr混合粉末形态、粒度分布以及接头的微观组织、成分、机械性能、剪切断口特征。结果表明,接头由钨母材/W-Fe-Cr高密度合金层/钢母材三部分组成,其中W-Fe-Cr高密度合金层由W-Fe-Cr混合粉末中间层固相烧结形成;W-Fe-Cr高密度合金层/钨母材界面通过极薄的钎缝实现钎焊连接;W-Fe-Cr高密度合金层/钢母材界面则通过先钎焊再固相扩散焊的机制连接。高能球磨制备W-Fe-Cr混合粉末对较小连接压力下生成均匀化、致密化的W-Fe-Cr高密度合金层具有关键作用。钨/钢接头剪切强度为41 MPa,断裂发生在W-Fe-Cr高密度合金层/钨母材结合界面,断面呈现为脆性断裂特征。本研究为线膨胀系数可调且不含活性元素Ni的钨/钢连接中间层设计提供了新思路,为进一步提高钨/钢连接结构在核聚变堆中的适用性进行了有益探索。 相似文献
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原位(In Situ)反应制备技术已成为金属基复合材料领域的研究热点。综合论述了利用原位反应技术的各种制备方法,包括自蔓延燃烧反应法、放热弥散法、接触反应法、气液反应合成法、直接熔体氧化法、机械合金化法、浸渗反应法、LSM混合盐反应法以及原位表面复合层的制备方法。分析了研究热点及难点。 相似文献
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在对熔滴金属电化学致氧动力学分析基础上,用试验室自行设计制作的不同碱度系列烧结焊剂,采用在水冷铜板表面进行快速直流埋弧焊接方法提取出无熔池熔滴金属,以获取出熔滴金属质量几何信息并进而进行冶金电化学致氧量分析.结果表明,随着熔渣碱度的增大,钢-渣界面电化学作用愈加强烈,冶金电化学致氧量也愈加突出.就所研究CaO-Al2O3-SiO2渣系而言,当碱度值增至1.52时,冶金电化学致氧程度几乎可以达到与冶金热化学相当的程度,因而在直流焊接工艺制订及高碱度焊接材料研制中是一不可忽视的冶金致氧因素. 相似文献
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采用Ti(5μm)/Cu(70μm)/Ti中间层,通过改变连接时间和连接温度进行Si3N4。陶瓷的部分瞬间液相连接(PTLP连接),用扫描电镜、电子探针对连接界面区域进行了分析,系统地研究了Si3N4/Ti/Cu/Ti/Si3N4 PTLP连接过程的动力学。结果表明,界面反应层的生长和等温凝固界面的迁移均符合扩散控制的抛物线方程。PTLP连接参数的优化不同于通常的活性钎焊和固相扩散连接的参数优化,反应层生长和液相区等温凝固这两个过程必须协调,才能同时提高室温和高温连接强度。 相似文献
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以镁合金AZ31B为研究对象,采用钨极氩弧焊(TIG)填丝工艺,研究在不同焊接工艺参数下(I=120~200A,U=11~15V,v=3~11mm/s)的焊接电弧热效率和熔化效率,并探讨焊接工艺参数、焊接热效率和熔化效率对焊接接头微观组织的影响。结果表明:焊接工艺条件下,镁合金AZ31B的焊接电弧热效率值在0.56~0.82之间;熔化效率随着焊接电流和焊接速率的增加而增大;不同的焊接工艺对焊接接头的横截面形状(熔深B和熔宽H)和微观组织都有较大的影响。 相似文献
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采用与母材同质的焊丝对AZ31镁合金板材进行手工钨极氩弧焊,利用真空热压炉及专门设计的夹装模具对焊接接头分别在250,300,350,400℃,应变速率为0.001s-1进行真空热压试验,通过电子拉伸试验仪、光学显微镜(OM)及扫描电镜(SEM)技术,研究镁合金焊接接头的力学性能和组织演化规律。结果表明:随着热压温度的升高,接头抗拉强度和伸长率不断增大,在350℃时,接头表现出最大的抗拉强度228MPa和伸长率10.2%,400℃时,强度和伸长率有所降低。在该工艺过程中,随着变形温度的升高,接头组织再结晶现象越来越明显,350℃时出现较多的动态再结晶核心和再结晶小晶粒,平均晶粒尺寸由46μm细化至16μm左右,随着温度的升高,动态再结晶晶粒数量逐渐增加,400℃时,晶粒尺寸有所长大,平均晶粒尺寸为26μm,分布较均匀。 相似文献