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991.
992.
分析了稀释器的不同标定方法和由其产生的稀释比偏差,得出采用流量比标定稀释器的方法较好,同时建议采用粒子计数器计算稀释器上下游的粒子浓度比,以评估标定稀释器时两种稀释比测量结果的允许误差。 相似文献
993.
为了提高钻具管理的信息化水平,研究了基于RFID技术的钻具信息采集管理系统。选择适用于钻杆的超高频RFID标签作为信息载体,采用有限元方法分析了标签安装孔对钻杆强度的影响;以超高频RFID读取技术为基础,构建了环形阵列天线结构的信息采集硬件系统,天线阵列发出的读写信号能够全向覆盖钻杆;采用.NET技术构建远程信息管理系统,实现了钻具信息采集、存储的远程无人值守;环形阵列天线及读写器安装在钻井平台下方,起下钻作业时钻杆穿过环形阵列天线,即使不知道RFID标签埋入位置也能采集到钻杆信息,通过Web端即可管理钻杆信息。试验结果表明,在RFID芯片位置未知的情况下,钻杆以0~2.00 m/s的速度运动时,系统能准确无遗漏地采集钻杆信息。基于超高频RFID技术的钻杆管理系统的研制,为石油钻具管理信息化提供了有效途径。 相似文献
994.
用矩量法(MoM)结合离散复镜像理论(DCIM)研究了有耗地面上方水平接地天线的性能以及天线之间的互耦。由离散复镜像理论得到了分层媒质中空域磁矢位格林函数和电标位格林函数的闭合表达式,避免了直接作索末菲积分。讨论了对接地点的处理方法,提出以集中加载的接地电阻来描述接地点地网特性,并在天线末端附加一个电流项,此外无须再寻求任何关于末端电流的终端条件。提出采用分段辛普森数值积分方法来计算检验源和展开源重合时的阻抗矩阵元素,最后给出了部分计算结果,并与文献数据进行了对比。 相似文献
995.
996.
针对3G移动通信产业的发展问题,运用博弈论方法分析了政府、电信运营商、本土制造商和外国制造商在3G标准选择中的博弈过程,并通过研究表明:政府应该以实现国家利益最大化为前提,充分运用决策机制改变各博弈方的收益,使博弈达到均衡。 相似文献
997.
Silicide-block-film effects on drain-extended MOS (DEMOS) transistors were comparatively investigated, by means of different film stack stoichiometric SiO2 and silicon-rich oxide (SRO). The electrical properties of the as-deposited films were evaluated by extracting source/drain series resistance. It was found that the block film plays a role like a field plate, which has significant influence on the electric field beneath. Similar to hot-carrier- injection (HCI) induced degradation for devices, the block film initially charged in fabrication process also strongly affects the device characteristics and limits the safe operating area. 相似文献
998.
选择广州某图书馆作为实测对象,从9:00至21:00每隔2 h对图书馆内的空气品质状况进行主、客观实地调查,获得各时段图书馆内的客观指标值及图书馆内人员的空气品质不满意率。利用灰色关联分析方法,计算图书馆内空气品质的客观指标与图书馆内各类人员的空气品质不满意率之间的灰色关联度,以及分析预处理后的客观指标曲线图与空气品质不满意率曲线图关系,最终得出对图书馆内各类人员的空气品质不满意率影响最主要的客观指标是相对湿度、新风量、温度。 相似文献
999.
沈 《固体电子学研究与进展》1985,(4)
本文报导了测量半导体单晶材料(Si、GaAs、GaP、InP)的表面光伏谱和少子扩散长度,以及用微型计算机进行曲线拟合计算出材料的掺杂浓度、载流子迁移率、表面势垒宽度和表面势垒边界的界面复合速度等参数;得到的掺杂浓度与霍尔方法的测量值做了对比;本文还讨论了曲线拟合计算结果的可靠性和准确性. 相似文献
1000.
研究了应用于目盲探测器的高Al组分Si掺杂n型Al0.6Ga0.4N与两层金属层Ti(20nm)/Al(100nm)之间的欧姆接触.在制作金属电极前用煮沸王水对样片进行表面预处理,会属制作后再在N2氛了围中做快速热退火处理.使用高精度XRD测试样品表面特性,并对不同温度下的情况进行比较.样品的比接触电阻率是用环形传输线模型通过Ⅰ-Ⅴ测试得到.670℃下90s退火得到最优ρc为3.42×10-4n·cm2.将该处理方法应用到实际的背照式AlGaN p-i-n日盲探测器中,探测器的光谱响应度和反向特性等参数得到很大的优化. 相似文献