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91.
介绍了改进GaN功率MMIC背面通孔工艺的相关方法,并对通孔进行了可靠性方面的测试与分析。通过优化机械研磨的方法,减薄圆片至75μm左右,保持片内不均匀性在4%以内;利用ICP对基于SiC衬底的GaN功率MMIC进行了背面通孔工艺的优化,减少了孔底的柱状生成物。随后的可靠性测试测得圆片通孔的平均电阻值为6.3 mΩ,平均电感值为17.2 nH;对通孔样品在0.4 A工作电流175°C节温下进行了工作寿命试验,200 h后通孔特性无明显退化。  相似文献   
92.
为适应微波系统对频率合成器在高频率精度、频率捷变、随机跳频等方面的要求,文中设计了一种基于DDS芯片AD9914的频率合成器。论文阐述了优化频率控制字的计算方法,结合线性反馈移位寄存器LFSR产生随机跳频点,并利用FPGA对AD9914进行软硬件控制,使该频率合成器能够达到10 -5 Hz的频率精度以及百纳秒内的随机扫频。测试结果表明在输出9 kHz1.4 GHz频率时,该频率源频点准确,全频带扫频且跳频切换时间为90 ns,达到了高精度捷变频的目标,应用前景广阔。  相似文献   
93.
介绍了陶瓷作为原材料用于制作管道、阀门的不可替代的优点;以城市固体废物中排水污泥无机分子组成与陶管原料相似为出发点,研究开发排水污泥投入到碳化炉成为污泥碳化物,即陶管原料的生产工艺过程;并对工艺中有关性能指标、保证碳化物生成的控制要点提出了明确的要求.该工艺能实现城市固废中污泥的减量化,这种较为经济且能变废为宝的新工艺应在我国予以推广开发.  相似文献   
94.
为研究等截面一维直翅优化问题,从Schmidt最优翅片形状假定出发,通过理论分析得到一种优化的直翅周线表达式,并找出了优化后的翅片散热效率与其几何外形之间的关系。在优化后的直翅精确解基础上,针对实际工程设计中,在散热效率与精确解偏差不大于0.12%的情况下,进一步推导出翅片所能采用的近似周线方程,为等截面直翅的工程优化设计和应用提供了依据。  相似文献   
95.
采用X射线小角散射法(SAXS)和光子相关谱法(PCS)测试了纳米钨(W)粉的粒度分布。结果表明,采用SAXS测试出的纳米W粉的粒度分布与透射电镜观察和比表面积法测试结果十分接近,能较为准确地表征纳米W粉的一次颗粒的粒度分布;但为了得到可信的结果,所选择的X射线衍射仪的最小可测试角必须足够小。PCS法测试的纳米W粉的粒度随分散条件的变化而变化,所提供的最佳分散条件可用于测定二次颗粒的粒度分布。  相似文献   
96.
通过对目前高校体育教师的形体与健康状况进行调查和分析,结合调查问卷结果,总结高校体育教师的形体与健康对教学效果、学生意志品质和学生终身体育锻炼的影响,建议高校体育教师重视形体与健康的培养,包括健康的生活习惯与必要的体育锻炼,得体的穿着以及合理的形体语言,提升体育课堂教学效果,给学生树立起标杆和榜样,培养学生坚强的意志品...  相似文献   
97.
 用神经网络模型代替传统的数学模型,达到提高轧制参数预报精度的目的。在分析了轧制原理的基础上设计了神经网络冷连轧参数预报模型,并针对前向网络反向传播算法(BP)收敛速度缓慢和易陷入局部极小点的缺点,将有全局寻优特性的模拟退火算法(SA)与之结合得到具有较快收敛速度和较高逼近精度的神经网络轧制参数预报模型,提高了网络的快速性和精确性。最后以轧制力预报为例,证明了该方法收敛速度快,稳定性好,可信度高,具有较好的应用前景。  相似文献   
98.
高浓度纺丝废水的超滤试验研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
高浓度乳化纺丝油剂性质极其稳定,采用芬顿氧化——膜分离技术联合工艺处理该油剂废水,通过正交实验找出最佳氧化破乳条件。经过芬顿氧化——高效纤维束过滤——活性炭吸附后,COD和浊度的去除率分别达到97%和95%,超滤后COD和浊度的去除率分别达到98%和99%。  相似文献   
99.
克拉玛依油田微生物驱油室内实验研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
从克拉玛依油田井场筛选出13株兼性厌氧菌,从中复壮出6株菌,筛选出的菌种在克拉玛依油田油藏环境下能以原油烃类为碳源进行生长和繁殖;可以降低原油粘度和倾点,降低油水界面张力。研究发现,菌种能够代谢原油中的较长链烷烃为短链烷烃,同时能够产酸、产气、产表面活性物质。对筛选出的3种菌进行了室内微生物驱油模拟试验,提高水驱后采收率10%~15%(OOIP)。  相似文献   
100.
王光伟  姚素英  徐文慧  张建民 《微电子学》2011,41(5):763-765,769
在n型单晶硅衬底上,用射频磁控溅射法沉积Si1-x Gex薄膜,在850℃下对薄膜进行40min磷扩散,制备出n-poly-Si1-x Gex.俄歇电子谱(AES)测试表明,Si1-xGex薄膜的Ge含量约为18%,即磷扩散后得到n-poly-Si0.82 Ge0.18.随即在n-poly-Si0.82 Ge0.18薄...  相似文献   
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