针对典型凹腔结构的三维柱面精准成像算法

主动式微波成像技术是以电磁波为媒介观察被测目标散射场并形成图像的手段.传统微波成像算法忽略了电磁波在目标内部结构中的耦合,导致包含多次散射的凹腔结构成像结果中往往伴随着十分严重的成像伪影.本文基于射线追踪原理,推导了圆柱扫描下二面角目标电磁波的传播规律.依据弹跳射线(shooting and bouncing rays, SBR)法中的相关思想,建立了典型凹腔结构的正向和逆向三维散射模型,并设计了完整的数据处理流程.仿真和实验结果表明了所提算法的有效性,为解决更复杂腔体的精准成像问题提供了基础.     

Si基InSb红外焦平面阵列探测器的研究

针对InSb 红外焦平面芯片中InSb 与Si 读出电路热膨胀系数不匹配导致芯片龟裂及铟柱断裂现象,开展了Si基InSb 红外焦平面探测器（FPA）的研究。运用磨抛减薄技术及金刚石点切削技术对芯片背面进行精确减薄,得到厚度为15m的InSb芯片;研究了在InSb芯片和Si片上溅射及蒸发减反膜工艺,得到InSb芯片和Si片粘贴后红外中短波光谱的透过率高达88%;对器件的整体工艺路线进行了探索,最终制备出Si基128128元InSb 红外焦平面探测器器件,测试结果表明:器件探测率、响应率及串音等性能指标达到传统工艺制备的器件性能指标;经温冲试验后测试器件结构保持完好,性能未发生变化,证明该工艺路线可解决芯片受应力冲击而产生的铟柱断裂及芯片龟裂的现象,可有效提高InSb焦平面探测器芯片的成品率。     

基于InSb的新型红外探测器材料（特邀）

InSb单晶是制备工作于中波红外大气窗口（3~5 μm）光子型探测器的典型光电转换材料,采用该单晶材料所制备的InSb红外探测器以高性能、大规格像元阵列、高稳定性和相对低成本为特点,广泛应用于军用红外系统和高端民用红外系统领域。然而,InSb 红外探测器响应波长范围固定不可调节、响应仅限于短中波红外而对长波红外无响应、相对有限的载流子寿命制约器件高温工作性能等固有特点,限制了该型探测器在工程中的广泛应用。文中系统地介绍了基于InSb材料人们为改进上述不足所开展的新型材料及其光电响应方面的研究结果。这些材料主要包括:采用合金化方法改变InSb组分形成新型多元合金材料、采用量子结构形成新型低维探测材料。对于新型合金材料,介绍了材料的合金相图、带隙与合金组分的关系、带隙的温度关联特性,并给出采用该材料制备器件的典型光电性能;对于量子结构材料,介绍了材料的制备方法、带隙与量子尺寸的关系,以及采用该材料制备原型器件的典型光响应特性。最后,对新型InSb基红外探测材料与器件的发展趋势、关键问题、研究重点进行了探讨。     

基于数字转型的档案信息化基础资源建设——“十五”以来全国档案事业发展计划规划中“数据”词频分析

[目的]为了实现《“十四五”全国档案事业发展规划》提出的数字转型目标,完成档案信息化基础资源建设任务中确定的数据工作。[方法]采用词频分析法,从数量、内容、趋势三个方面,对“十五”以来各五年规划的档案信息化基础资源建设任务中数据相关词或词组的词频进行分析。[结果]发现“十五”以来档案信息化基础资源建设任务中的档案数据工作,大致分为数库、数据、数治三个阶段。各阶段出现有早晚,持续无中断,体量有大小,相互有交叉。[结论]“十五”以来,档案信息化基础资源建设任务中的数据工作在档案工作“五年规划”中的数量、份量渐增,已成为规划任务中档案信息化基础资源建设的重要内容。档案数据或将成为档案信息化资源的第三大来源。     

某露天矿山无超深台阶爆破实践

影响露天台阶爆破效果的两大不利因素是根底和大块。在某石灰石露天矿山开采中,通过钻凿倾斜炮孔,爆破体底盘增钻部分抬炮的措施,探索出无超深台阶爆破的若干技术,取消爆破超深,有效地提高了炮孔的利用率,降低了炸药单耗,减少了根底和大块,改善了爆破效果,矿山的经济效益明显改观。     

无杆活塞气压缸驱动的二次正交铰杆增力压力机

介绍了无杆活塞式气压缸驱动的的二次正交铰杆增力压力机,给出了具体的工作原理和压头输出力计算公式.在某些场合下,基于气动一机械复合传动的二次铰杆增力压力机可取代容易产生空气及地面污染的液压压力机.在此基础上提出了两点浮动压力机,具体分析了相对于单点输出压力机的不同之处.     

陕西煤炭业的产业关联效应分析

本文基于陕西省2002年和2007年投入产出表,运用投入产出相关理论及经济分析方法对陕西煤炭业的直接消耗系数、完全消耗系数、直接分配系数及完全分配系数进行了定量分析;探讨了陕西煤炭业与其上下游产业部门之间的关联程度。研究结论为应加大陕西煤炭业的开发,以促进其上下游产业的发展;同时,加强煤炭业的深加工技术,以减少对环境的压力。     

薄膜体声波谐振器调频工艺研究

薄膜体声波器件具有体积小及性能高等优势,相关产品已被广泛应用于移动通信市场。薄膜体声波谐振器(FBAR)电极层和压电层等声学层的厚度、材料是影响谐振频率的主要因素。该文分析了FBAR调频的必要性、原理及扫描刻蚀的工作方式,研究了调频层薄膜在不同刻蚀功率时对器件频率的影响。通过对FBAR器件进行调频,频率均匀性提高了6.5倍,频率分散性得到显著改善。     

用于相变存储器的超低输出纹波2X/1.5X电荷泵

本文针对相变存储器编程驱动电路,提出了一种超低输出电压纹波的开关电容型电荷泵。该电荷泵可根据输入电压的不同,自适应工作在2X/1.5X升压模式之间,以获得更高的电源转换效率。相比于传统开关电容型电荷泵,在充电阶段泵电容被充电至预先设定的电压值Vo-VDD(Vo为预期的输出电压);放电阶段,泵电容串联在输入电压VDD与输出端,通过此方法将电荷泵输出端电压稳定在Vo,并有效的降低了由于电荷分享所造成的输出纹波。在中芯国际40nm标准CMOS工艺模型下,对电路进行了仿真验证,结果表明在输入电压为1.6-2.1V,输出2.5V电压,最大负载电流为10mA,输出电压纹波低于4mV,电源效率最高可达91%。     

FBAR用氮化铝压电薄膜研究

介绍了FBAR用复合氮化铝(AlN)压电薄膜的制作方法。采用双S枪中频(40 kHz)磁控反应性溅射铝靶制作出了AlN压电薄膜。采用双S枪直流(DC)磁控溅射钼(Mo)靶制作出了Mo电极薄膜。对AlN压电薄膜、Mo电极薄膜进行了X线衍射(XRD)分析,结果表明,AlN压电薄膜(002)面、Mo薄膜(110)面择优取向优良。对4″Si基AlN压电薄膜进行了膜厚测试,结果表明,其膜厚均匀性优于±0.5%。对4″Si基AlN压电薄膜、Mo薄膜进行了应力测试,结果表明,其应力分别在-100~+100 MPa及-150~+220 MPa;对4″Si基Mo/AlN/Mo/AlN复合压电薄膜应力进行了应力测试,结果表明,其应力低达-71.518 5 MPa。对4″Si基AlN压电薄膜进行了化学成分分析,结果表明,其Al∶N原子比为51.8∶48.2。