热处理对SiCW-Al2O3复合材料表面裂纹及强度的影响

系统地研究了不同温度下的热处理对ＳｉＣ晶须增韧氧化铝陶瓷复合材料表面裂及强度的影响。结果表明：在热处理温度为１０００℃时,由于扩散作用压痕裂纹开始出现愈合现象,在热处理温度为１２００℃以上时,材料表面开始发生氧化反应,当热处理温度为１４００℃时,材料表面有莫来石相析出,形成表面反应物层,使得压痕裂纹逐渐愈合,材料的抗弯强度大幅度提高。热处理引起的应力松弛也有利于材料强度的提高,但氧化过程中产生的表     

Fe-Al金属间化合物基复合材料的研究进展

对Fe-Al金属间化合物基复合材料及相关领域的研究现状进行了综合评述。着重介绍了增强相与基体界面的相容性、连续纤维及颗粒增强Fe-Al金属间化合物基复合材料的制备工艺和弥散强化Fe-Al金属间化合物基纳米复合材料的合成与烧结，以及Fe-Al金属间化合物基复合材料的力学性能等方面取得的研究成果。并就目前研究的不足以及该研究领域的发展方向提出了一些看法。     

退火处理对溶胶-凝胶法制备AZO薄膜性能的影响

采用溶胶-凝胶旋涂法在普通载玻片衬底上制备出Al3 掺杂ZnO(AZO)薄膜.对所制备的薄膜在空气气氛中进行了不同温度(400～600℃)的退火处理,并在500℃下的不同气氛(氢气和氩气)中进行退火处理.利用XRD和SEM等分析手段对薄膜进行了表征,测定了薄膜的透光性.研究表明,随空气中退火温度的提高,ZnO薄膜(002)衍射峰强度得到增强,半高宽逐渐减小,透射率从85%提高到95%.薄膜晶粒尺寸范围为23.50～29.80 nm;在氢气和氩气气氛下退火得到的薄膜性能均优于在空气中退火得到的薄膜性能.     

Synthesis of TiB2 nanocrystalline powder by mechanical alloying

1 Introduction TiB2 has been widely used in some industrial fields owing to its high melting temperature, hardness, elastic modulus, electro-conductibility and thermal diffusivity, and excellent refractory properties and chemical inertness. Usually, TiB2…     

A12O3/SOCW复合村料表面裂纹的高温自愈合与氧的传输

Al2O3／SiCw复合材料在高温空气中呈现良好的表面裂纹自愈合现象,由Vickers法压痕裂纹引起的材料强度急剧衰减可得到大幅度恢复提高。高温表面自愈合过程与复合材料表层SiCw氧化反应及氧的传输密切相关,应用180同位素示踪表明,从氧离子点阵空位以扩散方式传输到氧化反应层的氧,远低于以分子氧方式通过氧化铝氧化产物传输的氧。分子氧通过相界／晶界等快速通道传输到氧化反应物,SiC界面是高温和氧化反应自愈合过程持续进行的主要原因。     

RF磁控溅射法制备ZnO薄膜的XRD分析

采用RF磁控溅射法，在玻璃村底上制备多晶ZnO薄膜，并对所制备的ZnO薄膜在空气气氛中进行了不同温度（350～600℃）的退火处理和600℃时N2气氛中的退火处理。利用X射线衍射分析了溅射参数如溅射功率、溅射氧分压、衬底温度以及退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响。结果表明，合适的衬底温度和退火处理能够提高ZnO薄膜的结晶质量。     

沉淀法白炭黑的表面改性及其性能研究

以水玻璃和硫酸为原料通过化学沉淀法结合喷雾干燥技术制备了白炭黑,并在制备过程中利用聚乙二醇(PEG-6000)和正丁醇对白炭黑进行有机湿法改性.采用X射线衍射、透射电子显微镜、扫描电子显微镜、激光粒度分析仪、Fourier红外光谱分析等对改性前后样品的结构、形貌及性能进行了表征.主要研究改性剂对白炭黑分散性的影响.结果表明:白炭黑经改性后团聚现象大大改善,一次粒子大小在20nm左右,喷雾干燥颗粒主要分布在10～40 μm.改性后白炭黑表面生成硅甲基(Si-CH),硅羟基(Si-OH)含量减少,疏水性增强,吸油值(DBP值)从2.1 mL·g-1增加到3.1 mL·g-1.改性使白炭黑的分散性能提高,其中正丁醇改性使WK-系数从3.67降低到2.66.     

Structural evolution of Si-50%C powder during mechanical alloying and heat treatment

The nanocrystalline β-SiC powder was successfully synthesized by ball milling the Si-50%C elemental powder. During ball milling, a solid solution of C in Si, Si（C）, firstly forms, followed by SiC. The formation of SiC is controlled by the mixing mechanism of the gradual diffusion reaction（GDR） and the mechanically induced self-propagating reaction（MSR）. The amount of β-SiC increases with milling time increasing. After 40 h milling, there exists only β-SiC in the milled powder. The grain size of β-SiC is about 6.4 nm after the powder is milled for 60 h. After the 60 h-milled Si-50%C elemental powder is heat treated at 1 100℃for l h, the grain size of β-SiC does not change, but the lattice ordering degree offl-SiC increases.     

热处理对SiC_W-Al_2O_3复合材料表面裂纹及强度的影响

系统地研究了不同温度下的热处理对SiC晶须增韧氧化铝陶瓷复合材料表面裂纹及强度的影响。结果表明 :在热处理温度为 10 0 0℃时 ,由于扩散作用压痕裂纹开始出现愈合现象 ,在热处理温度为 12 0 0℃以上时 ,材料表面开始发生氧化反应 ,当热处理温度为 140 0℃时 ,材料表面有莫来石相析出 ,形成表面反应物层 ,使得压痕裂纹逐渐愈合 ,材料的抗弯强度大幅度提高。热处理引起的应力松弛也有利于材料强度的提高 ,但氧化过程中产生的表面气孔会引起材料强度的下降。     

掺杂浓度对Al-F共掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响

通过溶胶-凝胶法制备了不同Al-F掺杂浓度的ZnO薄膜,研究了薄膜的晶体结构、表面形貌、电阻率和透光性随着掺杂浓度的变化情况。结果表明：制备的ZnO∶F∶Al薄膜具有高度的C轴择优取向性,薄膜表面平整、晶粒均匀致密。当Al3＋和F-的掺杂浓度皆为0.75at%时,薄膜的平均晶粒尺寸最大为43.8nm;导电性能最好,电阻率可低至1.02×10^-2Ω.cm;在可见光范围内薄膜的平均透过率超过90%,吸收边出现明显的蓝移现象。