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基于计算机电话集成(CTI)技术的传统呼叫中心已经远远不能满足现代客户的需求,统一于IP交换的下一代网络技术为多媒体呼叫中心增添了生命力。文章分析了传统呼叫中心技术发展的局限,立足于基于SIP协议的下一代IP交换技术,提出了一种多媒体呼叫中心方案。 相似文献
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随着多媒体技术与网络技术的发展,H.323与SIP协议作为下一代网络NGN中的核心软交换技术的主要协议,必然在一段时间内长期并存.首先介绍了NGN的分层体系,接着对IP协议中的H.323协议、SIP协议做了精要的介绍,并对这两种关键IP协议的属性进行了深入比较.提出了实现H.323-SIP互通信令网关IWF的基本要求,建立了IP语音的封装结构,逻辑信道信令互通的常规机制以及Fast Start机制实现模式,着重对IWF实现的一些关键技术,最终实现了在IWF的H.323与SIP互通信令消息的转换交互过程. 相似文献
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Fe3+/Zn2+复合掺杂纳米TiO2的结构及光催化性能 总被引:1,自引:1,他引:0
采用溶胶-凝胶工艺,以钛酸丁酯(Ti(C4H9O)4)为前驱体,冰醋酸为螯合剂,制备了Fe3 /Zn2 复合掺杂的改性纳米TiO2粉体材料.运用X射线衍射、透射电镜、X射线光电子能谱、Fourier变换红外光谱和光吸收研究了铁锌元素掺杂对纳米TiO2相变和光催化活性的影响.结果表明:铁及锌的掺杂会降低TiO2由锐铁矿相向金红石相的转变温度;掺铁和锌能提高纳米TiO2的光催化活性;当Fe3 /Ti4 摩尔比为0.2,Fe3 /Zn2 摩尔比为0.5时,经300℃焙烧1 h制备的Fe3 /Zn2 复合掺杂纳米TiO2样品的光催化活性最好;在太阳光照4h时,Fe3 /Zn2 摩尔比为0.5复合掺杂纳米TiO2样品对甲基橙的降解率可达71.43%. 相似文献
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溅射功率对射频磁控溅射Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
用射频磁控溅射技术,在纯氩气氛中不同溅射功率(120 W~210 W)下于玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光谱仪和四探针测试仪等对所制备的薄膜进行了晶体结构、光学和电学性能分析。结果表明,纯氩气氛中不同溅射功率下玻璃衬底上原位沉积的ZAO薄膜具有明显的c轴择优取向性,它没有改变ZnO的六角纤锌矿结构;ZAO薄膜的可见光区平均透光率不强烈依赖于溅射功率,为75%左右;原位沉积ZAO薄膜的电阻率达到102Ω.cm数量级范围,随溅射功率由120 W增大到210 W时,薄膜电阻率从132.67Ω.cm降低到21.08Ω.cm。 相似文献
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以绢云母为载体,采用水解-沉淀法制备出了绢云母负载纳米TiO2粉体(TiO2/M),在粉体表面沉积不同量的Ag2CO3,经400℃焙烧,制得不同掺Ag量的绢云母负载TiO2光催化剂,采用TG、XRD、SEM、EDS、UV等手段对样品进行了性能表征;并以日光色镝灯为光源,甲基橙为模拟污染物检测其光催化活性,研究了Ag的掺杂量对粉体中TiO2晶相结构、粒度和光催化性能的影响。结果表明:纳米TiO2均匀负载在绢云母上形成包覆层,Ag的掺杂抑制了TiO2晶粒的长大,减缓锐钛矿向金红石相的转变,同时Ag的掺杂形成新的能级结构,随Ag+/Ti4+摩尔比的增加,样品对光的吸收边逐渐红移至440~520 nm,具有明显的可见光响应,当Ag+/Ti4+=0.05时,制得样品对甲基橙的光催化降解率是没有掺Ag的样品的1.5倍,相同条件下重复利用4次,该样品60 min对甲基橙的降解率仍然可达34%。 相似文献
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机械合金化及热处理过程中Mo33Si66二元系统的结构演变 总被引:1,自引:1,他引:0
用X射线衍射和透射电子显微镜研究了Mo33Si66混合粉在机械合金化以及热处理过程中的结构演变,并讨论机械合金化过程中的相形成机理.研究表明:Mo33Si66混合粉在球磨过程中首先通过机械合金化诱发自蔓延反应合成纳米晶α-MoSi2,随后,部分α-MoSi2通过机械合金化诱发同素异构转变形成β-MoSi2.球磨80h后,接近非晶态结构的β-MoSi2成为主要组成相.球磨100h后,通过机械合金化诱发结晶形成大量的纳米晶Mo5Si3.在热处理过程中,球磨的Mo33Si66混合粉发生了组成相结构有序化转变及α-MoSi2与β-MoSi2,特别是β-MoSj2,向Mo5Si3转变的相变过程. 相似文献
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采用压痕-弯曲强度法获得了Al2O3-SiCW和Al2O3-TiCP陶瓷基复合材料的裂纹扩展阻力曲线(R-曲线),并测试了材料的抗热震性能,分析了材料的阻力曲线行为与其抗热震性能之间的内在联系。结果表明:材料的阻力曲线行为与抗热震性之间存在明显的相关性。热震引起材料强度的下降幅度与其阻力曲线的陡峭程度及上升幅度有关。阻力曲线越陡峭,上升幅度越大,抗热震性也越好。其中Al2O3-SiCW复合材料显示出更为优越的抗裂纹扩展能力与抗热震性能。扫描电镜观察及理论分析显示:晶须的拔出与桥联补强增韧机制是产生这一现象的主要原因。 相似文献
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退火处理对不同RF功率下制备ZnO薄膜的结晶性能的影响 总被引:5,自引:2,他引:3
采用RF磁控溅射法,在不同溅射功率下在玻璃衬底上制备了ZnO薄膜,并对所制备的ZnO薄膜在空气气氛中进行了不同温度(350-600℃)的退火处理.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等研究了退火对不同溅射功率条件下制备的ZnO薄膜晶体性能和应力状态的影响.研究表明,在衬底没有预热的情况下,较低功率(190W)下制备的ZnO薄膜,当退火温度为500℃时,能获得单一c轴择优取向和最小半高宽,张应力在350℃退火时最小;较高功率(270W)下,薄膜最佳c轴取向和晶粒度在600℃退火温度获得,张应力最小的退火温度在350-500℃之间.当衬底预热至300℃时,退火处理对两种功率下制备的薄膜的结晶性能和应力的影响基本一致. 相似文献