硅酸钇高温抗氧化涂层的研究进展

针对硅酸钇的结构特点和物理化学特性,阐述了硅酸钇材料在高温抗氧化涂层领域的应用现状,总结了近年来国内外硅酸钇涂层制备技术的最新研究进展,展望了硅酸钇高温抗氧化涂层下一步研究重点和发展趋势.指出:硅酸钇涂层在高于1700 ℃下的抗氧化和失效机理和致密硅酸钇涂层的低温制备工艺的进一步开发和完善是下一步的研究重点.     

碳／碳复合材料表面羟基磷灰石生物涂层的研究进展

综述了C／C复合材料表面HAp涂层的制备工艺研究进展，指出涂层与基体的结合是目前该材料存在的主要问题。在总结前人解决问题的基础上，提出了采用水热电沉积解决此问题的新方案。最后，展望了C／C复合材料表面HAp生物涂层的研究重点和发展趋势。     

纳米材料的颗粒尺寸分析方法

介绍了纳米材料颗粒尺寸的定义，对测量纳米颗粒尺寸的常规方法及其特点进行了评述，同时介绍了测量纳米颗粒尺寸的一些新方法。     

机械合金化合成Ti-Al-Si金属间化合物的XRD研究

采用普通钢球为研磨介质,以单质Al、Ti和Si为原料,对Ti30-A160.Si10、Ti50-A140-Si10、Ti60-A120-Si20、Ti70-Al30-Si10等在无保护气氛和非真空条件下,即低成本条件下进行球磨,获得了非晶态的金属间化合物.XRD分析表明,在球磨约30b后就形成了A13 Ti.AlTi3、AlTi2等金属间化合物:球磨至78 h时,就得到了无单质存在的Ti-Al基或Ti-Si基金属间化合物的非晶体.     

提高低合金高强度钢强韧性的措施

本文通过对提高低合金高强度钢强韧性措施的探讨,结合舞钢的具体生产情况,提出了提高低合金高强度钢强韧性的工艺方法。     

湿化学法合成LiNiVO4纳米粉体及其电化学性能

以NH4VO3，LiCl2和NiCl2等为原料，以氨水为pH调节剂，采用超声凝胶方法制备了LiNiVO4纳米晶。并采用XRD，TEM，IR，DTA和TG等分析手段对产物进行了表征，通过差热分析对其合成活化能进行了研究。发现在超声功率为300W时，于500℃下保温1h，可以合成10nm左右的LiNiV04微晶颗粒，其合成活化能为47．7kJ／mol。电化学性能测试结果表明，在0．2mA／cm。充放电流密度和3．0V～4.8V电压范围内，首次充电容量为103mAh／g，放电容量为75mAh／g，循环次数达4次后，放电容量还有62mAh／g，明显优于目前所报道的同类材料。     

pH对CoWO4纳米粉体的制备及其吸附性能的影响

以Co(NO3)2·6H2O和Na2WO4·2H2O为主要原料,去离子水为溶剂,采用稀NaOH和HNO3溶液调节反应前驱液的pH值,利用微波水热法制备出了CoWO4纳米粉体.通过X射线衍射分析仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及UV-Vis 2600A型紫外可见分光光度计对产物的物相、微观形貌及吸附性能进行了表征测试.结果表明,在前驱液pH值为6到8时成功地合成了CoWO4纳米粉体,所得产物的结晶性良好、微观形貌均匀且规整;反应前驱液pH值为6时所得产物对亚甲基蓝(MB)染料表现出了较好的吸附特性.     

氨基磺酸系高效减水剂的助磨性能研究

以对氨基苯磺酸、苯酚、甲醛为主要原料,采用碱性合成线路制备了具有助磨效果的氨基磺酸系高效减水剂,系统地研究了单体比例、单体浓度、交联剂用量、反应体系初始pH值、反应时间和反应温度等因素对助剂助磨效果的影响。结果表明:所制备的减水剂对石英、滑石和锆英石等陶瓷硬质原料具有比较明显的助磨效果,优于传统的工业助磨剂。较佳的制备工艺为:对氨基苯磺酸∶苯酚∶甲醛=1∶2∶9(摩尔比);反应初始pH值为8.0,对氨基苯磺酸浓度为0.4mol·L-1,反应时间为3.5h左右;反应温度为95℃左右。     

电压对电沉积PbS薄膜结构和性能的影响

采用阴极恒电压法在ITO导电玻璃表面沉积了PbS薄膜,并用X-射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)以及紫外/可见/近红外光谱仪对薄膜的结构和光学性能进行了表征,研究了沉积电压对薄膜的相组成、显微形貌以及光学性质的影响.结果表明:在U=18 V,pH=2.5,沉积时间为20 min,加入EDTA作络合剂的情况下,可制备出沿(111)和(200)晶面取向生长的立方相PbS薄膜.薄膜组成均匀而致密,对紫外线有较强的吸收作用,而对可见光有较好的透过作用.随沉积电压增加,薄膜的结晶性变好,光吸收性能明显增强.     

电沉积法制备PbS薄膜的XRD分析

采用阴极恒电压法在ITO导电玻璃表面沉积了PbS薄膜,并用X-射线衍射仪(XRD)对薄膜的结构进行了表征,研究了沉积电压对薄膜的晶相组成的影响.结果表明:在U=3.0 V时,可制备出沿(111)晶面取向生长的立方相PbS薄膜;随沉积电压从3.0 V增加到4.5 V,薄膜的生长取向从(111)晶面变为(200)晶面,且PbS衍射峰的强度越来越强,到18 V时达到最强.