一种预测非晶合金的非晶形成能力新判据

本文提出了一种非晶合金的非晶形成能力(GFA)新判据β',表达式为(Tg/Tx-Tg/T1/η),其中Tg,Tx,T1和η分别为合金的玻璃转变温度、起始晶化温度、液相线温度和常系数.新判据β'的理论基础是非晶形成能力的本质涵义,即GFA不仅表征合金熔体形成非晶的能力,也表征非晶合金在受热条件下的稳定性.采用文献报道的大...     

Cu7In3ǰ��Ĥ�Ʊ�(112)����ȡ��CuInS2��Ĥ

 为考察具有Cu7In3相结构的Cu In前驱膜对CuInS2薄膜微结构的影响,采用电沉积法制备了Cu In薄膜,并对制备态Cu In薄膜在380 ℃进行真空退火处理制备Cu7In3前驱膜。采用硫化法对制备态Cu In薄膜和Cu7In3薄膜进行硫化处理制备了CIS薄膜。结果表明,两种前驱膜经硫化处理均在表面生成CuxS偏析相,经KCN刻蚀处理发现以Cu7In3为前驱膜制备的CuInS2薄膜高质量结晶,具有(112)择优取向,适合于制备CIS薄膜太阳能电池吸收层。     

Co-Fe-Si-B非晶丝的巨磁阻抗效应研究

通过傅立叶分析模型研究了CoFeSiB非晶丝的GMI效应，将得出的阻抗计算结果与实验比较，发现该模型较符合实验规律。同时计算了非晶丝半径、饱和磁化强度以及电阻率对GMI效应的影响，结果表明增大非晶丝半径，增大饱和磁化强度以及降低电阻率都能使非晶丝的巨磁阻抗效应增大。     

非晶态磁性材料热电阻及居里温度的测量

介绍了用四端法和霍普金森效应分别测量非晶态磁性材料的热电阻和居里温度的原理和装置，并给出了用它们测量Fe78Si9B13合金非晶薄带的实验结果。这两种装置操作简单，快速准确，自动化程度高，经济实用。     

铜模吸铸法制备的Fe74Al4Sn2P10Si4B4C2非晶合金圆棒及圆管块体

利用铜模吸铸法制备了直径1．0mm,1．5mm和2．0mm的Fe74Al4Sn2P10Si4B4C2块体非晶合金圆棒,利用振动样品磁强计测试了圆棒的磁性能,其饱和磁感应强度较高,矫顽力较低。利用铜模吸铸法制备了Ф5mm×庐7mm×15mm的Fe74Al4Sn2P10Si4B4C2块体非晶合金圆管,并测试了其DSC曲线,块体非晶合金圆管与块体非晶合金圆棒的热性质一致。Fe74Al4Sn2P10Si4B4C2块体非晶合金显示出优良的铸造性能。     

水雾化Fe69Ni5Al4Sn2P10C2B4Si4非晶合金粉末及其磁粉芯的性能

 Fe69Ni5Al4Sn2P10C2B4Si4合金具有强的非晶形成能力，可以通过水雾化方法获得粒度小于75 μm的非晶态合金粉末。用粒度45~75 μm的水雾化粉末制备的磁粉芯具有优异的磁性能，磁导率大于60，良好的频率特性、高的品质因数和低的损耗。该磁粉芯与磁导率相等的韩国MPP磁粉芯产品相比，其综合性能更优越。     

周少雄:"十五"863特种功能材料技术主题成果

1：12型稀土铁氮新材料体系、新型烯烃聚合催化剂、磷酸铁锂等新型正极材料、二氧化碳共聚物的工业化合成、超分子插层无机功能材料5项原创性成果在国际上产生重要影响；稀土永磁材料、锂离子电池、片式元器件、镀膜玻璃、稀土发光材料、催化技术应用等领域突破多项关键技术，引导、促进形成6个年产值达数十亿元的大型新材料产业集团，特种功能材料走出了一条以自主创新带动产业发展的新道路。[编按]     

湖北电力通信运行管理初探

结合湖北电力通信运行管理现状,从规范化、标准化管理方面,对通信运行管理进行了初步的研究和探讨,并提出建立“通信网可靠性评价”技术标准体系的基本设想,为电网安全生产提供强有力的通信保障。     

Characterization of CuInS2 thin films prepared by sulfurization of Cu-In precursor

CuInS2 thin films were prepared by sulfurization of Cu-In precursors. The influences of the deposition sequence of Cu and In layers, such as Cu/In, Cu/In/In, and In/Cu/In, on structure, topography, and optical properties of CuInS2 thin films were investigated. X-ray diffraction results show that the deposition sequence of Cu and In layers affects the crystalline quality of CuInS2 films. Atomic force microstructure images reveal that the grain size and surface roughness are related to the deposition sequence used. When the deposition sequence of precursor is In/Cu/In, the CuInS2 thin films show a single-phase chalcopyrite structure with （112） preferred orientation. The surface morphology of CIS films is uniform and compacted. The absorption coefficient is larger than 10^4 cm^-1 with optical band gap Egclose to 1.4 eV.     

Co69.9Fe5Si12.5B9Cr3.5 Mo0.1非晶丝的磁致伸缩特性研究

采用小角转动法(SAMR)测量了Co69.9Fe5Si12.5B9Cr3.5Mo0.1非晶合金丝的磁致伸缩系数,研究了等温退火处理对非晶合金丝磁致伸缩系数的影响.实验结果表明:淬态非晶丝表现出正的磁致伸缩系数λs=1×10-7,在晶化温度以下进行等温退火,其磁致伸缩系数随退火温度的升高先增加后减小,存在一个最大值λs=3×10-7.采用结构弛豫理论解释了磁致伸缩系数随退火温度的变化.