基于神经网络PID的电动汽车轮毂电机调速设计与仿真

轮毂电机式电动汽车在启动和运转过程中,电机控制系统经常要接收随机调速控制信号。传统PID控制难以实现快速、精确的速度调节。为解决此不足,提出采用神经网络PID(NNPID)进行控制的方法,首先对无刷直流电机进行建模分析,然后以BP算法训练神经网络并搭建控制系统,最后在Matlab/Simulink仿真环境下对该系统进行多种运转条件下的仿真并与传统控制策略进行比较,结果证明:基于神经网络的控制策略的电机控制系统启动平稳,能有效减少不稳定信号的干扰,对期望输出能实现较好的跟踪,可以满足一般电动汽车运行的需要.     

1.55μm InGaAsP-MQW自对准压缩台面高速DFB激光器

采用一种自对准压缩台面结构制作高速1.55μmDFB激光器。激光器的典型阈值为12mA，单面斜率效率达0．157mW/mA，出光功率大于20mW。由于采用窄条p-InP作为电流阻挡层，因此激光器的寄生电容可降至2.5pF,-3dB调制带宽可达9.1GHz。     

宽带偏振不灵敏张应变InGaAs半导体放大器光开关

研制了一种张应变准体In Ga As半导体放大器光开关.该结构具有显著的带填充效应,从而导致在80 m A的注入电流下,器件的3d B光带宽大于85 nm(1 5 2 0～1 6 0 9nm ) .该带宽几乎同时全部覆盖了C带(1 5 2 5～1 5 6 5 nm )和L带(1 5 70～1 6 1 0 nm ) .最为重要的是,在3d B光带范围内,光开关的偏振灵敏度小于0 .7d B;光纤到光纤无损工作电流在70～90 m A之间;消光比大于5 0 d B.通过降低了载流子寿命,开关速度有所提高.在未来密集波分复用通信系统中,这种宽带偏振不灵敏半导体放大器光开关很有实用前景     

利用MOVPE选区外延生长InGaAsP

研究了利用低压 MOVPE宽条 (15μm )选区外延生长 In Ga As P的性质 .研究了生长速率、厚度增强因子、带隙调制、组分调制随着生长条件如掩模宽度、生长压力、 族源流量的变化规律 ,给出了合理的解释 .同时研究了不同 / 比下选择性生长 In Ga As P表面尖角的性质.     

用选择混合InGaAsP-InGaAsP量子阱技术研制的两段波长可调谐分布布拉格反射激光器

采用选择混合InGaAsP InGaAsP量子阱技术,研制出单脊波导结构的两段可调谐分布布拉格反射(DBR)激光器.激光器的阈值电流为51mA ,可调谐范围为4 6nm ,边模抑制比(SMSR)为40dB .     

1.74μm压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器

制备了1.74μm脊波导结构压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器.采用低压金属有机化合物气相沉积法生长器件材料,应用应变缓冲层防止In的分凝.未镀膜的腔长为300μm的器件阈值电流为11.5mA,100mA时最大输出功率为14mW,边模抑制比为33.5dB.     

1.74μm压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器

制备了1.74μm脊波导结构压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器.采用低压金属有机化合物气相沉积法生长器件材料,应用应变缓冲层防止In的分凝.未镀膜的腔长为300μm的器件阈值电流为11.5mA,100mA时最大输出功率为14mW,边模抑制比为33.5dB.     

选择外延MOCVD研制DFB激光器和模斑转换器集成器件

研究了利用选择外延生长的InGaAsP材料的厚度增强因子和带隙波长的性质,最大的厚度增强因子为2.9.利用选择外延技术研制的DFB激光器和模斑转换器的集成器件,阈值为10.8mA-在60mA下输出功率为10mW,边模抑制比为35.8dB,垂直方向上的远场发散角从34°减少到9°,垂直方向上的1dB偏调容差为3.4μm.     

活性污泥泥龄试验

污泥龄作为设计与运行的参数已显示出比其它参数有更多的优越性,但推流系统中θ_s与各参数间关系却很少报导。本文介绍了以谷氨酸钠为基质的污泥龄实验室试验成果。试验模拟作流式曝气。试验表明:θ_s与有关参数间的关系和通常采用4～6小时曝气的完全混合活性污泥法系统的结果大体上一致,并求得本试验条件下的最小污泥龄θ_s~m为0.55～0.85天,曝气开始时与终了时污泥的初期氧吸收速率之比为4左右。     

氧化塘系统预处理措施研究

一、预处理必要性 目前,国内大多数氧化塘由于预处理不当或根本无预处理,使运行过程中底泥淤积严重,导致塘有效容积急剧减小或塘失效。表1是对国内若干氧化塘积泥情况的统计。 影响氧化塘积泥速率的因素很多,研究表明:污水中较高的可沉性悬浮固体浓度及