高职高专《微机原理与接口技术》课程改革与实践

《微机原理与接口技术》2006获批为浙江水利水电专科学校的重点建设课程.几年来,围绕该课程进行了一系列改革和实践.从该校高职高专计算机应用技术专业的专业定位出发,阐述了在教学内容、教学方法和教学手段及教学组织模式等方面所采取的一些具体措施.     

昆山有机农场系列——游客互动中心

正2014年夏天,游客互动中心成为继采摘亭之后,在昆山的悦丰岛有机农场系列建筑中第二座建成的房子。游客互动中心位于农场的东南角,由一个多功能活动空间、一个宠物寄养站和一个用于后勤办公的保留民房组成。从农场方向望去,建筑是由前后两道半透明的"屏幕"界面组成的,其形态上呈现的鲜明的水平延展的特征和安静的气质,回应着这座湖边农场开阔平坦的大地景观与其自然氛围。     

CO2激光、Nd：YAG激光和准分子激光熔覆特性的比较

对CO2、YAG和准分子激光器输出特性、吸收率、光强空间分布、熔覆特性和加工性能进行了比较.CO2和Nd: YAG激光空间分布的横截面图为高斯形,而准分子激光空间分布的横截面图为矩形.3种激光器的吸收率和加工精度依次是:准分子激光>Nd: YAG激光>CO2激光.3种激光器的平均输出功率和光斑直径依次是:准分子激光相似文献   

Al-Mg-Si-Cu合金近液相线半连续铸造组织研究

采用近液相线半连续铸造方法制备了Al-1.2Mg-0.8Si-0.4Cu合金半同态锭坯,研究了浇注温度和铸造速度对锭坯微观组织的影响.合金熔体在750℃下浇注,组织不均匀,边部是细小的晶粒,1/2半径和中心部位是粗大的枝晶,最小晶粒直径25 μm,最大晶粒直径达220μm;660℃保温后浇注,可以获得适合半固态加工的均匀、细小的近球形组织,锭坯中心和边部组织差异小,平均品粒尺寸为36.5μm;铸造速度达150 mmm/min时有利于均匀、细小的近球形组织形成.结果表明,对于Al-1.2Mg-0.8Si-0.4Cu铝合金采用近液相线半连续铸造可以获得理想的半固态浆料.     

激光金属直接制造中工艺参数对粉末利用率影响的模拟研究

为了获得激光金属直接制造中工艺参数对金属粉末利用率的影响规律,建立了粒子被熔池吸收的物理模型,应用气固两相流理论对其模型的流场进行了数值模拟,采用FLUENT软件中的离散相模型中的欧拉-拉格朗日类中的颗粒轨道模型实现了粉末颗粒的跟踪,计算了流场中的粉末颗粒的浓度及速度分布规律.计算结果表明:随激光光斑直径、激光功率的增大和扫描速度的减小,粉末利用率会随之增大;随载气速度、送粉量及保护气流量的增加,粉末利用率呈现先增大后减小的趋势.所得结果对试验选择加工工艺参数具有参考价值.     

利用磷脂酶控制旧报纸浆中胶黏物的含量及表面黏性

采用磷脂酶控制旧报纸浆(ONP浆)中的胶黏物,探究其最佳处理条件,考察磷脂酶处理后ONP浆中胶黏物的含量及表面黏性变化,并与脂肪酶控制效果作比较。结果表明,磷脂酶控制ONP浆中胶黏物的最佳处理条件为:温度60℃,p H值5.5,磷脂酶用量0.1%,时间2 h。在最佳处理条件下,磷脂酶对大胶黏物的去除率达70.2%,较脂肪酶对大胶黏物的去除率高18.2个百分点;磷脂酶处理后浆料滤液的阳离子需求量(CD值)、浊度及粒径均有下降,潜在二次胶黏物含量下降,同时胶黏物的表面黏性明显下降。磷脂酶和脂肪酶在各自最佳条件下处理胶黏物,磷脂酶处理后胶黏物含量及表面黏性下降更明显,对胶黏物控制效果较好。     

国内智能电器的现状与发展趋势

文中结合国内外智能电器的现状，论述了智能电器的网络化和信息化，阐述了国内智能脱扣器的发展与技术特性，并对影响智能电器发展的关键技术进行了探讨。     

功率场效应晶体管MOSFET（三）

MOSFET漏源之间的电流通过一个沟道(Channel)上的栅(gate)来控制。按MOSFET的原意，MOS代表金属(Metal)氧化物(Oxide)-半导体(Semiconductor)，即以金属层(M)的栅极隔着氧化层（O)利用电场的效应来控制半导体(S)。FET(Field Effect Transistor，场效应晶体管)的名字也由此而来。然而HEXFET中的栅极并不是金属做的，而是用多晶硅(polysilicon)来做栅极，这也就是图中所注明的硅栅极(silicon gate)。IR在1978年时是用金属做栅极的，1979年的GEN-1 HEXFET是世界上第一个采用多晶硅栅极的多原胞型功率MOSFET。     

浅析先进制造技术

文中就制造技术的发展和先进制造技术的产业,阐述了先进制造技术与综合国力的战略关系。当今世界制造业,伴随柔性制造技术而形成的柔性生产及计算机集成制造系统已成为制造业发展总体趋势,我国的制造企业要创新出适合我国国情的先进生产模式和管理技术。