硬质合金YG8衬底直接沉积金刚石薄膜的探讨

在硬质合金衬底上直接沉积金刚石薄膜．总是伴随着石墨化过程．钴是促进石墨生长的积极因素。由于衬底温度决定氢原子的活性和钴的扩散方式．因而它是金刚石形核和生长的关键条件。在合适的衬底温度下，金刚石能形成均匀连续的薄膜。     

金刚石薄膜半导体研究进展及其应用前景

ＣＶＤ金刚石薄膜是一种有发展前途的半导体材料，近几年来国内外研究了得了一定进展，目前采取的主要研究技术是在非金刚石衬底上生长掺杂金刚石多晶膜，其应用方向是耐高温和抗辐射的半导体器件。尽管金刚石薄膜半导体还有许多问题极待解决但其应用前景十分广阔，到２０００年以后，市场销售额将超过金刚石膜工具而跃居首位。     

热丝CVD法变压沉积金刚石薄膜

在热丝化学气相沉积系统中，采用变压沉积金刚石薄膜，晶粒生长速率显著提高，而孪晶密度下降。     

衬底温度对直流磁控溅射沉积AlN薄膜组织结构的影响

采用直流反应磁控溅射法在不同衬底温度(20～490 ℃)下沉积了AlN薄膜, 用XRD分析了薄膜的择优取向, 用高分辨场发射扫描电镜来表征了薄膜的表面型貌。实验结果表明, 当衬底处在20 ℃冷却的样品台沉积AlN时其上没有晶态的薄膜生成; 衬底处于等离子体自加热时, 薄膜具有混合的取向; 随着温度的升高, 薄膜的(002)晶面择优取向度逐渐增大, 薄膜的结晶度越来越高, 同时更加致密化。当温度到达 400 ℃时, (002)晶面取向度达到最大。温度达到490 ℃时, 薄膜再度出现了明显的(100), (101)晶面的衍射峰。     

Enhanced adhesion of Cu-W thin films by ion beam assisting bombardment implanting

Cu-W thin film with high W content was deposited by dual-target DC-magnetron co-sputtering technology. Effects of the substrates surface treating technique on the adhesive strength of Cu-W thin films were studied. It is found that the technique of ion beam assisting bombardment implanting of W particles can remarkably improve the adhesive property of Cu-W thin films. Indentation and scratching test show that, the critical load is doubled over than the sample only sputter-cleaned by ion beam. The enhancing mechanism of ion beam assisting bombardment implanting of Cu-W thin films was analyzed. With the help of mid-energy Ar^＋ ion beam, W atoms can diffuse into the Fe-substrate surface layer; Fe atoms in the substrate surface layer and W atoms interlace with one another; and microcosmic mechanical meshing and diffusing combination on atom-scale among the Fe and W atoms through the film/substrate interface can be formed. The wettability and thermal expansion properties of the W atoms diffusion zone containing plentiful W atoms are close to those of pure W or W-based Cu-W film.     

左右手材料构成的双层结构的转移矩阵

推导出了由左右手材料构成的双层结构的转移矩阵.利用这个转移矩阵,推导出了由左右手材料交替构成的一维光子晶体的色散关系.     

W-Cu薄膜沉积初期亚稳态固溶体形成机制

采用直流双靶磁控溅射共沉积的方法制备了W含量为75%(原子分数)的W-Cu薄膜,并通过EDS、XRD、SEM、TEM等对W-Cu薄膜沉积初期的微观形貌及组织结构进行了表征和分析。结果表明,沉积初期,随着沉积时间延长,W-Cu薄膜有逐渐晶化的趋势,并形成了W(Cu)基亚稳态固溶体,且Cu在W中的固溶度逐渐增加。沉积10s时薄膜呈长程无序、短程有序的非晶态,局部有由于靶材粒子扩散不充分而形成的小于5nm的W、Cu纳米晶;20s时局部纳米晶消失但晶化程度升高;30s时晶化显著。沉积初期W-Cu薄膜随沉积时间延长逐渐晶化的原因是沉积过程中高能量的原子或原子团与已沉积的原子碰撞,传递能量,促进原子进一步扩散,克服了薄膜的晶化形成能,从而形成了亚稳态的W(Cu)固溶体。     

低合金钢表面离子束改性类金刚石涂层的研究

在低合金钢表面离子束合成类金刚石改性涂层, 显微硬度达２ ０００～３ ０００ ｋｇ／ｍ ｍ ２, 电阻率达１０８～１０１２Ω·ｃｍ 水平, 使其具有优良的耐磨耐蚀性。由于良好的冷却, 能量小于１ ０００ ｅＶ 的离子束不会使衬底钢组织产生明显变化, 但离子束能量对类金刚石膜显微硬度、电阻率及生长速率具有显著影响。     

热丝CVD法沉积金刚石薄膜用灯丝研究现状及改进

热丝化学气相(CVD)法沉积金刚石具有其它沉积方法所无法比拟的优势而受到重视,然而在高温沉积过程中灯丝容易发生形变和挥发所带来的“污染”影响了金刚石沉积膜的质量,本文就热丝法中三种常用灯丝(钨丝、钼丝和铼丝)的高温行为的研究现状进行了综合评述。在此基础上,提出了钽丝表面包钨的新实验,以进一步指导热丝CVD法沉积高质量的金刚石。     

铜钨(钼)薄膜的结构演变及性能

阐述了Cu-W(Mo)薄膜结构的演变与各种条件的关系,并分析了结构演变后薄膜的性能变化.结果表明,沉积条件、退火、离子束的轰击、辐照和薄膜成分比的变化都能引起薄膜的结构演变,其中离子束的轰击与辐熙是研究薄膜结构变化的主要手段.