全文获取类型
收费全文 | 539篇 |
免费 | 25篇 |
国内免费 | 28篇 |
专业分类
电工技术 | 77篇 |
综合类 | 32篇 |
化学工业 | 58篇 |
金属工艺 | 41篇 |
机械仪表 | 41篇 |
建筑科学 | 57篇 |
矿业工程 | 6篇 |
能源动力 | 15篇 |
轻工业 | 19篇 |
水利工程 | 27篇 |
石油天然气 | 54篇 |
武器工业 | 1篇 |
无线电 | 41篇 |
一般工业技术 | 53篇 |
冶金工业 | 21篇 |
原子能技术 | 2篇 |
自动化技术 | 47篇 |
出版年
2024年 | 8篇 |
2023年 | 19篇 |
2022年 | 25篇 |
2021年 | 23篇 |
2020年 | 19篇 |
2019年 | 34篇 |
2018年 | 28篇 |
2017年 | 14篇 |
2016年 | 20篇 |
2015年 | 22篇 |
2014年 | 41篇 |
2013年 | 43篇 |
2012年 | 40篇 |
2011年 | 37篇 |
2010年 | 40篇 |
2009年 | 21篇 |
2008年 | 20篇 |
2007年 | 20篇 |
2006年 | 10篇 |
2005年 | 13篇 |
2004年 | 11篇 |
2003年 | 9篇 |
2002年 | 1篇 |
2001年 | 8篇 |
2000年 | 16篇 |
1999年 | 7篇 |
1998年 | 9篇 |
1997年 | 11篇 |
1996年 | 4篇 |
1995年 | 10篇 |
1994年 | 3篇 |
1993年 | 4篇 |
1991年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
排序方式: 共有592条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
32.
薄壁门窗型材挤压的有限体积分步模拟 总被引:5,自引:0,他引:5
研究了有限体积分步求解方法,实现了各分步有限体积模拟系统的数据传递和信息继承.针对薄壁门窗型材制品壁薄且纵向尺寸大的特点,采用了有限体积分步模拟方法对其挤压成形进行了模拟,并与有限元模拟、有限体积一步模拟进行了对比.结果表明:1)有限元模拟往往会因为网格重划分问题造成模拟结果严重失真;2)有限体积法-步模拟又对计算机资源有较高要求,往往会因为内存不足造成计算无法进行下去;3)有限体积分步模拟方法模拟精度最高,可以很好地解决大尺寸薄壁型材制品挤压成形的数值模拟问题. 相似文献
33.
阴极阵列形貌是影响场致发射材料发光性能的关键因素。以Czochralski(Cz)法制备的Si-TaSi2共晶复合材料为场发射阴极材料,采用湿法腐蚀制备Si基TaSi2尖锥型场发射阴极阵列。通过调整腐蚀液配比、腐蚀时间和腐蚀液温度,研究了不同腐蚀条件对Si基TaSi2尖锥形貌及阴极阵列制备的影响,获得了Si基TaSi2尖锥阴极阵列的最佳制备工艺,并对其场发射性能进行了测试。结果表明:在室温17℃,腐蚀液配比v(HF)∶v(HNO3)=1∶4,腐蚀时间15 min下得到了高长径比的TaSi2尖锥,阵列具有较好的场发射性能,开启场强为3.84 V/μm。 相似文献
34.
Ti/Cu/Ti部分瞬间液相连接Si_3N_4的界面反应和连接强度 总被引:2,自引:0,他引:2
用Ti/Cu/Ti多层中间层在 12 73K进行氮化硅陶瓷部分瞬间液相连接 ,实验考察了保温时间对连接强度的影响。用SEM ,EPMA和XRD对连接界面进行微观分析 ,并用扩散路径理论 ,研究了界面反应产物的形成过程。结果表明 :在连接过程中 ,Cu与Ti相互扩散 ,形成Ti活度较高的液相 ,并与氮化硅发生反应 ,在界面形成Si3N4 /TiN/Ti5Si3 Ti5Si4 TiSi2 /TiSi2 Cu3Ti2 (Si) /Cu的梯度层。保温时间主要是通过影响接头反应层厚度和残余热应力大小而影响接头的连接强度 相似文献
35.
介绍了一种新型列车预警器的研制.该仪器由主站和分站构成,均使用单片机微控制器来控制.分站通过磁钢传感器采集列车速度和方向信号,通过无线收发模块与主站通讯.主站处理接收到的信息并实现数据存储、通讯、检索和基于ISD4004芯片的语音播报提示等强大的功能.在硬件电路设计中,分站系统主要考虑实现低功耗的问题,主站则采用了混合电源设计和多机通讯等独特的技术.该仪器经9个月的运行,性能可靠. 相似文献
36.
37.
38.
39.