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利用两步机械球磨法制备了薄片状的Fe-CoB纳米晶材料,并研究了B含量对材料物相结构、静态磁性能、微波电磁参数和吸波性能的影响。结果表明,适当地加入非晶B会加强晶相与非晶相的交换耦合作用,从而使FeCoB的磁导率随着B含量的增加先增大后减小,复介电常数则随着B含量的增加单调降低,显著地改善了吸波材料的阻抗匹配特性。通过计算机模拟表明,与未添加非晶B的样品相比,FeCoB纳米晶材料在低频端有优异的吸波性能。当B含量从3%变化到15%时,在1.8~6.7GHz范围内的吸收强度均-6dB,可应用于拓展吸波材料吸收带宽的设计中。 相似文献
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采用低分子聚氮硅烷气相裂解反应工艺 ,制备了Si C N复合纳米微粉。通过XRD、XPS、TEM、HREM等方法 ,对Si C N纳米微粉的组成与结构进行了分析。结果表明 :Si C N纳米微粉为无定形结构 ,局部有短程有序态存在。随裂解气氛的不同 ,Si、C、N元素的相对含量及存在状态也不同 相似文献
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通过射频磁控溅射,在溅射气体为Ar,气压为1Pa,溅射功率为120W时分别在聚氨酯和玻璃基底上沉积了不同厚度的Bi2Te3薄膜。Bi2Te3薄膜主要是以(221)晶面平行于基底进行外延生长,先在基底形成大量微小晶粒,合并长大成典型的纤维状组织结构。在此条件下薄膜生长速率为26nm/min,通过控制溅射时间可沉积几纳米到几微米不同厚度的薄膜。得到的p-型半导体Bi2Te3薄膜,其电阻率随薄膜厚度的增大而减小。 相似文献
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