Cu金属化系统双扩散阻挡层的研究

采用二次离子质谱仪（SIMSl测试了SiON和Ta双层扩散阻挡层及Ta扩散阻挡层的阻挡性能;采用X射线衍射仪（XRD）测量了沉积态有Ta阻挡层和无阻挡层Cu膜的晶体学取向结构;利用电子薄膜应力测试仪测量了具有双层阻挡层Cu膜的应力分布状况。测试结果表明,双阻挡层中Ta黏附层有效地将Cu附着于Si基片上,并对Cu具有一定的阻挡效果,而SiON层则有效地阻止了Cu向SiO2中的扩散。与Ta阻挡层相比,双阻挡层具有较好阻挡性能。有Ta阻挡层的Cu膜的（111）织构明显强于无阻挡层的Cu膜。离子注氮后,薄膜样品应力平均值为206MPa;而电镀Cu膜后,样品应力平均值为-661．7MPa。     

介绍一套性能优异的Hi—Fi级家庭影院器材

笔者自认为是有一定基础的发烧友,各种家庭影院器材虽琳琅满目,但深入分析,大致归纳为二类“发烧”玩法:一类为纯AV,这一类多采用3D系统,玩AV尚可,听Hi—Fi却实在不敢恭维。另一类是Hi—Fi型玩法。这类玩法的特点是器材搭配灵活,能充分兼顾Hi—Fi与AV,而且升级容易,是目前众多发烧友普遍采用的一种玩法。笔者经过对市场上多种器材的分析试听比较后,精心搭配了一套家庭影院系统。经邀请多位资深发烧友试听欣赏,无不为其声像合一,声场宏大的     

光学瞄具三轴一致性检测系统研究

针对光学瞄具三轴一致性参数对其性能产生的影响,设计一套采用离轴抛物镜、两块分光镜及高精度CCD相机等关键技术,实现光学瞄具白光瞄准轴、红外瞄准轴、激光发射轴三轴一致性检测的系统。分析系统成像光路,建立了三轴一致性的数学计算模型,对检测方法中误差因素进行测量、分析,最后采用精度为0.5″的自准直经纬仪对检测系统进行标定,实验结果表明,检测系统测量误差〈3″。     

红外加热吸附反应外延系统的温度均匀性研究

为指导全新的吸附反应外延技术ARE(Absorption Reaction Epitaxy, ARE)设备红外热源的设计,分析在真空腔室中红外管阵列的热流分布。通过对灯管阵列灯管数量、灯管间距、灯阵与硅片之间距离等设计参数。采用COMSOL Multiphysics软件进行仿真模拟,研究了以红外为热源的设备腔室及硅片温度场分布情况,实测硅片表面温度及均匀性与仿真基本吻合。结果表明在保证源在硅片表面良好扩散效果的同时,当灯管阵列灯管长度为200 mm,数量为11根,间距10 mm,距离硅片15 mm时硅片表面温度不均匀度达到0.683%,满足红外加热吸附反应外延工艺需求,可为ARE红外热源及腔室设计提供参考。     

半导体器件测试设备中的微弱电流测量模块设计

在半导体测试中,需要测量μA～pA级的微弱电流,而且测量时检流计有多种可能的接入方式。为适应电流测量范围并实现接入方式的灵活性,设计了一种微弱电流检测模块,它基于低偏置电流的互阻放大器,由单片机实现A/D转换和自动量程选择,采用信号与电源分别隔离的方式实现可变的接入方式,并采取了多项措施提高精度、保护模块。该模块实现了10 pA的分辨能力和0.1%的量程内积分非线性,已经达到半导体测试设备中电流检测范围和精度的要求,并有望运用于光电测量、核电子测量等其他微弱电流检测领域。     

基于模型的无线信道分组传输特性仿真研究

结合使用Gilbert模型和Jakes改进模型,对无线移动信道模型进行仿真,准确地模拟了实际中的无线多径衰落信道。改进的信道模型中增加了突发错误状态,更加符合实际信道特征。仿真结果证明了丢包率与分组大小之间近似为线性关系,曲线的斜率随误比特率的增长呈线性增长模式。     

原子层沉积生长速率的控制研究进展

原子层沉积生长技术(ALD)是以表面自限制化学反应为机制的薄膜沉积技术, 可以一层一层地生长薄膜。该技术具有生长温度低、沉积厚度精确可控、保形性好和均匀性高等优点, 逐渐成为制备薄膜材料最具发展潜力的薄膜生长技术。作为ALD技术中一个关键的指标--生长速率, 不仅对沉积所得薄膜的晶体质量、致密度起重要作用, 更重要的是影响集成电路的生产效率。本文综述了近年来ALD生长机制和生长速率方面的研究结果, 以及ALD技术生长速率的影响因素, 并分析探讨了提高和改善ALD生长速率的方法以及研究趋势。     

AlGaN/GaN异质结极化行为与二维电子气

AlGaN/GaN异质结及其相关器件因其优越的电学特性成为近几年的研究热点.2DEG作为其特征与材料本身的极化现象关系密切.本文主要从晶体微观结构角度介绍AlGaN/GaN异质结极化现象的产生、机理和方向性,着重讨论极化对异质结界面处诱生的二维电子气的影响.极化不仅可提高2DEG的浓度,而且还能使其迁移率得到提高.     

结构多目标拓扑优化目标函数构建方法的研究

为实现结构材料的多目标拓扑优化设计,基于数学规划法提出一种广义的平均距离法,用以研究多目标拓扑优化目标函数的构建方法。介绍了运用平均距离法演变的将多目标转化为单目标的多种方法,并以汽车悬架控制臂为实例,应用演变的多种方法进行拓扑优化仿真研究。研究表明：运用平均距离法演变的多种方法可以灵活地构建多目标优化目标函数,基于所构建的目标函数可以寻找较优的构建方法,更好地将平均距离理念应用于多目标结构优化设计。     

原子层沉积技术生长单质钨薄膜

采用热型原子层沉积(ALD)技术在单晶硅基底上成功制备了单质钨薄膜。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、掠入射X射线衍射仪(GIXRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、四探针测试仪对样品的生长速率、晶体结构、薄膜成分以及电阻率进行了表征和分析。结果表明,热型原子层沉积技术生长单质钨薄膜的温度窗口为200～250℃,生长的薄膜呈多晶态,由较小粒径的颗粒组成,具有(210)晶面择优取向。XPS测试表明薄膜中W 4f_7/2、W 4f_5/2及W 5p_3/2的特征峰分别位于31.5～31.6、33.5～33.7及36.9～37.1 eV结合能位置处,主要含有W、C、O等元素。生长的单质钨薄膜为β相钨,电阻率为1.6×10^-4～3.0×10^-4Ω·cm。