阳极氧化铝的原子层淀积封孔研究

制备了多孔阳极氧化铝,利用原子层淀积技术对其封孔,借助场发射扫描电镜(SEM)分析了样品的表面及剖面形貌,对样品进行染色处理,利用酸性点滴试验测试样品抗腐蚀性能。结果表明:阳极氧化处理形成大孔径约为16 nm的多孔膜,多孔膜在循环50次的原子层淀积下能实现表面封孔而内部有空结构;经封孔后的样品抗染色及抗腐蚀能力增强。     

功率VDMOS晶体管的抗总剂量辐照研究

对2种不同结构的功率VDMOS晶体管进行了总剂量辐照的试验研究,条形栅结构比元胞型结构具有抗总剂量辐照的结构优势,中国科学院微电子研究所利用条形栅结构制作出高抗总剂量辐照能力的功率VDMOS晶体管,抗总剂量能力可达1 400 krad(Si)以上.     

一种基于改进的GVF-Snake模型的车辆跟踪算法

提出一种基于改进的GVF-Snake模型(基于梯度矢量流的活动轮廓模型)的车辆跟踪算法.该算法利用帧差法自动获取车辆的初始轮廓,通过改进的GVF-Snake模型,从车辆视频流中准确提取出车辆的轮廓.为提高计算速度,改进的GVF-Snake模型采用贪心算法逐点迭代,并根据控制点的距离,自适应地增删控制点,以适应车辆目标大小变化.在此基础上,应用预测算法对车辆进行快速准确的跟踪.实验结果验证该算法的有效性.     

利用射频磁控溅射制作高性能铁磁性薄膜的研究

讨论了用射频（ＲＦ）磁控溅射制作铁磁性薄膜工艺，合适的工艺参数能够获得较低的矫顽力Ｈｃ＝６Ｏｅ。用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）研究膜表面情况及氧化深度。     

集束型多层纳米薄膜沉积设备的研制

运用模块化的设计构想,将等离子体增强原子层沉积工艺单元、热型原子层沉积工艺单元,直流磁控溅射单元和射频磁控溅射工艺单元进行高度优化集成,研制了集束型多层纳米薄膜沉积设备。设备创新采用真空旋转传输平台,替代了传统集成设备的机械手结构,实现了样品在高真空(5×10^-5 Pa)中传输,而且传输速度快(2~3 s),有效地减少污染,保证样品表面物性的稳定。设备可在全真空的环境下,实现多层纳米薄膜的制备,同时可以对薄膜生长实现原子层精度的控制。设备的磁控溅射工艺平台可以安装金属掩膜板,直接制备图形薄膜。另外设备具有非常灵活的扩展性,针对薄膜工艺需求的不同,可以集成其他的薄膜制备工艺单元。     

多晶黑硅的制备及其组织性能

利用等离子体浸没离子注入技术在多晶硅基底上制备了黑硅材料,利用扫描电镜、分光光度计和微波光电导衰减测试仪对黑硅的组织结构、光吸收率和少数载流子寿命进行了测试分析,发现黑硅呈现多孔组织,在可见光波段的平均吸收率大于94%,其平均少数载流子寿命为5.68μs.研究了注入工艺参数对黑硅的影响,发现工作气体SF₆和O₂流量比对黑硅的组织性能影响最大,当其为2.80时制备的黑硅组织性能最好.     

以注氮SiO_2作为铜互连技术中的新型阻挡层

采用给 PECVD Si O2 中注入氮的方法 ,形成一薄层氮氧化硅 ,以此作为一种新型的扩散阻挡层 .不同热偏压条件下的 C- V测试结果和 XPS分析结果表明 ,该方法能起到对铜扩散的有效阻挡作用     

基于SOPC的宽幅喷墨打印机控制系统

针对宽幅喷墨打印机大量图像数据的传输和处理、系统运动控制器的复杂算法实现及产品后续的升级开发等问题,采用Nios II嵌入式软核处理器为核心,通过添加外围相应的存储、通信及控制模块,设计基于可编程片上系统的宽幅喷墨打印机控制系统。实验结果表明,该系统集成度高、对大量图像数据的传输和处理速度快、工作可靠性好。     

ULSI中Cu互连线的显微结构及可靠性

观察了ULSI中大马士革结构的Cu互连线的晶粒生长和晶体学取向.分析了线宽及退火对Cu互连线显微结构及电徙动的影响.Cu互连线的晶粒尺寸随着线宽的变窄而减小.与平坦Cu膜相比,Cu互连线形成微小的晶粒和较弱的 (111) 织构.300℃、30min退火促使Cu互连线的晶粒长大、(111) 织构发展,从而提高了Cu互连线抗电徙动的能力.结果表明,Cu的扩散涉及晶界扩散与界面扩散,而对于较窄线宽的Cu互连线,界面扩散成为Cu互连线电徙动失效的主要扩散途径.     

多车程多时间窗车辆路径问题研究

针对末端物流中配送车辆多趟次运输、客户对配送服务时间的多样化需求,研究多车程多时间窗车辆路径问题。构造该问题的最小化车辆数量和总运输成本的双目标混合整数规划模型,设计改进的自适应大邻域搜索算法对其求解;构建了基于路径、车程及客户点3个层级上的多种高效的破坏算子和修复算子来扩大解的搜索空间;使用自适应策略选择高效的搜索算子,以及引入模拟退火新解接受准则避免陷入局部最优解来提高搜索效率。通过多种规模算例实验结果分析,验证了改进的自适应大邻域搜索算法的优越性,并分析了考虑多车程的模型对总运输成本的影响。