全固态高效率射频电源

射频电源作为微电子设备如刻蚀机、溅射台和PECVD等的核心部件,其性能的好坏直接关系到整个设备的性能。固态射频电源采用E类MOSFET功率放大器,通过适当的阻抗匹配网络,最终的射频电源在500 W的额定功率下,功率转换效率可以达到84%,微电子设备真空腔室内的等离子体启辉时,其阻抗变化范围很大且速度很快。目前匹配速度最快的MKS的自动匹配器(在允许匹配范围内匹配到50Ω时用时3~5 s)也很难实时跟上,所以固态射频电源必须能够承受500 W功率的反射至少3~5 s。经过实验后,本固态射频电源完全可以承受500 W功率的全反射30 s左右。     

图形化蓝宝石衬底技术综述

采用图形化蓝宝石衬底(PSS)技术可以降低GaN外延层材料位错密度,提高了发光二极管(LED)的内量子效率(IQE),同时使LED光析出率(LEE)提高。基于PSS技术可以制作高效GaN基高亮度LED。基于已公开发表文献对用于高效LED制作的PSS技术做了综述,介绍了PSS技术演化、PSS的制作方法与主要的图形结构、PSS上GaN外延层生长机制以及PSS对LED性能的影响。PSS结构对LED的IQE与LEE均有提高,但对二者哪个提高更为有效没有定论,最近的研究结果倾向于以为对LEE提高更为有效。PSS对LED的IQE与LEE提高的机制目前并不是非常清楚,对公开发表的PSS对LEE的提高机制提出了不同看法。不同PSS结构与尺寸对GaN质量以及LED性能的影响方面的研究目前还非常缺乏。     

基于视频的智能交通系统的研究

目前，视频序列中的车辆运动检测是图像处理领域中最重要的研究课题之一。它的核心内容是应用图像处理技术从包含车辆信息的图像序列中检测车辆、提取车辆特征和状态、并预测和跟踪车辆的轨迹。车辆的运动检测系统一般包含运动检测、车辆提取、车辆跟踪。从这三个方面回顾车辆运动检测技术目前的发展水平和常用的处理方法，分析研究难点和未来的发展趋势。     

聚焦视频交互式多媒体业务：视频交互式多媒体业务研究进展

随着互联网和移动通信网的逐渐普及,视频交互式多媒体业务迅速发展,带来了庞大的市场和产业价值,成为未来通信业务新的增长点。本文首先介绍了国内外视频交互式多媒体业务的开展情况,然后,从共性技术、基础标准．系统标准和系统平台四个方面详细介绍了视频交互式多媒体业务的技术体系。近年来视频交互式多媒体业务技术变化日新月异,新技术层出不穷,极大地提高了业务的服务质量。本文最后着重介绍了视频交互式多媒体业务中的虚拟现实技术、视频转码技术、多媒体检索技术及最新技术进展及其给视频交互式多媒体业务所带来的变化。     

Cu互连线显微结构和应力的AFM及SNAM分析

在ULSI中采用Cu互连线代替Al以增加电子器件的传输速度和提高器件的可靠性，Cu的激活能约为1．2eV，而Al的激活能约为0．7eV,Cu互连线寿命约为Al的3－5倍。Cu大马士革互连线的制备工艺为：在硅衬底上热氧化生成的SiO2上开出凹槽，在凹槽中先后沉积阻挡层Ta和晶种层Cu，然后由电镀的Cu层将凹槽填满，最后采用化学机械抛光将凹槽外多余的Cu研磨掉，Cu互连线的尺寸为：200um长，0．5μm厚，宽度分别为0．35，0．5，1至3μm不等，部分样品分别在200℃，300℃和450℃下经过30min退火。利用原子力显微镜（AFM）和扫描近场声学显微镜（SNAM），同时获得形貌像和声像，分别了Cu大马士革凹槽构造引起的机械应力和沉积引起的热应力对Cu互连线显微结构及可靠性的影响，SNAM是在Topometrix公司AFM基础上建造的实验装置，实验采用的机械振动频率在600Hz-100kHz之间。分析测试结果如下：1．AFM和SNAM可以实现对微米和亚微米特征尺寸的Cu互连线的局域应力分布和显微结构的原位分析。2．采用AFM，TEM、XRD观察和测试了Cu互连线的晶体结构，分析了大马士革凹槽工艺 对Cu晶粒尺寸及取向的影响。平坦的沉积态Cu膜的晶粒尺寸约为100nm；而由大马士革工艺制备的凹槽中的Cu互连线的晶粒尺寸约为70－80nm，凹槽结构抑制了晶粒生长，平坦的沉积态Cu膜有较强的（111）织构；而凹槽中的Cu互连线的（111）织构减弱，（200）和其它的晶体取向分量增强。3．SNAM声阻尼信号对材料局域应力的变化敏感，SNAM声图衬底可显示出局域应力的分布，在沉积态的Cu互连线声图中，金属和SiO2介电层的界面处像衬度强，表明该处为应力较高的区域，而在退火后的Cu互连线的声图中，金属和SiO2介电层的界面处像衬度弱，表明退火后该处应力减小，我们对Cu膜进行了宏观应力的测试，退火后应力值从沉积态的661MPa减少至359Mpa，这与SNAM声成像的结果相符合。     

偏栅Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT的二维模拟与特性分析

采用泊松方程-薛定谔方程-流体力学方程组自洽求解的方法,对偏栅AlGaN/GaN HEMT器件的电学特性进行了二维模拟。通过与传统正栅器件的模拟结果对比分析,可以看出,偏栅结构除了可以提高器件的击穿电压外,还可以提高直流输出电流和跨导,对输出特性和转移特性均有一定的提高。     

100V高压pMOS器件研制

研制出适用于100V高压集成电路的厚栅氧高压pMOS器件. 在器件设计过程中利用TCAD软件对器件结构及性能进行了模拟和优化，开发出与0.8μm n阱标准CMOS工艺兼容的高压工艺流程，并试制成功. 实验结果表明，该器件关态击穿电压为-158V，栅压-100V时饱和驱动电流达17mA (W/L=100μm/2μm) ，可以在100V高压下安全工作.     

功率MOSFET器件SEGR敏感区域的模拟研究

单粒子栅极穿通（SEGR）是功率MOSFET器件在空间应用时非常重要的失效模式。功率MOSFET的元胞区被普遍认为是对SEGR最敏感的区域。然而试验结果表明SEGR可能会发生在栅极的走线区域,而不是元胞区域。本文通过仿真软件对功率MOSFET内部的三种结构进行模拟评估,发现如果满足某些条件,元胞区域以外的区域可能成为SEGR的敏感区域。最后,对于不同区域本为给出了抑制SEGR的建议。     

1OOV高压pMOS器件研制

研制出适用于100V高压集成电路的厚栅氧高压pMOS器件.在器件设计过程中利用TCAD软件对器件结构及性能进行了模拟和优化,开发出与0.8μm n阱标准CMOS工艺兼容的高压工艺流程,并试制成功.实验结果表明,该器件关态击穿电压为-158V,栅压-100V时饱和驱动电流达17mA(W/L=100μm/2μm),可以在100V高压下安全工作.     

ULSI铜互连线技术中的电镀工艺

通过对电镀液中加入适当的整平剂和采用三步电流法 ,成功地将工业镀铜技术应用于 UL SI铜互连线技术中 ,实现了对高宽比为 1μm∶ 0 .6 μm的刻孔的无空洞、无裂缝填充 .方阻测试表明 ,所镀铜膜的电阻率为2 .0 μΩ· cm,X射线衍射分析结果显示出的 Cu(111)的致密结构非常有利于互连线技术中高抗电迁移性要求