利用高密度电阻率法确定滑坡面研究

高密度电阻率法探测是滑坡面探测的有效手段，而适宜的现场工作方案和相应的资料解译模型是获取可靠探测成果的前提。针对高密度电阻率法探测中常用的4类电极排列方式，即温纳、施龙贝格、偶极、二极装置，利用有限元方法二维正演模拟建立了均质土坡滑面、软弱夹层滑面、堆积层滑面、构造破碎带滑面的标准地电模型剖面；明确了进行不同类型滑坡工程地质调查时不同电测装置的探测能力和视电阻率异常模式；提出了复杂地质条件卜斜坡问题探测数据有效处理的设计比值参数方法。最后给出2个利用高密度电阻率法进行滑坡工程地质调查的典型研究实例。     

水平双向地震作用下基础隔震结构支座位移的确定

对不同场地条件下,不同周期的基础隔震结构在水平双向和单向地震作用下的隔震支座位移进行了对比分析,表明水平双向地震作用下隔震支座的总位移均明显大于水平单向地震作用下的支座位移,其比值的平均值为1.187,因而,在简化设计中确定基础隔震结构隔震支座位移时,可将水平单向地震作用下的隔震支座位移增大20%,以考虑水平双向地震作用对基础隔震结构隔震支座位移的影响。     

单跨带洞框支密肋壁板结构墙梁中托梁内力系数分析

考虑托梁高跨比、墙体高跨比、底部框架柱的截面高度与其长度之比、墙体洞口位置诸因素,采用正交试件设计,对单跨带洞框支密肋壁板结构墙梁中洞口对托梁内力的影响进行了分析,进而通过回归分析得到了单跨带洞框支密肋壁板结构墙梁考虑墙梁组合作用的托梁内力系数.     

Zr、Cr元素对Al-Si合金电导率与力学性能的影响

通过正交试验和验证试验研究了不同的Si、Zr、Cr元素含量对Al-Si合金电导率与力学性能的影响.结果表明:当合金的成分为5%Si、0.35%Zr、0.35%Cr、1%Cu、0.5%Mg,经过T6处理后,电导率达到25.35 MS/m,抗拉强度达到361 MPa,伸长率达到2.83%,布氏硬度为109.34,均超越ZL101A.合金中的Si在改善合金力学性能的同时直接减少Al基体的有效导电截面,使合金的电导率下降;微量Zr可以在几乎不影响电导率的情况下提高合金力学性能;Cr元素对合金起到一定的强化作用.通过试验可将Al-Si合金的电导率提高5%～8%.     

Cu-11.5%Fe合金的导电性

研究了Cu-11.5?合金经固溶和时效处理后导电性的变化规律. 采用SEM和TEM观察了经不同规范热处理Cu-11.5?合金的组织结构, 利用XRD测定了铜基体的晶格常数, 得出时效处理对合金电阻率的影响规律, 并探讨了合金电阻率变化的内在原因. 结果表明: 影响合金导电性的主要因素是溶质散射电阻、析出应变场散射电阻; 固溶处理的合金经过550.℃、 2.h时效处理, 可得到较低的电阻率.     

固溶温度对CuZnAl合金形状记忆性能的影响

研究了Cu-26．87Zn-3．85Al(wt％)形状记忆合金固溶温度对其形状回复率的影响。结果表明，该合金采用固溶 上淬工艺处理后，在600℃～720℃范围内，形状回复率随着固溶温度的升高迅速增加，在720℃后趋于稳定，达到最大值；固溶温度越高，合金晶粒越大，会对其力学性能造成负面影响，在能保证合金形状记忆性能的基础上应尽量保证合金的晶粒小，因此其最佳固溶温度是720℃。将该合金在室温下自然时效一个月后，由于马氏体稳定化，其形状回复率有小幅度下降。     

双相不锈钢中奥氏体相内裂纹扩展路径的透射电镜原位观察

在透射电镜下原位观察了裂纹在双相不锈钢中的扩展过程。结果表明,裂纹在双相不锈钢中奥氏体晶粒内扩展时常呈较大的Z字形扩展路径。并且,在主裂纹前端奥氏体晶粒内形核的小裂纹与主裂纹有较强的交互作用,小裂纹尖端二次滑移系的选择和扩展路径为小裂纹尖端应力场和主裂纹尖端应力场共同支配。     

Pd_(77.5)Cu_6Si_(16.5)块体非晶合金的制备与热稳定性

采用玻璃包覆净化方法和水淬法,制备出了尺寸达7mm的Pd77.5Cu6Si16.5块体非晶合金样品。热分析结果表明,与熔体旋淬甩带法制备的Pd77.5Cu6Si16.5非晶条带样品相比,所制备的Pd77.5Cu6Si16.5块体非晶合金样品具有更低的玻璃转变温Tg、更高的初始晶化温度Tx和更宽的过冷液相温度区间ΔT(ΔT=Tx-Tg)。研究结果表明,采用玻璃包覆净化法有效去除了Pd77.5Cu6Si16.5合金熔体中的异质核心,显著提高了该合金熔体的稳定性和所制备的Pd77.5Cu6Si16.5块体非晶合金的热稳定性,提高了该合金的非晶形成能力。     

压电材料中相共存态与其性能的关系

由于铅元素有毒,研究人员正努力寻找高性能无铅压电材料以便取代含铅压电材料,因此如何开发高性能压电材料的机制就变得极为重要。此文利用6阶朗道-德文希尔模型计算了不同相共存态的自由能表达（包括单相,两相,三相以及四相共存）。通过计算结果发现,不同的相共存态对应不同的自发极化伸缩或者偏转的能垒：铁电相共存越多,则极化偏转能垒越低,而与顺电相共存,则可以极大地降低极化伸缩能垒,不同的能垒也导致了对材料压电介电性能不同的增强能力。同时,不同相共存点的实验结果也证明了这一发现。研究澄清了相共存态与其对性能增强能力的关系,而且重新将极化伸缩和偏转机制（自由能观点）转变成了更简单的相共存态机理（材料结构观点）,从而为寻找和制备高性能压电材料提供了一种更快捷的方式。     

TC4合金相变超塑性扩散连接接头组织与性能研究

在非真空条件下对TC4合金进行了恒温超塑性扩散连接及相变超塑性扩散连接。采用莱卡尔金相显微镜、扫描电镜(SEM)及电子万能试验机分别对接头的显微组织、性能及断裂机理进行了研究分析。结果表明,在非真空条件下,TC4/TC4相变超塑性扩散连接接头焊合区界面处Ti和O形成的氧化膜在高温高压下可被破坏,O元素向基体中扩散,其分布均匀,说明TC4合金在非真空条件下进行相变超塑性扩散连接是可行的。与950℃恒温超塑性扩散连接相比,TC4合金在850℃~950℃相变超塑性扩散连接所获得的接头质量更优,界面处晶粒尺寸较小,剪切强度也较高,达到612 MPa,接头断裂方式为韧性断裂。这说明相变可提高原子扩散速率,改善连接质量,并实现低温扩散。