T(d,n)4He强流中子发生器的中子能谱和角分布模拟计算

采用将厚靶分割成薄靶的方法对厚氚钛靶、260keV氘束流能量条件下T(d,n)⁴He反应中子源的能谱和角分布进行计算。以分割法计算得到的能谱和角分布数据为基础,建立了D-T中子源Monte-Carlo模拟抽样模型,在考虑中子发生器各元件材料及实验大厅墙壁对快中子的慢化、散射和吸收的条件下,采用MCNP程序对兰州大学3×10¹²s^-1强流中子发生器260keV氘束流能量下的中子能谱和角分布进行了模拟,给出了模拟结果。为检验模拟结果的可靠性,与实验测量能谱进行了比较,Monte-Carlo模拟谱和实验测量谱基本符合。     

T(d,n)4He反应快中子屏蔽体优化设计的蒙特卡罗模拟

在考虑T（d,n）^4He（D-T）反应快中子源能谱、角分布、面源结构及靶系统对中子的作用的基础上,利用MCNP程序模拟了（D-T）反应快中子在屏蔽材料中子的输运。通过屏蔽体外泄漏中子及γ射线的注量率、能谱及在水中的吸收剂量的分析,给出了满足T（d,n）^4He反应中子源快中子治疗屏蔽体的三种复合屏蔽方案。     

宇宙线μ用于反应堆燃料元件成像的尝试性模拟研究

建立了用于Monte-Carlo模拟的μ抽样模型。使用此模型,采用Geant4程序和Root软件,对核燃料元件的μ成像进行模拟研究。模拟成像结果显示,基于将多次库伦散射等效为单次散射的径迹重建方法,可实现核燃料元件的μ成像。     

离子溅射对氚钛靶寿命的影响

应用TRIM程序模拟了离子在氚钛靶上的溅射产额。结果显示,O+、N+、C+和D+2等在氚钛靶上的溅射是导致氚钛靶寿命下降的重要因素。为了减小离子溅射对氚钛靶寿命的影响,束流入射角应小于45°。     

用于产氚率测量的碳酸锂探测片液闪样品制备方法研究

氚增殖包层中产氚率测量是聚变核能系统中需要研究的重要问题之一。本文开展了用于产氚率测量的碳酸锂探测片液闪样品制备方法的研究。结果表明:采用盐酸溶解碳酸锂探测片的方式,能制备成无色、透明度高且无分层的液闪样品,相比其他混酸处理,这种方法减少了寻找混酸间最佳体积比的步骤,简化了碳酸锂探测片液闪样品制备流程。对完善制备方法的研究表明:在20 m L的液闪测量瓶中,闪烁液的体积至少为10 m L以上;碳酸锂探测片刚好溶解后,盐酸用量不能超过0.2 m L(部分不超过0.4 m L)。该方法制备的液闪样品的兼容性在较长时间是稳定存在的,但淬灭程度会有较大变化,需考虑淬灭程度的变化对氚测量的影响。     

厚靶T(d,n)4He反应加速器中子源的中子产额、能谱和角分布

本文给出一种氚钛厚靶氘氚反应加速器中子源的中子产额、能谱和角分布的计算方法,并开发了相应的计算模拟程序.用自行开发的计算程序计算了入射氘束流能量低于1.0 MeV时加速器中子源的中子产额、能谱和角分布,给出了氚钛厚靶的一些典型计算结果,并对结果的可靠性进行分析.     

组合网络的仿真研究

用模糊Modular神经网络模型进行电子回旋共振(ECR)源的智能控制的仿真实验。在以下三种情况,对ECR源智能控制能力进行了模拟：启动或重新启动;从一种控制状态到另一种控制状态;退出状态或者关机的过程。以上智能控制的研究取得了满意的结果。     

散料γ射线测厚方法的研究

散料γ射线厚度测量方法主要研究了宽束和窄束条件下，线减弱系数μ实与实验条件，散料厚度及散料含水量的变化规律，从中寻找计算散料厚度的方法，还研究了积累因子Ｂ与实验条件，散料厚度及含水量的关系，同时对实验测量的μ实与理论计算的μ理进行了比较。     

Model-predictive control of power supply for particle accelerators

In this paper, model-predictive control （MPC） is proposed for controlling power source of accelerators. The system state equa.tion is employed as the predictive model. With MPC, the difference between possible output and the ideal output is forecasted and decreased, so that the system can trace the ideal trail as closely and quickly as possible. The results of simulations and experiments show that this method can reduce influence of low frequency noise.     

D-T中子源的反冲质子望远镜模拟研究

为了设计用于监测D-T中子产额的反冲质子望远镜系统,采用MCNP程序模拟了14MeV中子在不同厚度的聚乙烯膜上产生的反冲质子的产额、能谱及角分布,通过对反冲质子的产额、能谱和角分布数据的分析,给出了用于D-T中子产额监测的反冲质子望远镜系统的聚乙烯膜最佳厚度和探测器放置位置。建立了D-T中子源模型,模拟设计了反冲质子望远镜系统,并给出了系统的探测效率。