基于BP神经网络的电子元器件寿命预测

电子元器件的寿命预测对于制订寿命试验的规划,确定所需的试验时间及试验经费,都有十分重要的指导作用.基于BP神经网络提出了一种电子元器件寿命预测的方法,该方法可对当前样本的未来观测值或未来样本的观测值进行预测.对MOS电容的加速寿命试验数据进行了仿真试验,结果表明该方法可较好地预测MOS电容在相应的应力条件下的失效时间,且精度较高.     

基于多任务嵌入式应用的MP3实时解码系统设计

给出一种基于多任务嵌入式应用的MP3实时解码系统设计方法及实现过程.该系统针对以ARM926EJ-S处理器为核心的SoC硬件平台,通过对MP3解码过程中的关键耗时模块进行算法优化,提高解码效率,达到实时播放的要求.实验结果证明,该系统可在处理器主频仅为36 MH2的条件下流畅播放MP3音乐(码率为192 kb/s).该设计特点为根据子带合成滤波中乘法运算的数据特征,巧妙地对操作数进行预移位操作,从而在保证一定数据精度的基础上缩短乘法运算的指令周期,实现解码效率的大幅度提升.提出一种利于高效任务调度的实时播放方案,对于高实时性、低功耗多任务嵌入式系统设计具有很好的参考意义.     

一种2V、9μA、15×10~(-6)/℃高电源抑制CMOS带隙电压基准源

通过分析带隙电压基准源的PSR,发现运放的PSR为1时,基准电压将具有很高的PSR.基于该思想,在带隙电压基准源中引入PSR提高电路,实现一种低功耗、低温度系数、高电源抑制能力的带隙电压基准源.该带隙电压基准源采用TSMC 0.6 μm、两层POLY、两层金属的CMOS工艺实现,芯片面积为0.0528 mm2.测试结果表明:其最大工作电流为9 μA;在2~5 V工作电压下温度系数为15×10-6/℃;线调整率为50 μV/V; 100 kHz的PSR为-70 dB.仿真与测试结果验证了该方法的有效性.     

一种快速瞬态响应无片外电容LDO

针对无片外电容LDO,在误差放大器与功率管之间添加缓冲器,采用频率补偿的方法,提高了环路稳定性。通过检测负载瞬态变化引起的误差放大器输出电压变化,增加对功率管栅极电容的充放电电流,提升了系统的快速瞬态响应能力。基于TSMC 0.18 μm标准CMOS工艺,设计了一种输入电压范围为1.92~3.60 V、输出电压为1.8 V的LDO。结果表明,负载在1 μs内从0变化到100 mA时,输出最大下冲电压为37.2 mV,响应时间为1.12 μs;负载在1 μs内从100 mA变化到0时,输出最大过冲电压为40.1 mV,响应时间为1.1 μs。     

The Influence of the Negative Radial Electric Field on the Orbit of Banana Particles in Tokamak

This paper explores the patterns of influence of the negative radial electric field on the drift displacement and trajectory of charged particles, for it is essential for further investigation into the transitional mechanism of L-H Mode. In the light of superposition between the poloidal velocity of charged particles and the E ×B drift caused by the negative radial electric field, the paper offers a theoretical analysis and value simulations. Under the action of different radial electric fields, results have been obtained in regard to changes in the velocity of charged particles (mainly ions), patterns of changes in drift displacement, regional change of banana particles, and features of transition and change between trajectories of transiting particles and banana particles.     

二氧化硅干法蚀刻参数的优化研究

阐述了二氧化硅干法蚀刻的原理和主要的蚀刻参数.应用正交实验,进行了蚀刻速率、均匀性、选择比等主要蚀刻参数的优化,得出主要工艺参数的设置方法和理想条件漂移时的调整方法以及优化选择比的蚀刻方案.     

PCVD法沉积a-Si∶H薄膜初始阶段的计算机模拟

利用MonteCarlo模型研究了用PCVD法沉积a Si∶H薄膜初始阶段团簇的大小和数目与衬底温度的关系。该模型考虑了两个成长阶段 ,即成核阶段和晶核成长阶段 ;3种动力学过程 ,即粒子入射、吸附粒子扩散和吸附粒子脱附过程。模拟结果表明 ,随着衬底温度的升高 ,团簇的数目和大小都有所增长 ,且存在一个最佳温度 5 5 0K ,使团簇的数目达到饱和 ,晶粒为最大 ,与实验结果基本相符     

基于光干涉原理的液晶空盒盒厚测量

液晶空盒厚决定了液晶盒中液晶层的厚度,对整个液晶显示器件的光电特性、底色及响应速度等有很大的影响。因此,如何准确地测量空盒盒厚具有实际的应用价值;本文从光干涉原理出发,推导出测量液晶空盒盒厚的简单而准确的方法,此方法适用于各种排列及任意扭曲角的液昌空盒,具有误差小、设备简单、操作简便等特点,充分满足了液晶显示器件生产厂家进行盒厚过程监控和优化年设计的需要。     

硅太阳能电池的应用研究与进展

介绍了三代太阳能电池的发展历程和最新研究进展,晶体硅太阳能电池在光伏产业中主要朝高效方向发展,认为廉价、高效多晶硅薄膜太阳能电池,是当前太阳能电池研究的热点,也是未来太阳能电池发展的方向。     

非晶硅薄膜晶体管的热阻模型

基于能量方程、热流方程和边界条件,推导出了非晶硅薄膜晶体管的沟道热阻模型。采用该模型可准确预估器件有源层内的平均温度。在沟道热阻模型的基础上,考虑器件间场氧化层和金属互联线的影响,建立了非晶硅薄膜晶体管的二维热阻模型。采用该模型可描述器件有源层内温度的横向分布,并快速预估沟道内的最高结温。最后,将模型预测结果与器件模拟仿真结果进行了对比,两者拟合良好。