采用准分子激光退火的室温沉积ITiO薄膜的性能研究

采用室温磁控溅射的方法在玻璃衬底上沉积掺Ti氧化铟薄膜,并在真空中采用XeCl准分子激光进行退火,样品的光学、电学性能、相结构分别采用分光光度计、霍尔效应测试仪和X射线衍射仪进行测试。结果表明,功率为100~150mJ/cm2的准分子激光照射可以使薄膜由无定形态转变为结晶态,激活所掺杂的Ti原子,降低薄膜的电阻率;增大退火功率还可以进一步降低载流子浓度,提高薄膜的透过率。经150mJ/cm2准分子激光退火的掺Ti氧化铟薄膜,其电阻率为6.93×10-4Ω·cm,透过率达到了88.4%。     

ESD应力下的扩散电阻及模型击穿特性

随着集成电路的尺寸越来越小,其对静电放电(ESD)也变得越来越敏感,而电阻在ESD保护电路中可以起到隔离和分压的作用.对ESD应力下扩散电阻的四个区域:线性区、饱和区、雪崩倍增和负微分电阻区、二次击穿区的模型进行了分析.通过TLP实验对大电流作用下的电阻特性进行验证研究,试验分析了扩散电阻的ESD保护特性;着重讨论了二次击穿区,即热击穿区,的电阻特性,得出电阻的热击穿最先发生在阳极n -n结,继续加大电压会使阳极一阴极间完全热烧毁的结论.     

ESD保护器件GGNMOS二次击穿前的建模

基于ESD应力下GGNMOS的工作特性,从GGNMOS的内部物理过程,推导建立了二次击穿前GGNMOS的器件级模型,并给出了相应的参数提取方法;实现了输入工艺参数等到模型中,即可仿真GGNMOS二次击穿前的I-V特性.通过与TLP实际测试结果的比较,证实了所推导模型的可行性.     

多晶硅薄膜晶体管中的晶粒间界电荷分享效应

通过对晶粒间界两侧耗尽区建立准二维模型,研究晶粒间界电荷分享效应对多晶硅薄膜晶体管阈值电压的影响.研究表明,考虑了晶粒间界电荷分享效应的阈值电压将变小,其中晶粒尺寸对阈值电压的影响最大.在此基础上,建立了多晶硅薄膜晶体管的阈值电压解析模型.     

多晶硅薄膜晶体管Kink效应研究与建模

多晶硅薄膜晶体管(P-Si TFTs)技术在SOP(system on panel)显示应用中发挥着越来越重要的作用.随着尺寸的不断缩小,P-si TFT 的Kink效应越来越明显,对有源液晶显示矩阵和驱动电路的性能影响很大.对发生Kink效应的物理机制、二雏数值仿真及其一维解析模型进行了分析,讨论了晶粒边界、沟道长度与Kink效应的关系,提出建立适合电路仿真的一维解析模型的关键与展望.     

S掺杂CuInSe2导致的体积变化对其禁带宽度的影响

运用第一性原理方法研究了CuInSe2和不同量的S掺杂CuInSe2所形成的化合物的电子结构. 理论计算表明,S掺杂导致CuInSe2禁带宽度增大,且通过对其电子结构和键长的分析,发现因S掺杂浓度的增加而导致的CuInSeS化合物晶格体积减小对其禁带宽度的增加有重要的影响.     

硅太阳能电池的应用研究与进展

介绍了三代太阳能电池的发展历程和最新研究进展,晶体硅太阳能电池在光伏产业中主要朝高效方向发展,认为廉价、高效多晶硅薄膜太阳能电池,是当前太阳能电池研究的热点,也是未来太阳能电池发展的方向。     

基于LSSVM的小子样元器件寿命预测

现代高可靠元器件在寿命试验时会出现失效数据很少的小子样情形,而传统的可靠性评估方法需要大量的失效数据,针对此情况,从工程实践的实际需求出发,提出了基于最小二乘支持向量机的小子样元器件寿命预测方法。该方法通过建立最小二乘支持向量机模型,从而可根据已知元器件的失效时间去直接预测同一批未失效元器件的失效时间。将该方法应用于热载流子效应引起MOS管退化失效的加速寿命试验中进行MOS管失效时间的预测,结果表明基于最小二乘支持向量机的寿命预测方法在进行小子样元器件的寿命预测时具有很高的精确度。     

Preparation of High—Quality Poly—Si Films by a Solid Phase Crystallizing Method

A solid phase crystallizing method been developed to grow a Si crystal at temperatures as low as 550℃.Using this method,a high-quality thin-film polycrystalline silicon (Poly-Si) was obtained.The largest grain size,examined with X-ray diffraction spectroscopy and scanning electron microscopy images of recrystallized samples,is approximately 1μm for substrate temperature at 300℃ and annealed at 550℃ for 3 hours.     

六阶级联∑-△调制器的行为级建模

本文基于Matlab Simulink的环境下构建了一个3级6阶(2-2-2)的开关电容∑-△调制器的行为级模型,在考虑了非理想因素(包括时钟抖动、噪声、有限增益、有限带宽、压摆率、饱和电压等)的条件下,对其待性进行分析研究.仿真结果表明:该调制器在采样速率为51MHz时,信噪比为90dB,有效位数达到14bit.