线性网络交流分析的一个算法

本文介绍了一个大变化灵敏度的算法,并把它推广应用于线性网络的交流分析。采用这一方法,避免了传统方法对于每一个频率点,都需要重新建立一次支路导纳矩阵,重新计算一次网络的节点方程。在电抗元件数目较少的情况下,能有效地减少计算量,提高计算速度。     

磁约束反应离子蚀刻装置的磁场优化

应用有限元分析方法建立了多磁极约束磁增强型反应离子蚀刻装置内部的磁场分布模型.通过研究磁极的配置及磁化方向的调整,对蚀刻装置内部磁场的强度及其分布的均匀性进行了优化研究,获得了在兼顾蚀刻速率和蚀刻均匀性的最优工艺要求.     

以SiCl4为源气体用PECVD技术低温快速生长多晶硅薄膜

报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜.实验发现, 生长速率强烈依赖于放电功率、H2/SiCl4流量比和衬底温度, 而薄膜的晶化度只依赖于放电功率和H2/SiCl4流量比,与衬底温度的关系不大.通过控制和选择工艺条件,我们获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高于75%的多晶硅薄膜.薄膜的暗电导率和光电导率分别达到10-4S-1·cm-1和10-3S-1·cm-1.     

S掺杂CuInSe2:导致的体积变化对其禁带宽度的影响

运用第一性原理方法研究了CulnSe2和不同量的S掺杂CulnSe2所形成的化合物的电子结构.理论计算表明,S掺杂导致CuInse2禁带宽度增大,且通过对其电子结构和键长的分析,发现因S掺杂浓度的增加而导致的CulnSeS化合物晶格体积减小对其禁带宽度的增加有重要的影响.     

一种低电压恒定跨导Rail-to-Rail的CMOS运放输入级

提出了一种采用了四对差分管来实现跨导恒定的Rail-to-Rail CMOS运算放大器输入级的方法.用两对互补的差分对作为输入级,另两对互补差分对动态地控制输入级工作电流,以实现Rail-to-Rail恒定跨导.通过在电路中加入补偿电流来提高四对差分管工作的协调性.基于TSMC 0.18 μm COMS的工艺,应用Hspice在不同电压、温度环境下进行了电路的仿真验证,结果表明所设计的电路在各种条件下都有较好的性能,其在共模范围内跨导最大偏差小于2%.本文还分析了MOS管二阶效应对电路产生的影响.     

10-bit 10Ms/S流水线A/D转换器的设计

在现有流水线A/D转换器设计的基础上,应用电荷泵改进了MOS模拟开关的性能,运用宽带运算放大器提高了电路速度,引入底极板采样和数字校正技术来提高精度,采用动态比较器实现较低的功耗.设计实现了一个10-bit 10Ms/S流水线A/D转换器,并以TSMC 0.35 CMOS工艺的Bsim 3v3模型用HSPICE对电路的性能进行仿真验证,结果表明其各项性能均达到预期的设计要求.     

基于非均匀高斯函数的无刷直流电动机模糊控制

采用一种基于非均匀高斯型隶属函数的模糊PI控制算法来实现无刷直流电机闭环调速控制.根据转速误差E和误差变化率EC在控制过程中非均匀分布的特点,构建相应的非均匀高斯型隶属函数模糊控制器来实时调整PI控制器的两个参数KP,KI.并运用Matlab/Simulink结合Fuzzy工具箱实现了对BLDCM系统的仿真.仿真结果表明:基于非均匀高斯型隶属函数的模糊PI控制与普通模糊PI控制相比,具有更好的动态、稳态性能,更强的鲁棒性及更高的控制精度.     

衬底离子束表面氮化对ZnO薄膜性质的影响

采用射频磁控溅射法在抛光硅片上沉积了一系列ZnO薄膜样品.通过对薄膜样品X射线衍射谱的分析、原子力显微图的观察、吸收光谱和荧光光谱的研究,发现Si衬底的离子束表面氮化对ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性质有重要影响.在衬底温度为200℃、高纯氩氧比例为3:1、压强为1.5Pa的条件下,在经离子束表面氮化预处理的Si衬底上溅射沉积的ZnO薄膜,经450℃真空退火,成为高(0002)晶面取向的ZnO薄膜,并具有良好的光学性质.     

ESD应力下的NMOSFET模型

随着现代集成电路的集成度越来越高,静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)己成为电路失效一个不可忽视的原因。对电路级ESD的可靠性进行模拟是一个重要的研究课题。给出了在ESD应力下的NMOSFET模型,重点讨论了雪崩击穿区、瞬间回落区,以及二次击穿区的物理过程及其数学描述。     

采用CORDIC流水线结构的FFT处理器的改进

CORDIC流水线结构因其高吞吐率及规整性,而很适合于FFT蝶形运算,但其缺点是耗资源多,本文从FFT中旋转因子固定不任意的特点出发,根据CORDIC基本旋转角度与缩放因子的对应关系和缩放因子之间的转换规律,对CORDIC流水线结构进行了改进,在蝶形运算速度不变的情况下,进一步减少所耗资源,在字长为16位的FFT中,每个旋转因子可用25位的控制序列来替代,从而使每个旋转因子的存储空间由32位减少到25位。