往复挤压温度对ZK60镁合金组织与性能的影响

采用往复挤压工艺，对ZK60镁合金进行不同温度往复挤压，分析往复挤压温度对组织和性能的影响。结果表明：在315℃、335℃和355℃往复挤压ZK60镁合金，其中335℃时晶粒细化效果最好，材料的综合力学性能最佳。往复挤压工艺可以显著降低ZK60镁合金的热膨胀系数，提高ZK60镁合金的热稳定性。     

热处理工艺对弹簧钢55 SiCrV力学性能和组织的影响

通过热模拟试验得到55SiCrV钢的CCT曲线和奥氏体晶粒长大曲线,确定了淬火温度选择范围;利用双因子正交试验,研究了热处理参数对其力学性能及组织的影响。结果表明:在850～930℃加热温度范围内,Cr、V元素形成难溶碳化物,阻碍晶粒长大;随着温度的提高,55SiCrV钢奥氏体晶粒尺寸基本不变,晶粒度达到10级;加热温度930℃以上时,原子扩散能力增大,且难溶碳化物逐渐溶解,奥氏体晶粒度逐渐粗化。在870～930℃淬火温度范围内,随温度提高,55SiCrV钢抗拉强度先升高后下降;随回火温度提高,强度逐渐降低,塑性提高。900℃淬火+410℃回火工艺下,55SiCrV钢组织为针状铁素体与M_3C碳化物组成的细小回火屈氏体,具有较好的疲劳性能和抗弹减性能。     

弹簧钢60Si2Mn脱碳敏感性实验室研究

研究了汽车用弹簧钢60Si2Mn的脱碳敏感性,分析了不同加热温度和不同保温时间下的该钢种的脱碳行为,为高线生产加热工艺制度提供了理论依据。     

时效处理对变形镁合金延伸率的影响

对ZK60镁合金进行不同工艺的时效处理,分析时效工艺对组织和硬度的影响,同时研究了时效前后的延伸率变化。结果表明：时效处理后,随时效时间的延长和温度的升高,合金组织出现晶粒长大,强化相的扩散,溶解;在120℃,12h处理后,硬度提高43．44％,延伸率达到24．87％。     

基于分布先验的半监督FCM的肺结节分类

肺结节的良恶性分类对于肺癌的早期发现及诊断具有重要意义。然而实际应用中,标记的图像数量较少,且获取标记将耗费大量的人力,在这种情况下,使用半监督学习算法是有效提高分类性能的一个思路。作为一种经典的半监督学习算法,传统的半监督FCM在未标记样本与标记样本分布不平衡情况下不能充分利用标记信息。针对此问题,本文提出了一种基于分布先验的半监督FCM算法。首先计算样本的先验分布概率,基于获得的先验概率,给样本赋予权重,并将其融入到半监督FCM聚类中,从而强化少量的标记样本在聚类过程中的指导作用。文中在LIDC数据库上进行了相应的实验,实验结果证明,相比较传统的半监督FCM算法,提出的算法能够取得更好的肺结节分类性能。     

基于离子阱质谱的离子碰撞截面积测量方法研究进展

近年来,随着分子结构分析需求的不断增加,开发离子阱质量分析器测量离子碰撞截面积的方法成为研究热点。该方法能降低仪器复杂度,并且能同时获得高分辨的质量和分子立体结构信息,逐渐成为与离子淌度谱(IMS)互补的测量碰撞截面积的有效手段。目前,已经实现了傅里叶变换离子回旋共振阱(FT-ICR)、轨道离子阱(Orbitrap)、四极离子阱(QIT)、静电线性离子阱(ELIT)测量离子碰撞截面积(CCS)。但该项技术仍存在诸多挑战,如分辨率不高、受气压因素影响、无法区分同分异构体等。本文阐述了离子与缓冲气体分子碰撞理论、不同离子阱质谱仪测量碰撞截面积的方法,并总结测量方法的优缺点,展望未来的研究方向。     

介入治疗用铂铱合金显影环及其研究现状

显影环是介入治疗中用作远端工作区域X射线显影标记的标记环,属于一次性医用材料。本文介绍了铂铱合金显影环(铱含量为5wt%～20wt%)的应用现状、国内市场需求现状、国内外技术发展趋势等,论述并分析了铂铱合金显影环在微创医疗领域的重要性。通过对铂铱合金显影环现有制备工艺的介绍,探讨了开展具有自主知识产权的铂铱合金显影环制备技术研究的必要性。     

小型离子阱质谱技术研究进展

离子阱质量分析器具有结构简单、真空度要求低、灵敏度高、可串联质谱分析等一系列特点,在现代生化分析中发挥着重要的作用。为了提高离子阱质谱的分析性能,满足不断出现的分析需求,基于成熟的离子阱理论,各种离子阱质谱新技术不断涌现。特别是离子阱已越来越多地应用于小型化质谱仪,并且开始在现场分析领域发挥越来越重要的作用。聚焦离子阱操作新模式、新结构设计及功能新拓展三个方面,对近五年来出现的小型离子阱质谱新技术作综述性介绍。     

往复挤压对AgMg3合金组织及性能的影响

通过金相组织观察,扫描电镜分析,显微硬度和力学性能测试,研究了往复挤压对AgMg3银基合金组织及性能的影响。结果表明,往复挤压可使AgMg3合金的晶粒破碎,晶粒尺寸明显细化,力学性能显著提高。往复挤压后,合金的抗拉强度上升,断后延伸率提高,材料延性改善,显微硬度均匀,弯曲次数提高。     

真空电子器件用V-B系列钎料研究

采用真空-充氩熔炼V-B系列钎料,并通过球磨技术制成焊料粉末.实验表明:V-B系列钎料的真空钎焊性能优良;V-B系列块状钎料瞬间熔化并快速铺开,流动性好,润湿性好,表面均匀.V-B-Pd块状钎料的熔点为1730℃,V-B块状钎料的熔点为1740℃;V-B粉末钎料铺展均匀,有明显的润湿环,钎料铺展面积约占基体面积的3/4,钎料的熔点为1560℃.