形状记忆薄膜的研究进展

回顾了ＮｉＴｉ形状记忆合金薄膜的研究现状。总结了形状记忆合金薄膜的结构及其变化过程、性能特点及其变化规律。     

Sol-Gel法制备NiTiSMA/FC复合材料的界面结构研究

借助XRD、SEM研究了Sol-Gel法制备NiTiSMA/FC薄膜复合材料在650℃晶化退火处理后的界面结构。结果表明，陶瓷薄膜层的约束抑制了NiTiSMA基体的高温时效反应；由于NiTiSMA基体表面的高温氧化产生的TiO2过渡层，使NiTiSMA与铁电陶瓷两异质之间良好结合。     

采用机械合金化方法制备Ti3Ni2合金的结构及电化学储氢性能

采用机械合金化方法用Ni粉和Ti粉得到了Ti3Ni2非晶合金。晶态Ti3Ni2合金初始容量比非晶合金要高。晶态合金初始容量可以达到240mAh／g。而非晶合金容量为173mAh／g。随着循环次数的增加，晶态合金放电容量呈线性下降趋势。而对于非晶电极材料来说，随着循环的进行，初始容量下降，但是达到一定循环次数以后，电极的放电容量达到基本稳定。     

含硅钢上贝氏体组织演变特征研究

采用金相组织观察法研究了Fe-0.88C-1.35Si-1.03Cr-0.43Mn钢上贝氏体显微组织形态随相变时间而产生的变化。结果表明,380℃短时等温获得短棒状上贝氏体组织;随等温时间延长,新的上贝氏体小棒于原贝氏体棒两侧形成,上贝氏体小棒的平行排列使上贝氏体变为粗棒;随等温时间的进一步延长,粗棒状上贝氏体平行排列组合近似羽毛状;长时间等温,贝氏体碳化物析出使上贝氏体组织具有羽毛状形貌。短棒状的上贝氏体相对于羽毛状上贝氏体具有较高硬度,能够赋予材料良好的力学性能。     

高强度高导电铜合金

本文综述了目前用于获得高强度高导电铜合金的几咱方法，以及该类合金的发展状况。     

NiTi合金低压等离子渗氮研究

采用低压等离子渗氮工艺对NiTi合金进行了渗氮处理.氮化处理后NiTi合金表面硬度升高.XRD测试结果表明在合金表面形成了一层TiN涂层,在TiN涂层下为Ni3Ti相.电化学腐蚀测试表明经氮化处理后合金的耐腐蚀能力大为提高.     

普通渗碳剂与新型高聚物渗碳剂进行NiTi合金固体渗碳的对比

采用通用渗碳剂和新型高聚物渗碳剂，通过固态渗碳法对NiTi合金进行了表面处理。结果表明，采用两种渗碳剂在NiTi合金表面均可以获得TiC TiOx两相构成的钛化物渗层，与通用渗碳剂相比，聚合物渗碳具有渗速快、组织致密、渗层相结构均匀、硬化层中TiC含量增加、钛化物层与基体的结合良好等特点，经过固体渗碳处理后，NiTi合金在3．5％NaCl溶液中的抗腐蚀性能得到了很大提高，高聚物渗碳的保护作用更为显著。     

金属硅的储锂性能

金属硅是硅矿石经过还原反应后含有金属元素(铁、铝、钙等)的不纯的硅粉,金属硅粉中硅的含量为60％～99.9％,价格远远低于纯硅粉.用廉价的金属硅作为锂离子电池的负极材料,研究了其电化学储锂性能.结果表明:对于不同的导电剂添加量,金属硅首次放电和充电比容量均高于纯硅;金属硅首次不可逆容量占70％,纯硅为85％,其循环性能比纯硅提高一倍以上;充放电电流密度越小,金属硅的容量衰减越慢:随着循环次数的增多,不同充放电电流所对应的容量逐渐趋近相同;金属硅和纯硅的储锂机理相近,在充放电循环过程中金属硅不断形成不可逆的Li13Si4、Li12Si7,这些不可逆相的存在消耗了材料中的Si,从而导致容量衰减.随着充放电的进行,晶态Si逐渐非晶化.     

在Na_2SiO_3溶液中NiTi合金的微弧氧化

在硅酸钠溶液中对NiTi合金进行了微弧氧化处理。结果表明,NiTi合金在Na2SiO3溶液中,微弧氧化过程分为2个阶段,即缓慢电压增长区和电压跃升区。微弧氧化获得氧化物层为Ti的氧化物。微弧氧化后表面硬度比NiTi要高出2倍以上。在NiTi合金微弧氧化过程中,首先是NiTi合金中的Ni氧化以离子形式溶解进入溶液,而Ti保留在合金表面。然后NiTi合金表面的Ti层在阳极电压下氧化形成绝缘层。当表面绝缘层达到一定厚度后就发生起弧现象。     

渗硼对45钢耐液态金属腐蚀性能影响的研究

对经过渗硼处理的45钢在液态Zn、Al和Zn-Al合金中的耐蚀性进行研究。结果表明：渗硼处理后45钢在液态Zn、Al和Zn—Al中的耐蚀性大为提高；硼化物层对Zn、Zn—Al合金具有良好的耐蚀性，在Al液中的耐蚀性略低。表明钢的渗硼处理在耐液态金属腐蚀上有较好的应用前景。硼化物在液态Zn、Al和Zn—Al液中的腐蚀是硼化物的均匀溶解过程，没有出现择优腐蚀。