一种半导体封装用键合金丝的研制

在开发了1种微合金配方的基础上,重点研究了真空熔炼连铸工艺,研制出1种适用于半导体分立器件和集成电路封装的高强度低弧键合金丝。结果表明:1)微合金元素得到有效添加,且分布均匀。2)铸锭组织为粗大柱状晶沿轴向分布。3)机械性能均匀稳定,Φ19μm:断裂负荷≥5cN,延伸率2%~6%;Φ15μm:断裂负荷≥3 cN,延伸率2%~6%。4)与国内外相同规格键合金丝相比,具有更高的强度和更大的熔断电流。     

银丝键合烧球参数对键合质量的影响

经键合试验,测试焊线挑断力和焊球推力,观察焊球和电极界面形貌,研究了烧球电流和时间对银键合丝键合质量的影响。结果表明,随烧球电流增大、时间延长,键合无空气焊球(FAB)直径增大;FAB球颈晶粒尺寸是电流和时间共同作用的结果,晶粒尺寸越大、挑断力越小,18 mA-1.0ms烧球所得挑断力最小;在FAB尺寸相近的前提下随烧球电流减小,焊球推力降低,键合过程中电极易受损导致电极材料挤出率增大;高电流-短时间(23 mA-0.6 ms)烧球有利于银丝获得较好的键合质量。     

Ir坩埚铸造过程中温度场的有限元模拟

为了克服传统Ir坩埚铸造研究中需占用大量Ir和资金的缺点,作者采用有限元方法计算了3种不同尺寸的Ir坩埚在铸造过程中的温度场变化特点.通过对计算结果的分析,有效地预测了缩孔在Ir坩埚壁出现的位置、浇口处缩孔的位置和形状等特点,同时给出了Ir坩埚底部中心处在凝固过程中的温度与时间关系的曲线.对于Ir坩埚实际铸造过程的工艺制定和优化具有指导作用.     

Microstructure and Properties of Ag-1.33%Mg-0.54%Ni Alloy after Severe Plastic Deformation and Internal Oxidation

高强高导的Ag-1.33Mg-0.54Ni(at%)合金经98%的累积轧制变形和内氧化后用扫描电镜和X射线衍射极图进行微观结构表征,对内氧化前后的传统机械性能进行评价。结果表明,合金内氧化后的硬度、最大抗拉强度、断后延伸率和电阻率分别是1350 MPa,450 MPa, 6% 和 1.73 μ·cm。织构研究表明,在内氧化过程中织构保持稳定,主要是{110}<001>高斯织构和{110}<112> 黄铜织构。在银基体中MgO和NiO等相阻碍了晶粒的生长、保持晶粒取向稳定和显著提高合金的机械性能。     

稀土元素对键合金丝组织与性能的影响

研究了稀土元素Eu对金丝再结晶温度、组织、力学性能以及热影响区(HAZ)的作用.研究结果表明,添加一定量的Eu可以:①提高金丝的再结晶温度;②细化金丝的晶粒;③增加金丝的强度;④减小金丝的HAZ长度,即添加适当的稀土元素对于开发高强度低弧度键合金丝有积极作用.