Ti-O薄膜中O含量对紫外光-可见光吸收的影响

应用射频磁控溅射技术在普通载玻片上镀制一层均匀的Ti-O薄膜,采用红外光谱仪对其进行红外吸收光谱分析,采用紫外光-可见光分光光度计测量其吸光度,得到了在不同O含量条件下制备的Ti-O薄膜对紫外光-可见光的吸收情况,并进行了比较。实验结果表明:随着O含量的逐渐减少,Ti-O薄膜的结构从TiO2逐渐转变为多种Ti-O结构共存,并且其吸收峰出现红移现象。     

激光诱导击穿光谱技术在太空探测中的应用

激光诱导击穿光谱(LIBS)是一种新型的元素分析技术,具有灵敏度高、快速、可多元素同时测量并可非接触遥测等优点,非常适合针对空间其他星球的空间遥测。搭建了一套激光诱导击穿光谱实验装置,并通过配置特定样品,开展了一系列LIBS探测实验。根据含有不同浓度的同种元素样品的LIBS实验结果,获得元素浓度与谱线强度的关系曲线(定标曲线)。对中南民族大学附近的土壤进行了LIBS实验,发现土壤中含有Mg、Ca、Na等18种元素,对河南云台山茱萸峰岩石的LIBS实验结果仅获得Fe、Mg、Ca3种金属元素。比较这两种实际样品的LIBS实验结果表明,检测样品的物理结构对LIBS的实验结果有一定影响。     

p型ZnO薄膜的研究进展

ZnO是一种多用途的半导体材料,一直受到国内外学术界的广泛关注。自1997年发现ZnO薄膜的室温紫外光发射以来,ZnO薄膜的制备及其光电子特性的研究成为新的研究热点。由于ZnO薄膜中存在较强的自补偿机制,使得很难有效地进行p型元素的掺杂。本文介绍了ZnO薄膜p型掺杂的理论和国内外通用的掺杂方法,对不同方法制备的p型ZnO薄膜的特点进行了比较分析。     

氯化钾溶液的激光诱导击穿光谱研究

利用脉冲Nd:YAG激光器、光谱仪I、CCD等设备设计了一套激光诱导击穿光谱测试实验装置,并采用该装置对氯化钾溶液的全谱进行了测量,得到了含量为1mg/l的镁(Mg),3mg/l的钙(Ca),20mg/l的钠(Na)的线状谱线。实验结果表明,对氯化钾溶液做定性分析时,延时是一个非常重要的参数。合理地选取延时,利用激光诱导击穿光谱方法可以快速准确地同时检测到多种微量金属元素。同时定性分析也证明了利用激光诱导击穿光谱方法探测废水中的微量有毒金属的可行性。     

用VB实现测控系统中工艺曲线显示和存储

利用VB数据库管理功能和Timer控件,实现了等离子体渗氮工艺测控系统中工艺参数的实时存储。利用Pic-ture控件,解决了工艺曲线显示问题。具体介绍了显示实时监测曲线和历史测控曲线的程序设计方法。     

阳极氧化法制备TiO2纳米管及特性研究

采用单向直流脉冲电源阳极氧化方法,在乙二醇 0.5%(wt)NH4F的电解质溶液中,在电压为40～60V之间制备了直径为90～142nm、管壁厚度为21.8～17nm的TiO2纳米管.对阳极氧化过程中加入和不加超声波辅助条件进行了对比实验.通过对试样的SEM测试和阳极氧化过程中数字万用表不间断采集得到的平均电流表明,TiO2纳米管的形貌、生长速度密切依赖于氧化处理的电参数和超声波辅助源.同时通过XRD和UV-Vis等检测手段对TiO2纳米管退火前后的特性进行了研究.     

IGBT强驱动电路的设计

根据脉冲渗碳电源要求,设计一种具有高可靠性、信号传输无延迟、驱动能力强等特点的IGBT强驱动电路,详细分析了工作原理,并对电路测试中出现的电流尖峰进行了抑制。在此基础上得出几个主要影响驱动电路的因素。实际用于大功率IGBT桥电路驱动,工作稳定可靠。结果表明,所设计的电路结构简单,驱动能力强,可靠性高,且对用变压器驱动大功率全桥电路有通用性。     

活塞环表面渗陶工艺的问题及改进措施

目的根据当前活塞环陶瓷膜工艺中存在的问题,对渗陶电源进行改进,使处理的活塞环达到工业应用要求的同时提高处理效率。方法分析用PECVD方法制备陶瓷膜工艺中影响成膜的主要因素,以这些因素为依据,通过改变渗陶电源放电的各种参数,比较在不同参数下处理的效果。结果在最佳组合的放电参数下,这种改进后电源在活塞环表面的成膜效果与传统电源相当,同时,处理的效率得到了提高。结论非对称脉冲式电源可以代替传统高功耗的射频电源使活塞环表面陶瓷化。     

沉淀法制备羟基磷灰石反应条件控制研究

为了方便快速地获得高纯度羟基磷灰石,本研究以(NH4)2HPO4和Ca(NO3)2·4H2O为原料,利用沉淀法制备纳米级羟基磷灰石粉末,并描述了制备过程。对温度、pH值、分散剂添加比例、钙磷比、烧结温度等反应控制条件进行了研究,并对钙磷比及烧结温度做了详细的讨论。结果表明,此法可以得到分散性、均匀性好,纯度高,颗粒小,晶形完整的纳米级羟基磷灰石。     

等离子体中频电源的驱动与保护电路设计

讨论了150 kHz等离子体中频电源的驱动与保护电路设计方案。该电路采用脉冲变压器耦合MOSFET管驱动电路,具有输出变压器原边平均电流和副边峰值电流的过流保护功能。结果表明:驱动波形的上升和下降时间都不超过80 ns,并能在检测到过流信号时封锁驱动信号,关断变换器中的开关器件,切断过流故障,有效进行电路保护。